【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种。
技术介绍
制造垂直结构发光二极管，通常方法是在蓝宝石基板上生长磊晶层，再用电镀或者键合等方法将导电和导热性能良好的金属或者半导体衬底材料与该磊晶层相接合以作为磊晶层新的基板，再利用激光剥离技术或研磨的方法把磊晶层和蓝宝石基板分离。由于当今的技术日趋大面积晶片的应用，若利激光剥离技术存在两个问题一是设备成本、营运费用较高，导致加工成本增加；二是激光剥离技术因使用激光的高能量破坏磊晶层与蓝宝石基板的界面容易导致发光二极管的性能劣化，产生的应力也容易使磊晶层破裂。另外，激光点的大小也会影响处理时间，并不适合用于大面积晶片。而物理研磨的技术与前述激光剥离技术比较，其成本及制造时间相对会下降，也无需考虑晶片大小的问题，但是在研磨过程中，研磨机不易区分基板与磊晶层之间的界面，很容易破坏到磊晶层。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种良品率较高的发光二极管制造方法，可同时应用在不同尺寸的晶圆上。一种，包括下列步骤提供一第一基板；在所述第一基板上生成一研磨阻止层，该研磨阻止层的硬度大于第一基板的硬度；在所述研磨阻止层上生长一发光二极管磊...
【技术保护点】
１．一种发光二极管的制造方法，包括下列步骤：提供一第一基板；在所述第一基板上生成一研磨阻止层，该研磨阻止层的硬度大于第一基板的硬度；在所述研磨阻止层上生长一发光二极管磊晶层；在所述发光二极管磊晶层上接合一第二基板；研磨掉所述第一基板。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：洪梓健，沈佳辉，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94
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