【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于硅太阳电池领域，尤其涉及一种表面织构的太阳电池硅用半导体基片 及其制备方法。
技术介绍
表面织构(也称光陷阱或制绒)是太阳电池生产过程中的一项关键技术之一，其 作用是降低半导体基体受光面上的光反射率，提高光入射率。目前，对太阳电池的硅半导体 基体进行表面织构的方法有化学腐蚀、电化学腐蚀、机械刻蚀、光刻蚀、等离子刻蚀。硅的电化学腐蚀(或称阳极氧化)是在高浓度的HF中或其它缺乏OH-的溶液中 进行，在硅上施加阳极电化学偏置，则硅在腐蚀过程中不能完全氧化，而在表面产生一层无 光泽的黑色、棕色或红色的多孔硅层。这种方法既保持了各向异性腐蚀的优点，又避免了被 腐蚀材料掺杂浓度高和内应力大等缺点而受到广泛的重视。电化学腐蚀法存在的问题之一是，尚需对其工艺进一步优化，以使腐蚀后的半导 体基体表面的光反射率更低。
技术实现思路
为解决电化学腐蚀法得到的硅半导体基体表面的光反射率仍较高的技术问题，本 专利技术首先提供一种表面织构的太阳电池用硅半导体基片，其受光面上有不规则凹凸结构， 所述不规则凹凸结构的凹部的最大深度与其最大直径之比的平均值为0. 2 0. 5。为解决电...
【技术保护点】
１．一种表面织构的太阳电池用硅半导体基片，其织构结构是不规则凹凸结构，其特征在于，所述不规则凹凸结构的凹部的最大深度与其最大直径之比的平均值为０．２～０．５。
【技术特征摘要】
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