一种半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体结构及其制造方法，涉及半导体制造领域。其中该半导体结构包括：硅衬底；形成于所述硅衬底上的宽带隙半导体层；以及形成于所述宽带隙半导体层上的硅层。该方法包括在硅衬底上生长宽带隙半导体层；和在所述宽带隙半导体层上生长硅层。本发明专利技术实施例可以用于半导体器件的制造。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造技术，尤其涉及。
技术介绍
现代集成电路制造中的普遍趋势是生产尺寸越来越小的半导体器件，例如存储单兀。虽然制造纳米尺度的晶体管允许将更多的晶体管集成在单个晶片上，从而能够在更小的区域中形成更大的电路系统，然而晶体管尺寸的不断缩小导致沟道长度的减小，从而引起愈发严重的短沟道效应(SCE)。超薄绝缘体上硅(UTSOI)是用于抑制短沟道效应的一种典型技术。如图1所示，在绝缘体上硅结构100中，硅衬底101和顶层硅103之间有一层作为绝缘层的二氧化硅102， 称为埋氧层(BOX)。采用超薄绝缘体上硅的器件所提供的超薄硅沟道限制了源区和漏区的深度，提高了栅对沟道的控制能力，抑制了短沟道效应。目前一般利用晶片键合技术制作超薄绝缘体上硅。通过晶片键合技术制造超薄绝缘体上硅对工艺要求很高，在晶片键合中容易造成接触面上的晶格缺陷，从而导致良品率低。此外，由于超薄硅层的制造很难控制厚度，因此，位于埋氧层上的顶层硅103的均勻性较差。
技术实现思路
因此，希望提供一种半导体结构及其制作方法，其具有与超薄绝缘体上硅类似的抑制短沟道效应的功能，并且性能更加稳定，且更加易于制造。根据本专本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体结构，包括：硅衬底；形成于所述硅衬底上的宽带隙半导体层；以及形成于所述宽带隙半导体层上的硅层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：尹海洲，朱慧珑，骆志炯，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11