本实用新型专利技术涉及一种真空隔绝室密封装置，用于真空隔绝室的密封，真空隔绝室一侧壁上具有开口，该侧壁为封接面壁，开口边缘上设有密封件，该真空隔绝密封装置包括隔绝门，所述隔绝门由导磁材料制成，所述真空隔绝室的封接面壁上设有电磁石。在密闭真空隔绝室时，磁铁吸力吸住隔绝门使隔绝门完全贴合封接面壁，抽真空时处于密封状态，气体不会渗入。所述真空隔绝室密封装置具有结构简单，密封效果好，成本低的优点。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种真空隔绝室密封装置。
技术介绍
真空隔绝室(又称“加载互锁真空室”)(load lock chamber)，其结构如图1所示， 该真空隔绝室的一侧壁开口，所述侧壁称之为封接面壁Ksealing surface wall)，该开口的大小小于侧壁，为了实现真空隔绝室的密封，在封接面壁外侧设有隔绝门2(load lock door)以及隔绝门外壳3，为了保证密封效果，通常在封接面壁的开口边缘上设有密封件 11，例如用橡胶材料包裹在封接面壁1的开口处。以上真空隔绝室容易受到外界环境的影响，具体压力梯度(例如，隔绝门外部的大气压力和/或隔绝门内部的压力)可引起隔绝门 2的顶部和底部运动并且从而引起隔绝门2的运动，所述运动可引起密封件11、封接面壁1 与隔绝门2之间的摩擦。这样的摩擦可使密封件11磨损产生漏处，外部气体渗入真空隔绝室，引入真空隔绝室缺陷的微粒并且真空隔绝室抽真空不完全。为了改善以上状况，现有技术在隔绝门2与外壳3之间增设气囊4，所述气囊4由橡胶材料制成，通过气囊4的压力压在隔绝门2上，使得隔绝门2完全贴合封接面壁1，处于密封状态，真空隔绝室抽真空后，由外部的大气压压迫隔绝门2，其不足之处在于，真空隔绝室内频繁的电解气使气囊4吹出或表面不对称以及气囊4膨胀次数多了后气囊4各处伸缩性不一致，造成气囊4在隔绝门2上的压力不对称，压力不足，增设气囊4的真空隔绝室在此情况下亦会由于压力梯度引起隔绝门2运动，此运动可引起密封件11、封接面壁1与隔绝门2之间的摩擦。这样的摩擦使密封件11磨损，真空隔绝腔室产生漏处且气囊4的压力不足以使隔绝门2完全贴合在封接面壁1上，外部气体渗入真空隔绝室，引入真空隔绝室缺陷的微粒并且真空隔绝室抽真空不完全。所述情况下需更换新的厚的气囊4，以达到隔绝门2 合适的压力，使隔绝门2完全贴合在封接面壁1上，所述隔绝门2外的气囊4使用寿命短， 成本高，且需大量的劳动力进行更换。
技术实现思路
本技术为了克服现有技术的不足，提供一种结构简单，成本低的真空隔绝室密封装置。本技术的技术方案如下该真空隔绝室密封装置，用于真空隔绝室的密封，真空隔绝室一侧壁上具有开口，该侧壁为封接面壁，开口边缘上设有密封件，该真空隔绝密封装置包括隔绝门，其特殊之处在于，所述隔绝门由导磁材料制成，所述真空隔绝腔室的封接面壁上设有电磁石。作为优选所述电磁石呈对边和/或对角对称分布。作为优选所述密封件由橡胶材料制成。与现有技术相比，本技术具有结构简单、成本低、无需频繁更换、减少劳动力， 提高生产效率的优点。附图说明图1为现有技术的主视图。图2为现有技术的左视图。图3为本技术的主视图。图4为本技术的左视图。具体实施方式本技术下面将结合附图作进一步详述如图1和图2所述，现有的真空隔绝室密封装置，用于真空隔绝室的密封，真空隔绝室一侧壁上具有开口，该侧壁为封接面壁1，开口边缘上设有密封件11，该真空隔绝密封装置包括隔绝门2，隔绝门2固定在通过轴承转动移动的外壳3上，隔绝门2与外壳3之间固设有气囊4，真空隔绝室密封装置在关闭隔绝门2时，通过气囊4的压力压在隔绝门2上， 使得隔绝门2完全贴合封接面壁1，处于密封状态，真空隔绝室抽真空后，由外部的大气压压迫隔绝门2，但是真空隔绝室内频繁的电解气使气囊4吹出或表面不对称，所述气囊4膨胀次数多了后，气囊4各处伸缩性不一致，气囊4在隔绝门2上的压力不对称、压力不足，真空隔绝室密封装置在此情况下由于压力梯度亦会引起隔绝门2的运动，所述运动可引起密封件11、封接面壁1与隔绝门2之间的摩擦。这样的摩擦可使密封件11磨损产生漏处，外部气体渗入真空隔绝室，引入真空隔绝室缺陷的微粒并且真空隔绝室不能完全抽真空。所述情况下需更换新的厚的气囊4，以达到隔绝门2合适的压力，所述隔绝门2外的气囊4使用寿命短，成本高，且需大量的劳动力。请参阅图3和图4所示，在本实施例中，该真空隔绝室密封装置，真空隔绝室一侧壁上具有开口，该侧壁为封接面壁1，开口边缘上设有密封件11，该真空隔绝密封装置包括隔绝门2，隔绝门2固定在通过轴承转动移动的外壳3上，所述隔绝门2由导磁材料制成， 所述封接面壁1上且位于密封件11外侧设有电磁石12。所述电磁石12呈对边对称分布。 所述电磁石12还可呈对角对称分布，所述电磁石12还可呈对边对角对称分布。所述密封件11由橡胶或金属材料制成，能适用于不同的真空隔绝室。以上所述仅为本技术的较佳实施例，凡依本技术权利要求范围所做的均等变化与修饰，皆应属本技术权利要求的涵盖范围。权利要求1.一种真空隔绝室密封装置，用于真空隔绝室的密封，真空隔绝室一侧壁上具有开口， 该侧壁为封接面壁，开口边缘上设有密封件，该真空隔绝密封装置包括隔绝门，其特征在于所述隔绝门由导磁材料制成，所述真空隔绝室的封接面壁上设有电磁石。2.根据权利要求1所述的真空隔绝室密封装置，其特征在于所述电磁石呈对边和/ 或对角对称分布。3.根据权利要求1所述的真空隔绝室密封装置，其特征在于所述密封件由橡胶材料制成。专利摘要本技术涉及一种真空隔绝室密封装置，用于真空隔绝室的密封，真空隔绝室一侧壁上具有开口，该侧壁为封接面壁，开口边缘上设有密封件，该真空隔绝密封装置包括隔绝门，所述隔绝门由导磁材料制成，所述真空隔绝室的封接面壁上设有电磁石。在密闭真空隔绝室时，磁铁吸力吸住隔绝门使隔绝门完全贴合封接面壁，抽真空时处于密封状态，气体不会渗入。所述真空隔绝室密封装置具有结构简单，密封效果好，成本低的优点。文档编号H01L21/00GK202142507SQ20112025585公开日2012年2月8日 申请日期2011年7月19日 优先权日2011年7月19日专利技术者徐磊 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种真空隔绝室密封装置，用于真空隔绝室的密封，真空隔绝室一侧壁上具有开口，该侧壁为封接面壁，开口边缘上设有密封件，该真空隔绝密封装置包括隔绝门，其特征在于：所述隔绝门由导磁材料制成，所述真空隔绝室的封接面壁上设有电磁石。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐磊，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。