一种TFT阵列基板、液晶面板及显示设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种TFT阵列基板、液晶面板及显示设备，在TFT阵列基板中各膜层的周围增加调整显影液流动方式的图案；如此，使得显影工艺中去除显影液时，显影液流经该图案而改变流动方式，能够改善非均匀流向导致的显影液浓度不均的问题，保证在去除显影液时，显影液在整个TFT阵列基板的流动方向分布更加均匀，从而减小甚至避免TFT阵列基板在进行显影工艺时出现的显影Mura，提高了产品品质和良率。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及液晶显示器的显影技术，尤其涉及一种薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)阵列基板、液晶面板以及显示设备。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD，ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。 一般的，液晶显示设备由液晶面板、驱动电路和背光源三部分组成，其中，液晶面板一般包括TFT阵列基板、彩膜基板以及填充其间的液晶。TFT阵列基板一般包含三个制造过程沉膜工艺、曝光工艺和刻蚀工艺。在曝光工艺中，TFT阵列基板(一般为同一块母板上的多个TFT阵列基板)分别经过清洗、涂胶、前烘、曝光、显影和后烘共六个工艺步骤，其中最为重要的是涂胶、曝光和显影三个工艺。当 TFT阵列基板进入显影流程时，首先利用喷淋的方式在曝光结束后的TFT阵列基板上均勻喷洒显影液，然后在显影槽中等候一定的时间，使得显影液与光刻胶充分反应，紧接着将显影液从TFT阵列基板上去除掉再进入显影清洗单元，在显影清洗单元利用纯水冲洗显影后的TFT阵列基板，最后利用气刀将TFT阵列基板上的显影液吹干，结束显影流程。TFT阵列基板，以传统的5mask为例，一般包括栅金属层、有源层、源漏金属层、钝化层、像素电极等膜层。上述每一个膜层的制造(指最终该膜层图案的形成)，都要经过如上所述的沉膜工艺、曝光工艺和刻蚀工艺等3个制造过程，因此，每一个膜层都要经过显影液去除这一工艺流程。在TFT阵列基板生产过程中，一般是多个TFT阵列基板位于同一块玻璃母板上，同时进行制造流程，制造完成后进行切割处理形成独立的TFT阵列基板。如图1所示，一块母板1上包括8个TFT阵列基板2。在中小世代线上，如5代线以下的世代线上，在整个母板 1的所有TFT阵列基板2上均勻喷洒显影液，在去除显影液时，一般采用将母板1 一端升高倾斜的方式去除显影液，如图2所示，母板1按方向6升高倾斜后，显影液沿着方向4经光刻胶5流出，然而，此时显影液在TFT阵列基板上会产生一种非均勻的流向，这种非均勻的流向是由于显影液中添加剂产生的张力以及显影液中有机物的浓度不稳定产生的。该非均勻流向导致显影液浓度不均，最终会导致该TFT阵列基板上显影后的光刻胶5关键尺寸不均勻，从而使得最终产品的亮度显示不均勻，如图3所示，出现显影Mura 7。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的主要目的在于提供一种TFT阵列基板、液晶面板以及显示设备，能够让显影液在整个TFT阵列基板上的分布更加均勻，从而减小甚至避免玻璃基板在进行显影工艺时出现的显影Mura。为达到上述目的，本技术的技术方案是这样实现的本技术提供的一种TFT阵列基板，在TFT阵列基板中各膜层的周围具有调整显影液流动方式的图案。上述方案中，所述调整显影液流动方式的图案的宽度为1 5mm。上述方案中，所述调整显影液流动方式的图案为波浪状的图案、或密集的过孔图案、或斜纹图案。上述方案中，所述TFT阵列基板中各膜层的周围具有不同形状的调整显影液流动方式的图案。上述方案中，所述TFT阵列基板具体包括在栅金属层的周围具有波浪状的图案；在过孔层的周围具有密集的过孔图案；在像素电极层的周围具有斜纹图案。上述方案中，所述TFT阵列基板中同一膜层的周围具有不同形状的调整显影液流动方式的图案。上述方案中，所述TFT阵列基板的栅金属层的周围具有不同形状的调整显影液流动方式的图案。本技术提供的一种液晶面板，包括上述的TFT阵列基板。本技术提供的一种显示设备，包括所述的液晶面板。本技术提供了一种TFT阵列基板、液晶面板以及显示设备，该TFT阵列基板中栅金属层等各膜层的周围具有调整显影液流动方式的图案；如此，使得显影工艺中去除显影液时，显影液流经该图案而改变流动方式，能够改善非均勻流向导致的显影液浓度不均的问题，保证在去除显影液时，显影液在整个TFT阵列基板的流动方向分布更加均勻，从而减小甚至避免TFT阵列基板在进行显影工艺时出现的显影Mura，提高了产品品质和良率。附图说明图1为现有技术中TFT阵列基板的结构示意图；图2为现有技术中TFT阵列基板去除显影液的原理示意图；图3为现有技术中TFT阵列基板制程中去除显影液后出现显影Mura的示意图；图4为本技术实施例中TFT阵列基板的结构示意图；图5为本技术实施例中给出的调整显影液流动方式的图案的示意图。具体实施方式本技术的基本思想是在TFT阵列基板中各膜层的周围增加调整显影液流动方式的图案。下面通过附图及具体实施例对本技术做进一步的详细说明。本技术实现的TFT阵列基板，如图4所示，在TFT阵列基板2各膜层的周围具有调整显影液流动方式的图案8，在显影工艺中去除显影液时，显影液流经该图案8而改变流动方式，能够改善非均勻流向导致的显影液浓度不均的问题，保证在去除显影液时，显影液在整个TFT阵列基板的流动方向分布更加均勻。这里，所述调整显影液流动方式的图案，一般是与TFT阵列基板中各膜层的原有的功能性图案一起形成，通过沉积、曝光和蚀刻工艺将调整显影液流动方式的图案形成在TFT阵列基板中各膜层的周围；这里，所述原有的功能性图案包括过孔、沟道等。所述调整显影液流动方式的图案的宽度一般在1 5mm。所述调整显影液流动方式的图案，可以是如图5所示的波浪状的图案9、或密集的过孔图案10、或斜纹图案11，等等。凡是类似于上述的能够实现调整显影液流动方式的图案，都可以使用于本技术的技术方案之中。进一步的，在TFT-IXD阵列基板中各膜层的周围具有不同形状的调整显影液流动方式的图案，包括在栅金属(Gate)层的周围增加波浪状的图案；在过孔(Via)层的周围增加密集的过孔图案；在像素电极(ITO)层的周围增加斜纹图案。进一步的，在TFT-IXD阵列基板中同一膜层的周围具有不同形状的调整显影液流动方式的图案，例如在栅金属层的周围具有波浪状和斜纹的图案；更进一步地，图案在膜层周围的位置也可以进行不同设置，比如，波浪状的图案位于TFT阵列基板的一对对边，斜纹图案位于另一对对边，或者，在像素电极层的周围增加波浪状的图案、斜纹图案和密集的过孔图案，该膜层的周围的三边为上述三种图案，第四边为上述三种图案中的一种或其他可以实现调整显影液流动方式的图案。以上仅为一部分设置方法，在同一膜层的周围具有不同形状的调整显影液流动方式的图案的技术方案，均不脱离本技术的设计思想。以上所述的各膜层的周围，具体而言，是指各膜层的周边的非显示区域。本技术实施例还提供一种液晶面板，该面板使用了上述的具有调整显影液流动方式的图案的TFT阵列基板。进一步地，本技术实施例还提供一种显示设备，该显示设备包括上述液晶面板。所述显示设备，可以为手机、笔记本电脑、平板电脑、液晶显示器、监视器等具有显示功能的设备。本技术中，通过在TFT阵列基板中各膜层的周围增加调整显影液流动方式的图案，使得在显影工艺中去除显影液时，TFT阵列基板中各膜层的显影液浓度分布更加均勻，从而使得最终制成的TFT阵列基板的内部显影检视关键尺寸(DI⑶，Develop-Inspect CD)的均勻度不受影响，改善及避免显影工本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种薄膜晶体管ＴＦＴ阵列基板，其特征在于，在ＴＦＴ阵列基板中各膜层的周围具有调整显影液流动方式的图案。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：惠官宝，张峰，周伟峰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：11