光电转换装置制造方法及图纸

提供一种具备电导率高、光的吸収率低、且能够得到高的光散射效果的透明电极的光电转换装置。作为透明电极层（22），形成第一透明电极层（22a）和第二透明电极层（22b），并且设有纹理结构，其中，上述第一透明电极层（22a）形成于基板（20）侧，上述第二透明电极层（22b）位于比第一透明电极层（22a）远离基板（20）的位置，并且比第一透明电极层（22a）密度小。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种光电转换装置。
技术介绍
作为利用太阳光的发电系统，使用层叠有非晶或微晶等半导体薄膜的光电转换装置。图11中表示光电转换装置100的基本构成的剖面示意图。光电转换装置100是在玻璃等透明基板10上层叠透明电极12、光电转换单元14和背面电极16而形成。通过使光从透明基板10侧入射，光电转换装置100利用光电转换单元14中的光电转换产生电力。此处，透明电极 12—般用 MOCVD 法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition :有机金 属化学气相沉积法)或溅射法而形成(参照专利文献I)。现有技术文献专利文献专利文献I:日本特开2008-277387号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题现有的透明电极12的形成方法是在高密度的成膜条件下形成高电导率·低光吸收率的透明电极12，并且在低密度的成膜条件下形成低电导率 高光吸收率的透明电极12。进而，为了提高光的利用率，优选在透明电极12的表面形成纹理结构，但存在高电导率·低光吸收率的透明电极12为高密度、纹理结构的加工困难的问题。本专利技术提案一种具有良好的特性(高电导率、低光吸收率、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.01.27 JP 2010-015848;2011.01.13 JP 2011-004841.一种光电转换装置，其特征在于，具备 基板； 形成于所述基板上的透明电极层； 形成于所述透明电极层上的光电转换单元；和 形成于所述光电转换单元上的背面电极， 其中，所述透明电极层在所述光电转换单元侧的表面具有纹理结构，并且具备 形成于所述基板侧的第一透明电极层；和 第二透明电极层，其位于比所述第一透明电极层远离所述基板的位...

【专利技术属性】
技术研发人员：兼松大二，关本健之，矢田茂郎，寺川朗，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：