光电转换装置制造方法及图纸

技术编号:6874632 阅读:183 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及光电转换装置,具备由非晶质硅形成的nip结构,利用使n+型a-Si层接触由n+型ZnO层形成的透明电极的结构,提高能量转换效率。由此,能够将对地球资源的影响抑制在最小限,能够实现大面积、大功率的光电转换装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光电转换组件及包含该光电转换组件的太阳能电池。
技术介绍
通常,将太阳光能转换为电能的太阳能电池提案有硅系、化合物系、及有机物系电池等各种太阳能电池。另外,硅系太阳能电池因为以作为地球上的资源大量存在的硅作为原料,所以相比其它的化合物系及有机物系的太阳能电池,不用担心出现资源枯竭等问题。另外,硅太阳能电池可以分类为单晶硅、多晶硅及非晶质(amorphous)型,这些硅太阳能电池中,单晶硅及多晶硅为整体型,另一方面,非晶质型太阳能电池为薄膜型。在此, 整体型硅太阳能电池需要成膜具有100 μ m左右的厚度的膜,另一方面,薄膜型硅太阳能电池只要成膜0. 5 μ m左右的厚度的膜即可。最近,上述的各种太阳能电池中,因整体型硅太阳能电池的能量转换效率较高,制造费用也较低,所以趋向于被越来越多的使用。但已知的是,伴随整体型硅太阳能电池的需要急剧增加,需要大量的作为原料的单晶硅和多晶硅,导致成本大幅增加的同时,供应问题本身都会陷入困难状况。另一方面,提倡使用太阳能作为火力或水利的代替能源。为了将太阳能作为火力或水力的代替能源使用,需要具备一平方千米单位的大面积的可以供给大功本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电转换装置,其特征在于,从光的入射侧开始依次层叠有:玻璃基板、透明电极、pin结构的发电层叠体层、背面电极、SiCN层、散热片。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:大见忠弘
申请(专利权)人:国立大学法人东北大学
类型:发明
国别省市:JP

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