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本发明涉及光电转换装置，具备由非晶质硅形成的nip结构，利用使n+型a-Si层接触由n+型ZnO层形成的透明电极的结构，提高能量转换效率。由此，能够将对地球资源的影响抑制在最小限，能够实现大面积、大功率的光电转换装置。...
该专利属于国立大学法人东北大学所有，仅供学习研究参考，未经过国立大学法人东北大学授权不得商用。

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