阵列基板及其制造方法、液晶面板技术

本发明专利技术公开了阵列基板及其制造方法、液晶面板。该阵列基板包括：交叉形成在基板上的栅线和数据线，栅线和数据线限定的像素单元内设置有像素电极和作为像素电极开关的第一薄膜晶体管；控制位于同行的多个像素电极工作的第一栅线之前的第二栅线连接有第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的第二栅极与所述第二栅线连接，所述第二薄膜晶体管的第二源极和第二漏极分别与所述位于同行的多个像素电极中相邻的两个像素电极连接，且每个像素电极仅与一个第二薄膜晶体管连接。本发明专利技术技术方案可通过第二薄膜晶体管将相邻两像素电极的电荷进行中和，对像素电极预充电，可有效降低液晶显示器的能耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示技术，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、液晶面板。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display, TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等优点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位，广泛应用于各种领域，例如液晶电视、高清晰度数字电视、电脑、手机、PDA等。其中， TFT-LCD技术是微电子技术与液晶显示器技术结合的一种技术，通常是在大面积的玻璃上进行薄膜晶体管(Thin FilmTransistor, TFT)阵列的加工，并将阵列基板与带彩色滤色膜的彩膜基板，形成一个液晶盒，最终制作得到液晶显示器。图1为现有技术阵列基板的结构示意图；图2为现有技术阵列基板对应的电路示意图。如图1和图2所示，现有TFT-IXD中的阵列基板包括纵横交叉设置的数据线11和栅线12，数据线11和栅线12限定的像素单元13内设置有像素电极14和像素电极开关15， 该像素电极开关15为设置在数据线11和栅线12交叉处的薄膜晶体管，像素电极开关15 的栅极与栅线12连接，源极和漏极分别与数据线11和像素电极14连接。其中，TFT-IXD中的每个像素从结构上可以简化为像素电极与共同电极之间夹设有一层液晶，从电学的角度可以将一个像素看成是一个电容，像素电极开关就可以看作是对电容进行充电的开关，具体可参见图2中所示，TFT-IXD工作时，通过为栅线12送入电压，即可使得与栅线12连接的栅极控制的薄膜晶体管打开，然后依次从数据线11输入数据电压，即可实现对各像素电极14，即电容进行充电，由于夹在液晶层上的电压可存储于各像素对应的电容内，因此液晶层可稳定的工作。图3为TFT-IXD采用点反转驱动方式驱动时，阵列基板上像素电极的电荷极性示意图；图4为TFT-LCD采用列反转驱动方式驱动时，阵列基板上像素电极的电荷极性示意图。TFT-LCD工作时，为避免液晶材料产生极化而造成永久性的破坏等，需要在每隔预定时间内对施加在液晶两侧的电压的极性进行点反转或列反转，其中图3中的左右侧视图分别为TFT-LCD工作时采用点反转驱动前后阵列基板上各像素电极上电荷极性示意图，图4中的左右侧视图分别为TFT-LCD工作时采用列反转驱动前后阵列基板上各像素电极上电荷极性示意图，可以看出，采用点反转或列反转驱动方式驱动TFT-LCD工作时，阵列基板上处于同一行上的相邻两个像素电极的电压极性是相反的，且每隔预定时间就需要对各像素电极上的电荷极性进行反转，而在对像素电极上的电压进行反转时，由于需要中和掉反转前像素电极上的电荷，因此，TFT-LCD上的共享电压驱动和源极驱动器的电流消耗将会较大， 使得TFT-IXD的耗电较大。综上可以看出，现有阵列基板工作时，在对阵列基板上的像素电极上的电压反转时，中和像素电极上的电压时需要消耗大量的电能，使得TFT-LCD具有较大的能耗
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板及其制造方法、液晶面板，可有效克服现有TFT-IXDエ 作时能耗较大的问题，减少TFT-LCD工作时的能耗。本专利技术提供一种阵列基板，包括交叉形成在基板上的栅线和数据线，栅线和数据 线限定的像素単元内设置有像素电极和作为像素电极开关的第一薄膜晶体管；控制位于同 行的多个像素电极工作的第一栅线之前的第二栅线连接有第二薄膜晶体管，所述第二薄膜 晶体管的第二栅极与所述第二栅线连接，所述第二薄膜晶体管的第二源极和第二漏极分别 与所述位于同行的多个像素电极中相邻的两个像素电极连接，且每个像素电极仅与ー个第 ニ薄膜晶体管连接。本专利技术提供一种阵列基板的制造方法，包括在基板上形成栅线、数据线、作为像 素电极开关的第一薄膜晶体管和像素电极的步骤，其中在形成所述第一薄膜晶体管的同吋，对应形成作为电荷分享开关的第二薄膜晶体 管，所述第二薄膜晶体管与控制位于同行的多个像素电极工作的第一栅线之前的第二栅线 连接，所述第二薄膜晶体管的第二栅极与所述第二栅线连接，所述第二薄膜晶体管的第二 源极和第二漏极分别与所述位于同行的多个像素电极中相邻的两个像素电极连接，且每个 像素电极仅与ー个第二薄膜晶体管连接。本专利技术提供ー种液晶面板，包括阵列基板、彩膜基板以及设置在阵列基板和彩膜 基板之间的液晶层，其中，所述阵列基板为采用上述的阵列基板。本专利技术提供的阵列基板及其制造方法、液晶面板，通过设置作为共享电荷开关的 第二薄膜晶体管，使得TFT-LCD工作时，采用点反转或列反转驱动对阵列基板上的像素电 极进行电压反转时，可通过该电荷共享开关使同一行上电压极性相反的相邻两个像素电极 上的电荷进行中和，从而实现对像素电极的预充电，避免了像素电极上电压反转时电能消 耗较大的问题，降低了 TFT-LCD工作时的电能消耗，具有较好的节能效果。附图说明图1为现有技术阵列基板的结构示意图；图2为现有技术阵列基板对应的电路示意图；图3为TFT-IXD采用点反转驱动方式驱动吋，阵列基板上像素电极的电荷极性示 意图；图4为TFT-IXD采用列反转驱动方式驱动吋，阵列基板上像素电极的电荷极性示 意图图5为本专利技术实施例一提供的阵列基板的结构示意图；图6为图5中阵列基板对应的电路示意图；图7为本专利技术实施例ニ提供的阵列基板的制造方法流程示意图；图8为本专利技术实施例四提供的液晶面板的结构示意图。附图标记11-数据线；12-栅线；13-像素単元；14-像素电极；15-像素电极开关；21-基板；22-栅线；23-数据线；24-像素电极；25-第一薄膜晶体管；26-第二薄膜晶体管；Ml-第一像素电极；M2-第二像素电极；221-栅线；222-栅线；10-阵列基板；20-彩膜基板；30-液晶层。具体实施例方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。图5为本专利技术实施例一提供的阵列基板的结构示意图；图6为图5中阵列基板对应的电路示意图。如图5和图6所示，本实施例阵列基板包括基板21，以及在基板21上形成有横纵交叉的栅线22和数据线23，栅线22和数据线23限定的像素单元内设置有像素电极对和第一薄膜晶体管25，该第一薄膜晶体管25用于作为像素电极开关，控制各像素电极工作，即控制像素电极充放电，其中，控制位于同行的多个像素电极工作的第一栅线之前的第二栅线连接有第二薄膜晶体管26，第二薄膜晶体管沈的第二栅极与第二栅线连接，第二薄膜晶体管26的第二源极和第二漏极分别与位于同行的多个像素电极中相邻的两个像素电极连接，且每个像素电极仅与一个第二薄膜晶体管连接。本实施例中，第二薄膜晶体管沈可在与其连接的栅线即第二栅线的控制下打开或关闭，且当第二薄膜晶体管沈打开，即第二薄膜晶体管沈的第二栅极通有电压时，与其连接的相邻两个像素电极电连通，由于TFT-LCD工作时相邻两个像素电极上的电压极性相反，因此，第二薄膜晶体管沈打开时可使得相邻两个像素电极电压中和，实现对像素电极的预充电，可有效节省对像素电极充电时的外界本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种阵列基板，包括：交叉形成在基板上的栅线和数据线，栅线和数据线限定的像素单元内设置有像素电极和作为像素电极开关的第一薄膜晶体管；其特征在于，控制位于同行的多个像素电极工作的第一栅线之前的第二栅线连接有第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的第二栅极与所述第二栅线连接，所述第二薄膜晶体管的第二源极和第二漏极分别与所述位于同行的多个像素电极中相邻的两个像素电极连接，且每个像素电极仅与一个第二薄膜晶体管连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：秦纬，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11