具有氧化物隧穿结的太阳能电池制造技术

技术编号:6890170 阅读:251 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术的一个实施例提供具有氧化物隧穿结的太阳能电池。该太阳能电池包括基极层;与所述基极层相邻的量子隧穿势垒(QTB)层;发射极;表面电场层;前侧电极;以及背侧电极。

【技术实现步骤摘要】

本公开总体涉及太阳能电池。更具体而言,本公开涉及基于隧穿结结构的太阳能电池,该隧穿结结构使用电介质材料(例如氧化硅)来形成隧穿层。
技术介绍
通过使用化石燃料造成的负面环境影响及其提升的成本已导致对更洁净、廉价替代能源的急切需求。在不同形式的替代能源中,太阳能因其洁净性和广泛可用性而受到青睐。太阳能电池利用光电效应将光转换成电。有许多种太阳能电池结构,并且一种典型的太阳能电池包含Pn结,该pn结包括ρ型掺杂层和η型掺杂层。此外,还有不基于ρη 结的其他类型的太阳能电池。例如,太阳能电池可以基于金属绝缘体半导体(MIS)结构,该 MIS结构包括位于金属或高导电层与掺杂的半导体层之间的超薄电介质或绝缘界面隧穿层。在基于ρη结的太阳能电池中,被吸收的光产生载流子。这些载流子扩散进入ρη 结并由内建电场分离,从而产生穿过器件和外部电路系统的电流。在确定太阳能电池质量中的重要度量是其能量转换效率,其定义为当太阳能电池连接至电路时转换功率(从被吸收的光转换成电能)与收集功率的比率。为了提高转换效率,太阳能电池结构应当允许光生载流子有效地输运到电极。载流子损失的重要途径之一是在电池表面处的少数载本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于隧穿结的太阳能电池的制造方法,包括:获取用于太阳能电池的基极层;形成与所述基极层相邻的量子隧穿势垒(QTB)层;形成发射极;形成表面电场层;形成前侧电极;以及形成背侧电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:J·B·衡游晨涛徐征傅建明
申请(专利权)人:美国喜瑞能源公司
类型:发明
国别省市:US

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