包括无源组件电容器的半导体器件及制造方法技术

本发明专利技术涉及包括无源组件电容器的半导体器件及制造方法。一种半导体器件，包括具有正面和背面的晶圆。晶圆由具有与晶圆正面共面的电连接正面和与晶圆背面共面的背面的至少一个集成电路芯片形成。包括至少一个导电板和介电板的无源组件与集成电路芯片相邻布置。封装块嵌入有集成电路芯片和无源组件，该块具有与晶圆正面共面的正面和与晶圆背面共面的背面。在电连接正面与无源组件之间制作电连接。该电连接包括布置在晶圆正面和晶圆背面上的连接线。电连接进一步包括穿过封装块的至少一个通孔。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件领域。
技术介绍
制作在多个位置包括嵌入封装材料中的集成电路芯片的重构晶圆并对这些晶圆进行划片以形成单独半导体器件是已知的。然而，尤其是由于诸如当前所使用的电容器的形状和电连接装置，目前还不可能将这些电容器集成到晶圆中的芯片附近。
技术实现思路
提供一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括在载体的接纳表面的至少一个位置中布置至少一个集成电路芯片的电连接正面和包括由形成电容器的介电板分开的导电板的无源组件的正面；在所述接纳表面上形成封装材料层，以便在所述位置中获得包括封装块的晶圆，所述芯片和所述无源组件嵌入所述封装块中，并且所述封装层具有包括所述芯片的正面和所述无源组件的正面的正面；然后选择性地将所述导电板中的至少一些导电板连接至所述芯片，使得所述电容器中的至少一些电容器连接至所述芯片。因此，可以预先制造具有简单结构的无源组件，以将其集成到封装块中，然后当制作到芯片的电连接时，根据需要形成一个或多个电容器。该方法可以包括在所述晶圆的正面上形成至少一个前电连接走线。该方法可以包括在所述晶圆的背面上形成至少一个后电连接走线，并且形成通过所述晶圆的电连接通孔，并在所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种用于制造半导体器件的方法，包括：在载体的接纳表面上的至少一个位置中布置至少一个集成电路芯片的电连接正面和包括用于形成电容器的至少一个导电板和介电板的至少一个无源组件的正面；在所述接纳表面上形成封装材料层，以便在所述位置中获得包括封装块的晶圆，所述芯片和所述无源组件被嵌入所述封装块中，并且所述封装块具有包括所述芯片的正面和所述无源组件的正面的正面；然后选择性地将所述至少一个导电板连接至所述芯片，使得所述电容器连接至所述芯片。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：洛朗·马雷夏尔，伊冯·因布斯，罗曼·科菲，
申请(专利权)人：ST微电子格勒诺布尔二有限公司，
类型：发明
国别省市：FR