一种非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法技术

本发明专利技术提供一种非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法，其工艺步骤为：A.衬底清洗；B.沉积金属下电极；C.光刻；D.干法刻蚀(下电极成型)；E.去胶清洗；F.磁控溅射(非晶碲镉汞光敏材料生长)；G.光刻；H.干法刻蚀(光敏面成型)；I.去胶清洗；J.光刻；K.干法刻蚀(表面清洁)；L.沉积金属上电极；M.剥离清洗(上电极金属成型)。通过上述制造方法，降低了制造成本，提高了焦平面探测器的可靠性，并使焦平面探测器具有较高的外量子效率，实现了非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
现有的混成式焦平面探测器采用铟柱互连技术或者金丝互连技术将探测器芯片 和读出电路进行连接，但是混成式互连结构的焦平面探测器，其读出电路和探测器芯片采 用不同的材料，晶格常数、热膨胀系数等材料参数不同，导致焦平面探测器工作时由于温度 的变化使探测器芯片和读出电路之间产生应力或应变，使焦平面探测器的可靠性降低，并 且其制造工艺复杂、制造成本高。针对现有混成式焦平面探测器互联技术存在的不足，在申请号为200910163261. 4 的专利技术专利申请中，申请人公开了一种新的非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器。
技术实现思路
针对申请人提出的申请号为200910163261. 4的非晶碲镉汞单片集成式焦平面探 测器，本专利技术提供一种制造非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法，以实现降低 成本，提高可靠性、并使焦平面探测器具有较高外量子效率的目的。本专利技术提供的非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法，通过以下工艺步 骤来实现A.衬底清洗；B.沉积金属下电极；C.光刻；D.干法刻蚀(下电极成型)；E.去 胶清洗；F.磁控溅射(非晶碲镉汞光敏材料生长)；G.光本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法，其特征在于通过以下工艺步骤来实现：Ａ．衬底清洗；Ｂ．沉积金属下电极；Ｃ．光刻；Ｄ．干法刻蚀；Ｅ．去胶清洗；Ｆ．磁控溅射；Ｇ．光刻；Ｈ．干法刻蚀；Ｉ．去胶清洗；Ｊ．光刻；Ｋ．干法刻蚀；Ｌ．沉积金属上电极；Ｍ．剥离清洗。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：史衍丽，庄继胜，余连杰，杨丽丽，孔令德，李雄军，莫镜辉，孙祥乐，
申请(专利权)人：昆明物理研究所，
类型：发明
国别省市：53