【技术实现步骤摘要】
本专利技术属太阳能热利用
，涉及太阳能选择性吸收涂层中膜系材料选择和膜系结构设计，尤其是一种带有氮化硅介质选择性吸收涂层的平板太阳能集热器芯膜及其制备方法。
技术介绍
现有具有太阳能选择性吸收涂层的平板太阳能集热器芯膜系，不是耐候性差、耐热性差，就是连续自动流水线生产制作效率低。市场上大部分太阳能集热用的吸收涂层多为氮化铝、氧化铝、氧化硅介质涂层，利用磁控溅射技术沉积不是效率低，就是耐热性差、耐候性差，不能很好适合平板太阳能热水器使用，也不适于高效卷对卷或片式步进连续生产制作，影响了平板型太阳能选择性吸收涂层的广泛应用。
技术实现思路
本专利技术目的本专利技术提供一种带有氮化硅介质选择性吸收涂层的平板太阳能集热器芯膜，其目的是解决以往的太阳能集热器芯膜耐热、耐候性差和不适于高效卷对卷或片式步进连续生产制作的问题。技术方案本专利技术是通过以下技术方案来实现的一种带氮化硅介质选择吸收涂层的太阳能集热器芯，包括基体，其特征在于在基体上设置有高红外反射的导电膜，在高红外反射的导电膜上设置有氮化硅或氮氧化硅介质膜。在所述氮化硅或氮氧化硅介质膜上还设置有半透明导电膜，半透...
【技术保护点】
１．一种带氮化硅介质选择吸收涂层的太阳能集热器芯，包括基体（１），其特征在于：在基体（１）上设置有高红外反射的导电膜（２），在高红外反射的导电膜（２）上设置有氮化硅或氮氧化硅介质膜（３）。
【技术特征摘要】
1.一种带氮化硅介质选择吸收涂层的太阳能集热器芯，包括基体(1)，其特征在于在基体(1)上设置有高红外反射的导电膜(2)，在高红外反射的导电膜(2)上设置有氮化硅或氮氧化硅介质膜(3)。2.根据权利要求1所述的带氮化硅介质选择吸收涂层的太阳能集热器芯，其特征在于在所述氮化硅或氮氧化硅介质膜(3)上还设置有半透明导电膜(4)，半透明导电膜(4) 上设置有起减反射作用的氮化硅或氮氧化硅介质膜(5 )。3.根据权利要求1或2所述的带氮化硅介质选择吸收涂层的太阳能集热器芯，其特征在于高红外反射的导电膜(2)的厚度为7(Tl50nm ；氮化硅或氮氧化硅介质膜(3)的厚度为4(T90nm ；半透明导电膜(4)的厚度为5 40nm ；起减反射作用的氮化硅或氮氧化硅介质膜 (5)的厚度为3(T90nm。4.根据权利要求1所述的带氮化硅介质选择吸收涂层的太阳能集热器芯的制备方法， 其特征在于该制备方法的具体步骤如下①、取基体(1)，在基体(1)上利用阴极磁控溅射制取高红外反射的导电膜(2)，工作电压在200疒600V之间，工作电流在5A、00A之间，充的气体为氩气或氩气掺氮气，工作气压在IPa 0. 11 之间；②、在高红外反射的导电膜(2)上用广10个MF中频电源及配对使用的双阴极磁控反应溅射制取氮化硅或氮氧化硅介质膜(3)，工作电压在200疒600V之间，工作电流在5A、00A 之间，工作气体为氩气，反应气体为氮气或氮气掺氧气，工作气压在lPa 0. 1 之间。5.根据权利要求4所述的带氮化硅介质选择吸收涂层的太阳能集热器芯的制备方法， 其特征在于在氮化硅或氮氧化硅介质膜(3)上由阴极磁控溅射制取半透明导电膜(4)，工作电压在200疒600V之间，工作电流在5A 100A之间，充的气体为氩气或氩气掺氮气，工作气压在 IPa 0. IPa之间；在半透明导电膜(4)上由广10个MF中频电源及配对使用的双阴极磁控反应溅射制取起减反射作用的氮化硅或氮氧化硅介质膜(5 )，工作电压在200V飞OOV之间，工作电流在 5A、00A之间，工作气体为氩气，反应气体为氮气或氮气掺氧气，工作气压在ΙΡ ΓΟ. 1 之间。6.根据权利要求4所述的带氮化硅介质选择吸收涂层的太阳能集热器芯的制备方法， 其特征在于制备高红外反射的导电膜(2)所采用的阴极由平面靶或旋转靶构成，靶材是 MCr、M或Mo耐高温导电材...
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