一种保护元件制造技术

本实用新型专利技术公开一种保护元件，包括PPTC片和热熔断体，该PPTC片与热熔断体串接相连，并该热熔断体的熔点高于PPTC片的熔点，该热熔断体具体密封于一个密闭外壳内且表面涂覆有助熔剂。本实用新型专利技术当电气器件存在本质故障，并电气器件的温度或PPTC片温度到达热熔断体的熔点时，该热熔断体则会熔化并且在合金助熔剂的作用下，迅速断开，收缩成两球附在两边引脚上，即使得本实用新型专利技术涉及的保护元件成为非复原型切断保护元件，从而从根本上切断电流，进而具有能避免电气器件安全隐患的功效。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电路保护装置领域，更具体的说涉及一种保护元件。
技术介绍
自恢复保险丝 PPTCXPolymer Positive Temperature coefficien t，高分子聚合物正系数温度电阻，即高分子正温热敏电阻)以其自恢复特性，广泛用于线路、电子设备的过电流保护。但是，对常规的PPTC自恢复保险丝而言，当电路电压超过它的额定电压时，或多次反复经受过载电流时，或在负载短路情况下，PPTC元件有可能会过热而燃烧、爆裂、短路。 因此，特别是在一次回路(市电)保护的应用中，有很大的局限性，只能做辅助保护，不能单独做最终保护用。故在某种特定情况下，还是需要非复原型的切断，即实质电路的切断。有鉴于此，本专利技术人针对现有保护元件的上述缺陷深入研究，遂有本案产生。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种保护元件，其能兼具有复原型切断和非复原型切断，以解决现有技术中遇到本质故障时仍存在安全隐患的问题。为了达成上述目的，本技术的解决方案是—种保护元件，其中，包括PPTC片和热熔断体，该PPTC片与热熔断体串接相连，并该热熔断体的熔点高于PPTC片的熔点。进一步，该热熔断体的熔点至少比PPTC片的熔点高5°C。进一步，该热熔断体包括两根引线、低熔点合金丝以及包覆在低熔点合金丝外表面的助熔剂层，该低熔点合金丝位于两根引线之间，该低熔点合金丝的熔点至少比PPTC片的熔点高5°c。进一步，该热熔断体还包括外壳，该低熔点合金丝、助熔剂层以及两根引线均封装在外壳中，该两根引线则露出于外壳，并其中的一根引线与PPTC片串接相连。进一步，该PPTC片上形成有沉槽，该热熔断体则嵌入设置在PPTC片的沉槽内。进一步，该热熔断体贴装在PPTC片的表面。进一步，该保护元件采用环氧树脂、硅酮树脂、聚氨酯或硅橡胶而包封为一体。采用上述结构后，本技术涉及的一种保护元件，其由于设置有PPTC片，故当电路故障引起大电流通过它时，PPTC片温度会突然升高到“关断”温度，即PPTC聚合物材料的熔点温度，该PPTC片会变成高电阻，从而削弱电路中的电流，进而控制电气器件的温度， 以作为复原型切断保护元件而保护电气器件；而当电气器件存在本质故障时，由于在PPTC 片的控制下无法彻底避免温度的上升，即电气器件的温度仍会上升，此时当电气器件的温度到达热熔断体的熔点时，该热熔断体则会熔断，或者当电路电压超过PPTC的额定电压， 使得PPTC损坏，或PPTC多次反复经受过载电流时，或在负载短路情况下，PPTC元件发生过热而即将燃烧、爆裂、短路时，该热熔断体会熔断，即使得本技术涉及的保护元件成为非复原型切断保护元件，从而从根本上切断电流，进而避免电气器件的安全隐患.附图说明图1为本技术涉及一种保护元件第一实施例的正面示意图；图2为图1的反面示意图；图3为图1的剖视图；图4为本技术涉及一种保护元件第二实施例的结构示意图；图中保护元件100沉槽11引线21助熔剂层23PPTC 片 1 热熔断体2 低熔点合金丝22 外壳M。具体实施方式为了进一步解释本技术的技术方案，下面通过具体实施例来对本技术进行详细阐述。如图1至图3所示，其示出的为本技术涉及一种保护元件100的第一实施例， 该保护元件100包括PPTC片1和热熔断体2，该PPTC片1与热熔断体2串接相连，并该热熔断体2的熔点高于PPTC片1的熔点；具体的，该热熔断体2的熔点至少比PPTC片1的熔点高5°C，优选为高出5°C 50°C。这样，由于设置有PPTC片1，故当电路故障引起大电流通过它时，PPTC片温度会突然升高到“关断”温度，该PPTC片1会变成高电阻，从而削弱电路中的电流，进而控制电气器件的温度，以作为复原型切断保护元件100而保护电气器件； 而当电气器件存在本质故障时，由于在PPTC片1的控制下无法彻底避免温度的上升，或者 PPTC片损坏情况下，即电气器件的温度仍会上升，此时当电气器件的温度到达热熔断体2 的熔点时，该热熔断体2则会熔断，即使得本技术涉及的保护元件100成为非复原型切断保护元件100，从而从根本上切断电流，进而避免电气器件的安全隐患。为了能加速热熔断体2的熔化，该热熔断体2包括两根引线21、低熔点合金丝22 以及助熔剂层23，该助熔剂层23包覆在低熔点合金丝22的外表面，该低熔点合金丝22则位于两根引线21之间，该低熔点合金丝22的熔点至少比PPTC片1的熔点高5°C，优选为高出5°C 50°C。如此，在助熔剂层23中助熔剂的作用下，该低熔点合金丝22会收缩成球状，以达到快速切断电路的功效；该热熔断体2还包括外壳M，该低熔点合金丝22、助熔剂层23以及两根引线21均封装在外壳M中，该两根引线21则露出于外壳M，并其中的一根引线21与PPTC片1串接相连，通过该外壳M可使得整个热熔断体2成全密封结构，具体的，该全密封结构是采用环氧树脂、硅酮树脂、聚氨酯或硅橡胶而包封为一体；且低熔点合金丝表面被助熔剂包覆，这样保证长时间工作不会被氧化，性能更加稳定。具体的，在本实施例中，该PPTC片1形成有沉槽11，该热熔断体2则嵌入设置在PPTC片1的沉槽11内，从而使得保护元件100能形成一个整体。如图4所示，其示出的为本技术涉及一种保护元件100的第二实施例，其结构与第一实施例基本相同，其不同之处在于热熔断体2与PPTC片1的外部连接方式不同，在本实施例中，该热熔断体2贴装在PPTC片1的表面。需要说明的是，上述第一实施例和第二实施例仅为PPTC片1和热熔断体2之间的两种设置方式，但并不限于此，比如该PPTC片1与热熔断体2之间可以采取完全分离的方式。上述实施例和图式并非限定本技术的产品形态和式样，任何所属
的普通技术人员对其所做的适当变化或修饰，皆应视为不脱离本技术的专利范畴。权利要求1.一种保护元件，其特征在于，包括PPTC片和热熔断体，该PPTC片与热熔断体串接相连，并该热熔断体的熔点高于PPTC片的熔点。2.如权利要求1所述的一种保护元件，其特征在于，该热熔断体的熔点至少比PPTC片的熔点高5°c。3.如权利要求1所述的一种保护元件，其特征在于，该热熔断体包括两根引线、低熔点合金丝以及包覆在低熔点合金丝外表面的助熔剂层，该低熔点合金丝位于两根引线之间， 该低熔点合金丝的熔点至少比PPTC片的熔点高5°C。4.如权利要求3所述的一种保护元件，其特征在于，该热熔断体还包括外壳，该低熔点合金丝、助熔剂层以及两根引线均封装在外壳中，该两根引线则露出于外壳，并其中的一根引线与PPTC片串接相连。5.如权利要求1至4任一项所述的一种保护元件，其特征在于，该PPTC片上形成有沉槽，该热熔断体则嵌入设置在PPTC片的沉槽内。6.如权利要求1至4任一项所述的一种保护元件，其特征在于，该热熔断体贴装在 PPTC片的表面。7.如权利要求1至4任一项所述的一种保护元件，其特征在于，该保护元件采用环氧树脂、硅酮树脂、聚氨酯或硅橡胶而包封为一体。专利摘要本技术公开一种保护元件，包括PPTC片和热熔断体，该PPTC片与热熔断体串接相连，并该热熔断体的熔点高于PPTC片的熔点，该热熔断体具体密封于一个密闭外壳内且表面涂覆有助熔剂。本技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种保护元件，其特征在于，包括ＰＰＴＣ片和热熔断体，该ＰＰＴＣ片与热熔断体串接相连，并该热熔断体的熔点高于ＰＰＴＣ片的熔点。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄恩琳，陈捷，
申请(专利权)人：厦门莱纳电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：92