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一种表面织构的太阳电池用半导体基片及其制备方法技术
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文档序号:6993744
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本发明首先提供一种表面织构的太阳电池用半导体基片的制备方法:将未经过表面织构的硅半导体基片放在电解液中,以10~30mA/cm2的电流密度,在15~30℃下阳极氧化腐蚀50~90分钟;所述电解液包括氢氟酸、有机添加剂,物质的量比氢氟酸∶有机...
该专利属于比亚迪股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过比亚迪股份有限公司授权不得商用。
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