本发明专利技术公开了一种太阳能电池表面处理方法，包括以下基本步骤：1)将两个放电电极分别与电源连接，在一个放电电极内侧端面上设置介质；2)在两个放电电极之间、介质的一侧设置进气口，施加流量为2-10L/min的气体；3)将电源功率逐渐升至10-55W；4)等待气体产生辉光放电后，将硅片正面朝上放入另一个放电电极内侧端面上，放置20s-5min后取出，即完成太阳能电池表面处理。本发明专利技术无需将产生等离子的腔室抽成真空，常压即可完成，节约成本的同时可以实现规模化生产，简单易行，成本低廉。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电子材料
，具体涉及。
技术介绍
据世界能源组织(IEA)、欧洲联合研究中心、欧洲光伏工业协会预测，2020年世界光伏发电将占总电力的1 %，到2040年光伏发电将占全球发电量的20 %，按此推算未来数十年，全球光伏产业的增长率将高达5% -30%。可以预言，在21世纪中叶，太阳能光伏发电成为人类的基础能源之一，在世界能源构成中占有一定的地位。根据Solarbuzz最新年度太阳能市场报告QOllMarketbuzz)，2010年全球太阳能市场安装量达到18. 2GW，相较于2009年成长139 %，太阳能产业全球营收达到820亿美元， 其中晶硅太阳能电池由于其成本低、工艺简单、效率高等优点占据了主要份额，达到总产值的90%，有巨大的市场。由于氮化硅膜具有良好的绝缘性、致密性、稳定性和对杂志离子的掩蔽能力，在工业上氮化硅被广泛地作为晶硅太阳能电池的减反膜，显著地提高了电池的转化效率。在硅片表面沉积氮化之前，需要对硅片表面进行使用HF清洗，这种湿法清洗虽然清洗掉了硅片表面的污染物和副产物，但湿法清洗容易在表面留下杂质，无法彻底清洁硅片表面，使得在进行氮化硅膜沉积时容易造成膜层缺陷，降低硅片效率，造成经济损失。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种在硅片表面处理方法，在沉积氮化硅膜层前，对硅片表面进行处理的方法。使用本专利技术进行处理，能够比较完全地处理掉硅片表面污染物，增加硅片表面能和浸润性，且不产生副产物，能够使得在沉积氮化硅膜层时，得到更加均勻、完整的减反层。本专利技术的具体技术方案如下，包括以下基本步骤1)将两个放电电极分别与电源连接，在一个放电电极内侧端面上设置介质；2)在两个放电电极之间、所述介质的一个侧面设置进气口，施加流量为2-10L/ min的气体；3)将电源功率逐渐升至10-55w ；4)等待气体产生辉光放电后，将硅片正面朝上放入另一个放电电极内侧端面上， 在气体产生辉光放电环境下放置20s-5min后取出，S卩完成太阳能电池表面处理。所述介质为玻璃材料。所述气体为Ar和&以任意比例混合的混合气体。所述两个放电电极间隙为l_3mm ；所述放电电极面积为150-300cm2。通过上述常压等离子技术清洁表面去除了表面上的有机污染物，如残留物、抗氧化剂、碳渣和其它有机化合物，还不会产生副产物。硅片表面被等离子体处理会，其浸润性得到提高，表面活性增强，能够在PECVD沉积减反膜时在基地上得到均勻、完整的膜层。本专利技术无需将产生等离子的腔室抽成真空，常压即可完成，节约成本的同时可以实现规模化生产，简单易行，成本低廉。附图说明图1是本专利技术太阳能电池表面处理方法所采用的装置结构示意图。图中1放电电极；2介质；3进气口 ；4硅片；5电源。具体实施例方式本专利技术公开了，以下结合附图及具体实施实例进一步说明本专利技术的制备过程实施例1，包括以下基本步骤1)将两个相互间隙为Imm的放电电极1分别与电源5连接，在一个放电电极1内侧端面上设置介质2，所述介质为玻璃材料；2)在两个放电电极1之间、介质2的一个侧面设置进气口 3，施加流量为2L/MIN 的Ar和&以质量比为1 3比例混合的混合气体；3)将电源功率逐渐升至50w ；4)等待气体产生辉光放电后，将硅片4正面朝上放入另一个放电电极1内侧端面上，在气体产生辉光放电环境下放置anin后取出，即完成太阳能电池表面处理。图1中放电电极1的面积为150cm2。进过本方法处理的硅片，其表面残余杂质得到分解，无副产物残留，同时表面浸润性提高，附着性也增强。使得硅片上能够沉积到均勻、完整的减反膜。实施例2，包括以下基本步骤1)将两个相互间隙为3mm的放电电极1分别与电源5连接，在一个放电电极1内侧端面上设置介质2，所述介质为玻璃材料；2)在两个放电电极1之间、介质2的一个侧面设置进气口 3，施加流量为10L/MIN 的Ar和O2以质量比为2 1比例混合的混合气体；3)将电源功率逐渐升至IOw ；4)等待气体产生辉光放电后，将硅片4正面朝上放入另一个放电电极1内侧端面上，在气体产生辉光放电环境下放置20s后取出，即完成太阳能电池表面处理。图1中放电电极1的面积为300cm2。进过本方法处理的硅片，其表面残余杂质得到分解，无副产物残留，同时表面浸润性提高，附着性也增强。使得硅片上能够沉积到均勻、完整的减反膜。权利要求1.，其特征在于，包括以下基本步骤1)将两个放电电极(1)分别与电源( 连接，在一个放电电极(1)内侧端面上设置介质⑵；2)在两个放电电极(1)之间、所述介质O)的一个侧面设置进气口(3)，施加流量为 2-10L/min 的气体；3)将电源功率逐渐升至10-55w；4)等待气体产生辉光放电后，将硅片(4)正面朝上放入另一个放电电极(1)内侧端面上，在气体产生辉光放电环境下放置20s-5min后取出，即完成太阳能电池表面处理。2.根据权利要求1所述的，其特征在于，所述介质为玻璃材料。3.根据权利要求1所述的，其特征在于，所述气体为Ar 和A以任意比例混合的混合气体。4.根据权利要求1所述的，其特征在于，所述两个放电电极(1)间隙为1-3_;所述放电电极面积为150-300cm2。全文摘要本专利技术公开了，包括以下基本步骤1)将两个放电电极分别与电源连接，在一个放电电极内侧端面上设置介质；2)在两个放电电极之间、介质的一侧设置进气口，施加流量为2-10L/min的气体；3)将电源功率逐渐升至10-55W；4)等待气体产生辉光放电后，将硅片正面朝上放入另一个放电电极内侧端面上，放置20s-5min后取出，即完成太阳能电池表面处理。本专利技术无需将产生等离子的腔室抽成真空，常压即可完成，节约成本的同时可以实现规模化生产，简单易行，成本低廉。文档编号H01L31/18GK102263165SQ20111020123公开日2011年11月30日 申请日期2011年7月19日 优先权日2011年7月19日专利技术者李驰 申请人:彩虹集团公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种太阳能电池表面处理方法，其特征在于，包括以下基本步骤：１）将两个放电电极（１）分别与电源（５）连接，在一个放电电极（１）内侧端面上设置介质（２）；２）在两个放电电极（１）之间、所述介质（２）的一个侧面设置进气口（３），施加流量为２－１０Ｌ／ｍｉｎ的气体；３）将电源功率逐渐升至１０－５５ｗ；４）等待气体产生辉光放电后，将硅片（４）正面朝上放入另一个放电电极（１）内侧端面上，在气体产生辉光放电环境下放置２０ｓ－５ｍｉｎ后取出，即完成太阳能电池表面处理。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李驰，
申请(专利权)人：彩虹集团公司，
类型：发明
国别省市：61
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