硅芯方锭制造技术

本实用新型专利技术涉及一种硅芯方锭，属于多晶硅生产技术领域。它包括长方体的硅锭本体（1），所述硅锭本体（1）上端通过粘结层（3）固定设置连接基座（2），所述连接基座（2）顶部设置有连接柱体（4），所述连接柱体（4）顶部设置有悬挂圆台（6），所述连接柱体（4）中部设置有上下两个限位圆台（5）。本实用新型专利技术一种硅芯方锭，它能够方便地悬挂至切割设备上，有利于提高硅芯切割的生产效率，并且切割过程中边皮的损耗极小，材料利用率高。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种硅芯方锭，属于多晶硅生产

技术介绍
目前，目前国内生产多晶硅的工艺大部分都是常规三氯氢硅氢还原法，即改良西门子法，改良西门子法或其他类似方法生产大直径多晶硅的主要设备是多晶硅还原炉，多晶硅还原炉在细长的硅芯上通上电源，使硅芯加热发红，直至表面温度达到1100摄氏度，通入高纯的三氯氢硅和氢气，使其在高温下发生氢还原反应，使三氯氢硅中的硅分子堆积在硅芯上，使其的直径不断地增大，通常，硅芯的直径在7-10毫米，可以是圆形也可以是方型，或是其他形状，最终通过氢还原反应使直径不断地增大到120-200毫米，生产出高纯太阳能级6N或电子级11N的多晶硅。目前硅芯的制备方法有二种，传统的方法是用CZ法(区熔提拉法)，即把直径在SO-SO 毫米的硅棒在充满惰性气体的真空炉膛内用高频感应加热 ，使其顶部局部熔化 ，从上部放入I根直径在5-10毫米的籽晶，然后慢慢向上提拉，使其成为直径在7-10毫米，长度在1900-3000毫米之间的细长硅芯，其缺点是提拉速度慢，一般为8-12毫米/分钟，拉制I根2米的硅芯需要4小时，生产效率低，电力消耗大，设备投资大。另一种是用金刚石工具切割法，美国DiamondWire Technology公司研制出采用金刚石线的数控多晶硅细长硅芯多线切割机床，用于硅芯的制备。通过利用电镀上金刚石微粒的细钢丝线在被加工工件上高速地往复运动或单向移动，将硅棒压在该机床用金刚石线交叉组成的方形线网上，从而将该硅棒切割成细长的硅芯。其优点十分明显，10-12小时可以切割出200根左右2米长的7X7或8X8毫米的方形硅芯，电力消耗小，加工效率高。目前硅芯切割的母料直接采用还原炉中制得的硅棒，这使得切割的硅芯长度受到硅棒长度的限制，且直接还原得到的硅棒质地较为疏松，切割过程中成品率低，最终得到的硅芯的强度较差，并且由于硅棒母料呈圆柱形，因此在切割方硅芯时边皮损耗较大，材料利用率较低，相应地增加了最终成品硅芯的生产成本。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述不足，提供一种硅芯方锭，它能够方便地悬挂至切割设备上，有利于提高硅芯切割的生产效率，并且切割过程中边皮的损耗极小，材料利用率高。本技术的目的是这样实现的:一种硅芯方锭，它包括长方体的硅锭本体，所述硅锭本体上端通过粘结层固定设置连接基座，所述连接基座顶部设置有连接柱体，所述连接柱体顶部设置有悬挂圆台，所述连接柱体中部设置有上下两个限位圆台。所述连接基座呈长方体状，所述连接柱体呈圆柱状。所述硅锭本体采用多晶硅铸造而成，所述硅锭本体外表面涂覆有防护层。与现有技术相比，本技术具有以下有益效果:本技术一种硅芯方锭，它能够方便地悬挂至切割设备上，有利于提高硅芯切割的生产效率，并且切割过程中边皮的损耗极小，材料利用率高。【附图说明】图1为本技术一种硅芯方锭的结构示意图。其中:硅锭本体I，连接基座2，粘结层3，连接柱体4，限位圆台5，悬挂圆台6。【具体实施方式】参见图1，本技术一种硅芯方锭，它包括长方体的硅锭本体I，所述硅锭本体I上端通过粘结层3固定设置连接基座2，所述连接基座2顶部设置有连接柱体4，所述连接柱体4顶部设置有悬挂圆台6，所述连接柱体4中部设置有上下两个限位圆台5。所述连接基座2呈长方体状，所述连接柱体4呈圆柱状。所述硅锭本体I采用多晶硅铸造而成，所述硅锭本体I外表面涂覆有防护层。【主权项】1.一种娃芯方锭，其特征在于:它包括长方体的娃锭本体(I)，所述娃锭本体(I)上端通过粘结层(3)固定设置连接基座(2)，所述连接基座(2)顶部设置有连接柱体(4)，所述连接柱体(4)顶部设置有悬挂圆台(6)，所述连接柱体(4)中部设置有上下两个限位圆台(5)，所述连接基座(2)呈长方体状，所述连接柱体(4)呈圆柱状，所述硅锭本体(I)采用多晶硅铸造而成，所述硅锭本体(I)外表面涂覆有防护层。【专利摘要】本技术涉及一种硅芯方锭，属于多晶硅生产
它包括长方体的硅锭本体（1），所述硅锭本体（1）上端通过粘结层（3）固定设置连接基座（2），所述连接基座（2）顶部设置有连接柱体（4），所述连接柱体（4）顶部设置有悬挂圆台（6），所述连接柱体（4）中部设置有上下两个限位圆台（5）。本技术一种硅芯方锭，它能够方便地悬挂至切割设备上，有利于提高硅芯切割的生产效率，并且切割过程中边皮的损耗极小，材料利用率高。【IPC分类】C01B33/03【公开号】CN205204836【申请号】CN201520977420【专利技术人】武东伟 【申请人】江阴东升新能源有限公司【公开日】2016年5月4日【申请日】2015年12月1日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅芯方锭，其特征在于：它包括长方体的硅锭本体（1），所述硅锭本体（1）上端通过粘结层（3）固定设置连接基座（2），所述连接基座（2）顶部设置有连接柱体（4），所述连接柱体（4）顶部设置有悬挂圆台（6），所述连接柱体（4）中部设置有上下两个限位圆台（5），所述连接基座（2）呈长方体状，所述连接柱体（4）呈圆柱状，所述硅锭本体（1）采用多晶硅铸造而成，所述硅锭本体（1）外表面涂覆有防护层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：武东伟，
申请(专利权)人：江阴东升新能源有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32