本发明专利技术提供了一种倾斜感测器，包括本体、发光二极管、第一感光元件、第二感光元件及移动件。本体适于在多个倾斜方向上倾斜。发光二极管配置于本体，并适于提供光束。第一感光元件配置于本体，并位于发光二极管的对向位置，以使光束直接传递至第一感光元件。第二感光元件配置于本体，并位于发光二极管的一侧。移动件配置于本体。当本体往不同的倾斜方向倾斜时，移动件会往不同的倾斜方向移动，而使发光二极管的光束直接传递至第一感光元件，或遮挡发光二极管的光束传递至第一感光元件与第二感光元件至少其一，或反射发光二极管的光束而传递至第二感光元件。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种感测器，且特别涉及一种倾斜感测器。
技术介绍
一般来说，市面上的倾斜感测器多为两相感应，即其仅可感应两个倾斜方向，且其 体积通常较为庞大。对于现今消费性电子产品，如手机，讲求轻薄短小的特点，传统的倾斜 感测器便较难应用于其上。此外，若欲使用四相感应的倾斜感测器，其中四相例如是指上下左右的方向，通常 需要两组两相感应器的搭配。然而，如此一来，便无法有效地达到降低成本、缩小体积以及 缩减制程步骤的目的。因此，如何设计一种尺寸极小、成本低廉以及可适用于轻薄及低成本的消费电子 产品上的倾斜感测器，实为目前一项重要的课题。
技术实现思路
本专利技术提供一种倾斜感测器，其可感测多个倾斜方向，并具有尺寸薄、成本低及制 程容易的优点。本专利技术提出一种倾斜感测器，其包括本体、发光二极管、第一感光元件、第二感光 元件以及移动件。本体适于在多个倾斜方向上倾斜。发光二极管配置于本体，并适于提供 光束。第一感光元件配置于本体，并位于发光二极管的对向位置，以使光束直接传递至第一 感光元件。第二感光元件配置于本体，并位于发光二极管的一侧。移动件配置于本体，其中 当本体往不同的倾斜方向倾斜时，移动件会往不同的倾斜方向移动，而使来自发光二极管 的光束直接传递至第一感光元件，或遮挡来自发光二极管的光束传递至第一感光元件与第 二感光元件至少其一，或反射来自发光二极管的光束而传递至第二感光元件。在本专利技术的一实施例中，第一感光元件相对于第二感光元件。另外，本体包括移动 区、第一容置区、第二容置区以及第三容置区。移动件位于移动区内。第一容置区具有第一 开口，其中发光二极管位于第一容置区内，且第一容置区通过第一开口与移动区连通。第二 容置区具有第二开口，其中第一感光元件位于第二容置区内，且第二容置区通过第二开口 而与移动区连通。第三容置区具有第三开口，其中第二感光元件位于第三容置区内，且第三 容置区通过第三开口而与移动区连通。在本专利技术的一实施例中，发光二极管的光束会通过 第一开口而直接传递至第一感光元件，或被移动件反射而传递至第二感光元件。在本专利技术的一实施例中，倾斜感测器还包括第三感光元件，配置于本体，并位于发 光二极管的另一侧。第二感光元件位于第三感光元件的对向位置。在本专利技术的一实施例中， 本体包括移动区、第一容置区、第二容置区、第三容置区以及第四容置区。移动件位于移动 区内。第一容置区具有第一开口，其中发光二极管位于第一容置区内，且第一容置区通过第 一开口与移动区连通。第二容置区具有第二开口，其中第一感光元件位于第二容置区内，且 第二容置区通过第二开口而与移动区连通。第三容置区具有第三开口，其中第二感光元件位于第三容置区内，且第三容置区通过第三开口而与移动区连通。第四容置区具有第四开 口，其中第三感光元件位于第四容置区内，且第四容置区通过第四开口而与移动区连通。在 本专利技术的一实施例中，发光二极管的光束会通过第一开口而直接传递至第一感光元件，或 光束会被移动件反射而传递至第二感光元件与第三感光元件至少其一。在本专利技术的一实施例中，本体具有基板与壳体。壳体配置于基板上，且壳体具有凹 陷结构，与基板定义出移动区、第一容置区、第二容置区、第三容置区与第四容置区。在本发 明的一实施例中，移动件的尺寸大于第一开口、第二开口、第三开口与第四开口的宽度。在本专利技术的一实施例中，发光二极管为侧射型发光二极管，且光束为红外光。第一 感光元件与第二感光元件为光二极管或光电晶体。在本专利技术的一实施例中，发光二极管、第一感光元件与第二感光元件固晶于同一 平面上。在本专利技术的一实施例中，移动件为滚珠，且滚珠的大小实质上小于等于0.5mm大 于 0. 1mm。在本专利技术的一实施例中，倾斜感测器可通过感光元件接受光束的状态，即可反推 倾斜感测器是往何种倾斜方向倾斜。此外，由于移动件是采用小于等于0. 5mm大于0. Imm 的厚度，且发光二极管与感光元件是固晶于同一平面上，因此倾斜感测器具有尺寸较薄的 优点。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举多个实施例，并配合附图， 作详细说明如下。附图说明图1为本专利技术第一实施例的倾斜感测器用于感测不同倾斜方向的示意图；图2为本专利技术第二实施例的倾斜感测器用于感测不同倾斜方向的示意图。附图中主要元件符号说明1、2、3,4-状态 100、200-倾斜感测器；110、210-本体 112、211_移动区；114、213-第一容置区；lHa、213a_ 第一开口116、215-第二容置区；116a、215a_ 第二开口118、217-第三容置区；118a、217a_ 第三开口120、220-发光二极管；122,222-光束；130、230-第一感光元件140J40-第二感光150、250-移动件；219-第四容置区；219a-第四开口；洸0_第三感光元件；P1、P2、P3、P4_ 倾斜方向。具体实施例方式图1为本专利技术第一实施例的倾斜感测器用于感测不同倾斜方向的示意图。请参考 图1，本实施例的倾斜感测器100包括本体110、发光二极管120、第一感光元件130、第二感 光元件140以及移动件150。发光二极管120配置于本体110，并适于提供光束122。第一感光元件130配置于本体110，并位于发光二极管120的对向位置，以使光束122直接传递 至第一感光元件130。第二感光元件140配置于本体110，并位于发光二极管120的一侧。 在本实施例中，第一感光元件130相对于第二感光元件140，如图1所示。此外，发光二极管 120可以是一侧射型发光二极管，而光束122可以是一红外光。在本实施例中，第一感光元 件130与第二感光元件140可以是采用一光二极管或一光电晶体。本体110适于在多个倾斜方向P1、P2、P3、P4上倾斜。在本实施例中，本体110包 括一移动区112、一第一容置区114、一第二容置区116以及一第三容置区118。详细而言， 移动件150位于移动区112内。第一容置区114具有一第一开口 114a，其中发光二极管120 位于第一容置区114内，且第一容置区114通过第一开口 11 与移动区112连通。第二容 置区116具有一第二开口 116a，其中第一感光元件130位于第二容置区116内，且第二容置 区116通过第二开口 116a而与移动区112连通。第三容置区118具有一第三开口 118a，其 中第二感光元件140位于第三容置区118内，且第三容置区118通过第三开口 118a而与移 动区112连通。此外，上述的第二容置区116的第二开口 116a是与第三容置区118的第三开口 118a正相对的，如图1所示。在本实施例中，第一开口 IHa的宽度大于等于第一容置区114 的尺寸，第二开口 116a的宽度大于等于第二容置区116的尺寸，而第三开口 118a的宽度大 于等于第三容置区118的尺寸。 在本实施例中，上述的本体110可以包括有一基板(未示出)与一壳体(未示出)， 壳体配置于基板上，且壳体具有一凹陷结构(未示出)，以定义出上述的移动区112、第一容 置区114、第二容置区116与第三容置区118。详细而言，壳体可以是使用射出成型或冲压 成型技术来进行制作，而基板可以是一印刷电路板，其中当壳体制作完成后，再本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种倾斜感测器，包括：本体，适于在多个倾斜方向上倾斜；发光二极管，配置于本体，并适于提供光束；第一感光元件，配置于本体，并位于发光二极管的对向位置，以使光束直接传递至第一感光元件；第二感光元件，配置于本体，并位于发光二极管的一侧；以及移动件，配置于本体，其中当本体往不同的倾斜方向倾斜时，移动件会往本体倾斜方向移动，而使发光二极管的光束直接传递至第一感光元件，或遮挡发光二极管的光束传递至第一感光元件与第二感光元件至少其一，或反射发光二极管的光束而传递至第二感光元件。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赖律名，
申请(专利权)人：亿光电子工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71
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