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一种非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法技术
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下载一种非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法的技术资料
文档序号:6987991
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本发明提供一种非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法,其工艺步骤为:A.衬底清洗;B.沉积金属下电极;C.光刻;D.干法刻蚀(下电极成型);E.去胶清洗;F.磁控溅射(非晶碲镉汞光敏材料生长);G.光刻;H.干法刻蚀(光敏面成型);I....
该专利属于昆明物理研究所所有,仅供学习研究参考,未经过昆明物理研究所授权不得商用。
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