下载一种表面织构的太阳电池用半导体基片及其制备方法的技术资料

文档序号:6993744

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本发明首先提供一种表面织构的太阳电池用半导体基片的制备方法:将未经过表面织构的硅半导体基片放在电解液中,以10~30mA/cm2的电流密度,在15~30℃下阳极氧化腐蚀50~90分钟;所述电解液包括氢氟酸、有机添加剂,物质的量比氢氟酸∶有机...
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