一种适用于多晶硅生产的HCl吸收塔制造技术

本实用新型专利技术公开了一种适用于多晶硅生产的HCl吸收塔，包括塔体（1）、设置在塔体（1）顶部的气体出口（2）、设置在塔体（1）上部的洗涤液进口（3）和设置在塔体（1）中部的气体进口（4），所述塔体（1）中设置有填料段（5），所述塔体（1）的中部还设置有洗涤液出口（6），所述塔体（1）的下部设置有排净口（7），所述塔体（1）内设置有挡渣罩（8），该挡渣罩（8）与排净口（7）连通。本实用新型专利技术构思巧妙、设计合理，有效避免了设备的堵塞，并且保证了多晶硅产品的品质。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于硅化工领域，涉及一种适用于多晶硅生产的HCL吸收塔。
技术介绍
多晶硅，是单质硅的一种形态，是极为重要的优良半导体材料。多晶硅是电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。多晶硅生产的还原、氢化、合成工序的尾气中，主要成分都是H2、SiHCl3、SiH2Cl2, SiCl4和HCl等，只是各部分所占比例不同，所以三个工序回收处理尾气的工艺过程都是一样的。尾气进入系统以后首先经过冷凝段，通过水冷、气气换热、冷冻盐水冷却、制冷剂冷却，逐级冷凝，将99%以上的SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4从尾气中冷凝下来，经过气液分离罐后， 冷凝下来的氯硅烷液体通过屏蔽泵送往精馏工序使用。从气液分离罐出来的气体，其主要成分是H2、HCl气体，以及少量的SiH2Cl2、 SiHCl3、SiCl4气体。这些气体被送往压缩机升压至1. 3MPaG以后，送往氯化氢吸收塔。在此塔内，-40°C的氯硅烷液体作为吸收溶剂从塔顶喷淋，剩下的SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4气体被完全冷凝。氯硅烷作为吸收溶剂，在高压低温下，HCl溶解于其中，成为含HCl较多的富液。剩下的H2,以及少量未被吸收的HCl气体被送往吸附柱。此柱内装有活性炭，将H2中少量HCl气体及其他微量杂质气体吸附，提纯后的压达99. 9%以上，被送回还原系统继续循环使用。富液靠压差送往氯化氢脱吸塔，在此塔内通过蒸汽加热，让HCl气体从氯硅烷液体当中释放出来，气体在塔顶被冷凝成液态HC1，除去其中含有的氢气以达到HCl提纯的目的，液态HCl经加热器汽化后送回合成氯化氢缓冲罐继续循环使用。从脱吸塔塔釜出来的含氯化氢较少的贫液通过屏蔽泵被送回吸收塔中继续作为吸收剂使用。在以上工艺过程中，由于系统不可避免的存在水解现象，会产生很多的残渣，如果在HCL吸收塔(填料塔)内采用槽盘式气液分布器，那么分布器的降液小孔就可能被这些残渣堵塞，从而影响生产的正常运行；另外，塔釜液体如果不经沉降分离而直接排往下一工序，也会给后续工序造成污染而影响多晶硅产品的品质。
技术实现思路
本技术的专利技术目的在于针对上述存在的问题，提供一种适用于多晶硅生产的HCL吸收塔。该HCL吸收塔构思巧妙、设计合理，有效避免了设备的堵塞，并且保证了多晶硅产品的品质。为实现上述目的，本技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种适用于多晶硅生产的HCL吸收塔，包括塔体、设置在塔体顶部的气体出口、设置在塔体上部的洗涤液进口和设置在塔体中部的气体进口，所述塔体中设置有填料段，所述塔体的中部还设置有洗涤液出口，所述塔体的下部设置有排净口，所述塔体内设置有挡渣罩，该挡渣罩与排净口连通。作为优选方式，所述塔体的底部设置有缓冲储桶。作为优选方式，所述洗涤液进口上设置有螺旋喷嘴。本技术采用螺旋喷嘴喷淋器，既满足了吸收剂均勻分布的要求，也避免了堵塞情况的发生；塔底部增设缓冲储桶，使残渣分离沉降，避免杂质进入后续生产工序，确保多晶硅产品质量；塔底排净管口增设挡渣罩，避免渣滓进入排净管，防止管道堵塞。由于采用了上述技术方案，本技术的有益效果是本技术构思巧妙、设计合理，有效避免了设备的堵塞，并且保证了多晶硅产品的品质。附图说明图1是本技术结构示意图。图中标记1塔体、2气体出口、3洗涤液进口、4气体进口、5填料段、6洗涤液出口、 7排净口、8挡渣罩。具体实施方式以下结合附图，对本技术作详细的说明。 为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。实施例如图1所示，一种适用于多晶硅生产的HCL吸收塔，包括塔体1、设置在塔体1顶部的气体出口 2、设置在塔体1上部的洗涤液进口 3和设置在塔体1中部的气体进口 4，所述塔体1中设置有填料段5，所述塔体1的中部还设置有洗涤液出口 6，所述塔体1的下部设置有排净口 7，所述塔体1内设置有挡渣罩8，该挡渣罩8与排净口 7连通，挡渣罩8 表面密布直径为5mm的小孔。所述塔体1的底部设置有缓冲储桶。所述洗涤液进口 3上设置有螺旋喷嘴。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。权利要求1.一种适用于多晶硅生产的HCL吸收塔，包括塔体(1)、设置在塔体(1)顶部的气体出口(2)、设置在塔体(1)上部的洗涤液进口(3)和设置在塔体(1)中部的气体进口(4)，所述塔体(1)中设置有填料段(5)，其特征在于所述塔体(1)的中部还设置有洗涤液出口(6)， 所述塔体(1)的下部设置有排净口(7)，所述塔体(1)内设置有挡渣罩(8)，该挡渣罩(8)与排净口(7)连通。2.如权利要求1所述的一种适用于多晶硅生产的HCL吸收塔，其特征在于所述塔体 (1)的底部设置有缓冲储桶。3.如权利要求1所述的一种适用于多晶硅生产的HCL吸收塔，其特征在于所述洗涤液进口(3)上设置有螺旋喷嘴。专利摘要本技术公开了一种适用于多晶硅生产的HCl吸收塔，包括塔体(1)、设置在塔体(1)顶部的气体出口(2)、设置在塔体(1)上部的洗涤液进口(3)和设置在塔体(1)中部的气体进口(4)，所述塔体(1)中设置有填料段(5)，所述塔体(1)的中部还设置有洗涤液出口(6)，所述塔体(1)的下部设置有排净口(7)，所述塔体(1)内设置有挡渣罩(8)，该挡渣罩(8)与排净口(7)连通。本技术构思巧妙、设计合理，有效避免了设备的堵塞，并且保证了多晶硅产品的品质。文档编号B01D53/18GK202063724SQ201120077129公开日2011年12月7日 申请日期2011年3月23日 优先权日2011年3月23日专利技术者曾维华 申请人:四川瑞能硅材料有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种适用于多晶硅生产的ＨＣＬ吸收塔，包括塔体（１）、设置在塔体（１）顶部的气体出口（２）、设置在塔体（１）上部的洗涤液进口（３）和设置在塔体（１）中部的气体进口（４），所述塔体（１）中设置有填料段（５），其特征在于：所述塔体（１）的中部还设置有洗涤液出口（６），所述塔体（１）的下部设置有排净口（７），所述塔体（１）内设置有挡渣罩（８），该挡渣罩（８）与排净口（７）连通。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曾维华，
申请(专利权)人：四川瑞能硅材料有限公司，
类型：实用新型
国别省市：51