【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
１．一种图像传感器，形成于带有绝缘埋层的半导体衬底上，所述衬底自上而下包括顶层半导体层、绝缘层、支撑衬底，其特征在于：所述图像传感器的像素单元电路包括感光结构和像素读出电路，所述感光结构和所述像素读出电路都形成于所述顶层半导体层上、且所述像素读出电路具有间隔的形成于所述感光结构旁侧；所述感光结构包括横向排列且呈包围式结构的四个掺杂区，各相邻所述掺杂区之间形成接触连接；各所述掺杂区由内到外依次为第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区和第四掺杂区；所述第一掺杂区和所述第三掺杂区都为第一半导体类型掺杂，所述第二掺杂区和所述第四掺杂区都为第二半导体类型掺杂。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：强文华，汪辉，陈杰，汪宁，田犁，尚岩峰，
申请(专利权)人：上海中科高等研究院，
类型：发明
国别省市：31
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