半导体发光装置的制造方法制造方法及图纸

半导体发光装置的制造方法具备在含有半导体层、第一电极、第二电极、第一绝缘层的层叠体的第一绝缘层的第一开口部，形成第一布线层的工序，第一绝缘层具有与第二电极相连的第二开口部；在第一绝缘层的第二开口部形成第二布线层的工序；在与第一布线层上的第一电极相对的相反侧的面上，形成第一金属柱的工序；在与第二布线层的第二电极相对的相反侧的面上，形成第二金属柱的工序；在第一金属柱的侧面和第二金属柱的侧面之间形成第二绝缘层的工序；基于从第一主面侧得到的光的发光光谱，在选自多个半导体层的半导体层的第一主面上形成对于光呈透明的透明材料的工序；在透明材料上及多个半导体层的第一主面上，形成荧光体层的工序。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
公知有将LED (发光二级管)芯片和荧光体层组合而得到白色的半导体发光装置。 放出到外部的光的颜色(波长)依赖于发光层的发光波长、荧光体层的种类、厚度等。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供一种降低颜色偏差的。根据本专利技术的实施方式，具备在含有半导体层、第一电极、第二电极、第一绝缘层的层叠体中的上述第一绝缘层的第一开口部形成第一布线层的工序。上述半导体层包含基板、第一主面、在其相反侧形成的第二主面和发光层，并通过分离槽在上述基板上被分离成多个。上述第一电极设于与上述基板相对的相反侧的上述第二主面的具有上述发光层的区域。上述第二电极设于上述第二主面上。上述第一绝缘层设于上述半导体层的上述第二主面侧，具有与上述第一电极相连的第一开口部和与上述第二电极相连的第二开口部。另外，根据实施方式，具备在上述第一绝缘层的上述第二开口部形成第二布线层的工序。另外，根据实施方式，具备在上述第一布线层的与上述第一电极相对的相反侧的面上形成第一金属柱的工序。另外，根据实施方式，具备在上述第二布线层的与上述第二电极相对的相反侧的面上，形成第二金属柱的工序。另外，根据实施方式，具备在上述第一金属柱的侧面和上述第二金属柱的侧面之间形成第二绝缘层的工序。另外、根据实施方式，具备基于从上述第一主面侧得到的光的发光光谱，在从上述多个半导体层选出的半导体层的上述第一主面上，形成相对于上述光呈透明的透明材料的工序。另外，根据实施方式，具备在上述透明材料上及上述多个半导体层的上述第一主面上，形成荧光体层的工序。利用本专利技术的实施方式，可以提供降低了颜色偏差的。附图说明图1是第1实施方式的半导体发光装置的示意剖面图；图2(a) 图5(b)是表示第1实施方式的的示意剖面图6(a) (b)是表示第1实施方式的变形例的的示意剖面图；图7(a) 图8(b)是表示第二实施方式的的示意图；图9是表示第三实施方式的的流程图；图10(a)及(b)是表示第三实施方式的的示意剖面图；图11是表示第三实施方式的变形例的的示意剖面图；图12是蓝色LED的发光波长的晶圆面内分布图。 具体实施例方式下面，参照附图对实施方式进行说明。另外，各附图中对于相同的要素附加相同的符号。另外，在表示工序的附图中，表示出晶圆状态的一部分的区域。图1是第1实施方式的半导体发光装置的示意剖面图。本实施方式的半导体发光装置具有半导体层15。半导体层15具有第一主面1 和形成于其相反侧的第二主面。在第二主面侧设有电极、布线层及树脂层，光主要从第一主面15a输出。半导体层15具有第1半导体层11和第二半导体层13。第一半导体层11例如为 η型的GaN层，作为电流的横方向通路起作用。但是，第一半导体层11的导电类型并不限于 η型，也可以为P型。第二半导体层13具有利用η型层和ρ型层夹住发光层(活性层)12的层叠结构。半导体层15的第二主面侧被加工成凹凸形状，在其第二主面侧设有发光区域1 和非发光区域15c。发光区域1 包含发光层12。非发光区域15c不包含发光层12，例如设于比发光层12的外周(端部)靠外的外侧。在发光区域15b的表面即第二半导体层13的表面，作为第一电极设有ρ侧电极 16。即，ρ侧电极16设于包含发光层12的发光区域15b。在非发光区域15c的表面即第一半导体层11的表面，作为第二电极设有η侧电极17。在一个芯片(半导体层15)中，发光区域15b的面积比非发光区域15c的面积要大，ρ侧电极16的面积比η侧电极17的面积要大。因此，可以较宽地确保发光区域。半导体层15的侧面及第二主面的一部分被绝缘层14、18覆盖。绝缘层14、18也形成于P侧电极16和η侧电极17之间的阶梯部。绝缘层14例如为硅氧化物、硅氮化物。 绝缘层18例如为微小开口的构图性优异的聚酰亚胺等树脂。或者作为绝缘层18，也可以使用硅氧化物。绝缘层14不覆盖ρ侧电极16及η侧电极17。在绝缘层18中，在与半导体层15相对的相反侧的面18c上设有作为第一布线层的P侧布线层21和作为第二布线层的η侧布线层22。P侧布线层21还设置于到达ρ侧电极16而形成于绝缘层18的第一开口部18a，并与ρ侧电极16连接。η侧布线层22还设置于到达η侧电极17而形成于绝缘层18的第二开口部18b，并与η侧电极17连接。在ρ侧布线层21，在与ρ侧电极16相对的相反侧的面上，作为第一金属柱设有P 侧金属柱23。在η侧布线层22，在与η侧电极17相对的相反侧的面上，作为第二金属柱设有η侧金属柱对。ρ侧金属柱23的周围、η侧金属柱M的周围、ρ侧布线层21及η侧布线层22由作为第二绝缘层的树脂层25覆盖。树脂层25填充于邻接的支柱之间。ρ侧金属柱23及η 侧金属柱对各自的下表面从树脂层25露出。另外，第二绝缘层与第一绝缘层(绝缘层18) 可以为相同的材料。在半导体层15中与设于不包含发光层12的非发光区域15c的η侧电极17连接的η侧布线层22的面积，与η侧电极17侧的面相比在与η侧电极17相反侧的面上面积较大。即，η侧布线层22和η侧金属柱M接触的面积比η侧布线层22和η侧电极17接触的面积大。另外，P侧布线层21和ρ侧金属柱23接触的面积比ρ侧布线层21和ρ侧电极 16接触的面积大。或者，有时ρ侧布线层21和ρ侧金属柱23接触的面积也比ρ侧布线层 21和P侧电极16接触的面积小。另外，η侧布线层22的一部分经由绝缘层18的表面18c 上而延伸至与发光层12的下方重叠的位置。由此，一边利用更宽的发光层12保持较强的光输出，一边可以从在不包含半导体层15中的发光层12的部分的狭窄面积处设置的η侧电极17，经由η侧布线层22形成更宽的引出电极。第一半导体层11经由η侧电极17及η侧布线层22与η侧金属柱M电连接。第二半导体层13经由ρ侧电极16及ρ侧布线层21，与ρ侧金属柱23电连接。根据需要，在ρ侧金属柱23及η侧金属柱M各自的下表面，形成以防锈等为目的的表面处理膜(例如，Ni、Au等无电解镀膜、被预涂的焊料等)。作为η侧布线层22、ρ侧布线层21、η侧金属柱Μ、ρ侧金属柱23的材料，可以使用铜、金、镍、银等。在这些材料中，更优选具备良好的导热性、高耐迁移性及与绝缘材料的优异的密接性的铜。在绝缘层18上进行形成多个微小开口部18a、18b的构图。因此，作为绝缘层18 优选使用微小开口部的构图性优异的、例如聚酰亚胺等树脂。树脂层25优选使用可以低成本且较厚地形成、并且适于η侧金属柱M及ρ侧金属柱23的加固的树脂。例如作为树脂层25，可以列举环氧树脂、硅树脂、氟树脂等。在半导体层15的第一主面1 上，作为对于从发光层12放出、从第一主面1 侧得到的光呈透明的透明材料设有透明树脂27。如后所述，也有时不设透明树脂27。在透明树脂27上设有荧光体层观。荧光体层观含有吸收来自发光层12的光，且可放出波长转换光的荧光体粒子。因此可放出来自发光层12的光和荧光体层观中的波长转换光的混合光。例如将发光层12设定氮化物类时，作为来自该发光层12的蓝色光和含有例如黄色荧光体粒子的荧光体层观中的波长转换光即黄色光的混合色，可以得到白色或灯泡色等。另外，荧光体层观也可为含有多种荧光体粒子(例如红色荧光体粒子和绿色荧光体粒子)的构本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体发光装置的制造方法，其特征在于，具备：在层叠体的第一绝缘层的第一开口部形成第一布线层的工序，所述层叠体包含：基板；半导体层，含有第一主面和形成于其相反侧的第二主面和发光层，且通过分离槽在所述基板上被分离成多个；第一电极，设于与所述基板相对的相反侧的所述第二主面上的具有所述发光层的区域；第二电极，设于所述第二主面上；以及所述第一绝缘层，设于所述半导体层的所述第二主面侧，具有与所述第一电极相连的所述第一开口部和与所述第二电极相连的第二开口部；在所述第一绝缘层的所述第二开口部形成第二布线层的工序；在所述第一布线层的与所述第一电极相对的相反侧的面上形成第一金属柱的工序；在所述第二布线层的与所述第二电极相对的相反侧的面上形成第二金属柱的工序；在所述第一金属柱的侧面和所述第二金属柱的侧面之间，形成第二绝缘层的工序；基于从所述第一主面侧得到的光的发光光谱，在从所述多个半导体层中选出的半导体层的所述第一主面上，形成对于所述光呈透明的透明材料的工序；以及在所述透明材料上及所述多个半导体层的所述第一主面上，形成荧光体层的工序。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：秋元阳介，小岛章弘，猪塚幸，杉崎吉昭，小泉洋，中具道，冈田康秀，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP