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本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，涉及半导体制造领域。其中该半导体结构包括：硅衬底；形成于所述硅衬底上的宽带隙半导体层；以及形成于所述宽带隙半导体层上的硅层。该方法包括在硅衬底上生长宽带隙半导体层；和在所述宽带隙半导体层上生长硅层。本...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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