一种切割硅片的切割线制造技术

技术编号:7079723 阅读:235 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供了一种切割硅片的切割线,包括线体,其中,所述线体外周面包覆耐磨层,本发明专利技术由于所述线体外周面包覆耐磨层,避免线体被磨损或部分被磨损,本发明专利技术可同时切割多片硅片,出品率高,硅片表面质量较高,不容易出现崩片的现象,不仅解决的硅片材料的浪费问题,而且解决了切割线容易磨损,使用寿命短的问题,且本发明专利技术方便冷却液的冷却,避免砂浆对环境造成污染,提高了环保性能;延长了本发明专利技术的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种切 割线,特别涉及切割硅片用的切割线,属于硅片切割设备的

技术介绍
随着社会的发展,太阳能光伏产业的成熟,硅片的使用越来越多。由于硅片属于硬性材料,其切割工艺在加工工艺中占有很重要的位置。传统的硅片切割采用钢片切割的方式,该切割方式存在切缝较宽、出材率低、面形精度差且表面损伤层深等缺陷。为了解决上述问题,近来出现了线切割,通过切割线供应带有磨料的砂浆,通过磨料、切割线及硅晶体之间的磨料磨损原理实现硅片的切割,该方式可实现多片硅片的切割,切割效率高,且硅片表面质量好,但由于是磨料与切割丝之间有较多的摩擦,切割丝的使用寿命较短。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种使用寿命长、结构简单的切割硅片的切割线。为了解决上述技术问题,本专利技术一种切割硅片的切割线,包括线体,其中,所述线体外周面包覆耐磨层。上述一种切割硅片的切割线,其中,所述耐磨层的厚度为l-3um。上述一种切割硅片的切割线,其中,所述耐磨层为耐磨陶瓷层。本专利技术由于所述线体外周面包覆耐磨层,避免线体被磨损或部分被磨损,本专利技术可同时切割多片硅片,出品率高,硅片表面质量较高,不容易出现崩片的现象,不仅解决的硅片材料的浪费问题,而且解决了切割线容易磨损,使用寿命短的问题,且本专利技术方便冷却液的冷却,避免砂浆对环境造成污染,提高了环保性能;延长了本专利技术的使用寿命。附图说明图1是本专利技术的结构示意图。 具体实施例方式下面结合附图对本专利技术作进一步说明。如图所示,为了解决上述技术问题,本专利技术一种用于硅片切割的切割线,包括线体 1,所述线体1外周面包覆耐磨层2,耐磨层2不受限制,可由耐磨涂料涂敷形成,也可由耐磨陶瓷涂料加工而成。耐磨陶瓷涂料是一种非金属胶凝材料,它是采用耐酸和耐碱的人工合成原料经严格的工艺配比和先进的无机聚合技术制成的一种粉状陶瓷材料。在施工现场, 将特制液体无机胶水加入这种材料,采用人工或机械方式涂抹在线体1表面,经过一系列的化学反应,在常温下3d后达到陶瓷的结合强度和硬度,耐磨涂料其主要耐磨骨料、超微粉体和无机聚合物分散液组合而成,涂料固化后形成,本专利技术由于所述线体1外周面包覆耐磨层2,避免线体1被磨损或部分被磨损,本专利技术可同时切割多片硅片,出品率高,硅片表面质量较高,不容易出现崩片的现象,不仅解决的硅片材料的浪费问题,而且解决了切割线容易磨损,使用寿命短的问题,所述耐磨层2的厚度不受限制,本实施例中优选耐磨层2厚度为l_3um。 本
中的普通技术人员应当认识到,以上的实施例仅是用来说明本专利技术的目的,而并非用作对本专利技术的限定,只要在本专利技术的实质范围内,对以上所述实施例的变化、变型都将落在本专利技术的权利要求的范围内。权利要求1.一种切割硅片的切割线,包括线体,其特征在于,所述线体外周面包覆耐磨层。2.如权利要求1所述一种切割硅片的切割线,其特征在于,所述耐磨层的厚度为 l-3um。3.如权利要求1所述一种切割硅片的切割线,其特征在于,所述耐磨层为耐磨陶瓷层。全文摘要本专利技术提供了一种切割硅片的切割线,包括线体,其中,所述线体外周面包覆耐磨层,本专利技术由于所述线体外周面包覆耐磨层,避免线体被磨损或部分被磨损,本专利技术可同时切割多片硅片,出品率高,硅片表面质量较高,不容易出现崩片的现象,不仅解决的硅片材料的浪费问题,而且解决了切割线容易磨损,使用寿命短的问题,且本专利技术方便冷却液的冷却,避免砂浆对环境造成污染,提高了环保性能;延长了本专利技术的使用寿命。文档编号B28D5/04GK102328352SQ20111016658公开日2012年1月25日 申请日期2011年6月20日 优先权日2011年6月20日专利技术者聂金根 申请人:镇江市港南电子有限公司本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种切割硅片的切割线,包括线体,其特征在于,所述线体外周面包覆耐磨层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:聂金根
申请(专利权)人:镇江市港南电子有限公司
类型:发明
国别省市:32

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