研磨头和研磨装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及研磨头和研磨装置，该研磨头包括本体、膜、定位环、环形槽、液体喷嘴和液体输送管；所述膜吸附住待研磨晶圆，所述定位环的内侧壁与所述待研磨晶圆的边沿之间设有间隙；所述环形槽设置在所述本体远离所述研磨垫的一端；所述液体喷嘴设置在所述环形槽靠近所述本体的一端，所述液体喷嘴穿过所述本体、在所述间隙内伸出；所述液体输送管设置在所述本体上方。本实用新型专利技术的研磨头和研磨装置可节省研磨液的用量，降低半导体器件的制造成本。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制造技术，尤其涉及一种研磨头和研磨装置。
技术介绍
化学机械平坦化(chemical mechanical polish, CMP)技术是半导体制造业中常用的平坦化技术。如图1所示，化学机械平坦化工艺所使用的化学机械研磨装置包括研磨平台(platen)、粘附于所述研磨平台上的研磨垫(pad) 11、研磨头(polishing head) 12和研磨液输送管13，所述研磨液输送管13设置在所述研磨头12的一侧，即所述研磨液输送管 13与所述研磨头12分开设置。进行化学机械研磨时，所述研磨平台旋转，带动所述研磨垫 11 一起旋转(如图1中的粗箭头所示)，所述研磨液输送管13向所述研磨垫11喷射研磨液，并通过所述研磨垫11旋转产生的离心力使所述研磨液均勻地分布在所述研磨垫11上， 所述研磨头12吸附住要研磨的晶圆，并将所述晶圆的待研磨面压在所述研磨垫11的研磨表面上，所述研磨头12带动所述晶圆一起旋转(如图1中的细箭头所示)，通过所述晶圆的待研磨面与所述研磨垫11的研磨表面之间的相对运动将所述晶圆的待研磨面平坦化。图2所示为所述研磨头12的结构示意图，所述研磨头12具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种研磨头，包括本体、膜和定位环，所述膜吸附住待研磨晶圆，所述定位环的内侧壁与所述待研磨晶圆的边沿之间设有间隙，其特征在于，该研磨头还包括环形槽、液体喷嘴和液体输送管；所述环形槽设置在所述本体远离研磨垫的一端；所述液体喷嘴设置在所述环形槽靠近所述本体的一端，所述液体喷嘴穿过所述本体、在所述间隙内伸出；所述液体输送管设置在所述本体上方。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈枫，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31