一种纳米金刚石薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种纳米金刚石薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)对衬底进行辅助形核处理；(2)在衬底表面沉积纳米金刚石薄膜；(3)对纳米金刚石薄膜进行去氢处理：将步骤(2)得到的覆盖有纳米金刚石薄膜的置于3～8kPar的氧气氛围下，并加热到100～300℃，保持5min～60min。本发明专利技术通过去除纳米金刚石薄膜表面的氢化层，使纳米金刚石薄膜获得更高、更稳定的电导率，进一步扩大了纳米金刚石薄膜的应用范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及纳米金刚石薄膜的制备方法，特别涉及一种电导率稳定的纳米金刚石薄膜的制备方法。
技术介绍
未掺杂的表面氧化的金刚石薄膜在常温下是不导电的，但通过使用不同的掺杂源和掺杂方法对金刚石薄膜进行掺杂，可使金刚石薄膜成为P型或N型半导体，从而能够导电。这类薄膜同时保留了金刚石本身超高耐磨、高熔点等独一无二的特性，在制备电触头、 电化学电极、高频场效应管、化学和生物传感器等领域具有广泛的应用前景。但由于在金刚石薄膜的制备过程中，金刚石薄膜表面会形成氢化层，带有氢化层的金刚石膜在带有水蒸气的空气中或水溶液中可以因电化学掺杂过程而导电，即水的氧化还原对可以与这类金刚石交换电子，使得即便不对带有氢化层的金刚石使用第三族或第五族元素进行掺杂，其表面也能在空气中或水溶液中具有一定的导电性能。然而由于其机理决定了带有氢化层的金刚石膜电阻不稳定，常常因空气的干燥程度或PH值的变化而变化，限制了其使用。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种电导率稳定的纳米金刚石薄膜的制备方法。本专利技术的目的通过以下技术方案实现，包括以下步骤(1)对衬底进行辅助形核处理；(2)在衬底表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种纳米金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（１）对衬底进行辅助形核处理；（２）在衬底表面沉积纳米金刚石薄膜；（３）对纳米金刚石薄膜进行去氢处理。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钟建华，张文英，
申请(专利权)人：广州市德百顺电气科技有限公司，
类型：发明
国别省市：81