一种用来检测发光二极管晶粒外观的检测装置，其包括：一检测平台、一分光镜、一第一光源及一影像感测组件。检测平台具有一可移动的中空平台，一具有多个发光二极管晶粒的大晶片放置于中空平台上。分光镜设置于检测平台的上方。第一光源设置于分光镜的一侧，第一光源所产生的第一光束投向分光镜，以产生一投向这些发光二极管晶粒的上表面的第二光束，并且第二光束通过这些发光二极管晶粒的上表面而被反射成一向上投射的第三光束。影像感测组件设置于分光镜的上方，以接收经过分光镜的第三光束，进而得到每一个发光二极管晶粒的上表面的影像。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种检测发光二极管晶粒外观的检测装置及检测方法，尤其涉及一种。
技术介绍
芯片的不合格率降低及产量提高是目前业界相互竞争的指标，但是整体上仍有 3%的不合格率，在电子芯片制造上大致会有黄光区、沉积区、扩散区、植入区、切割区及测试区等各流程，这些不合格率可能来自于上述流程的任何一区，而这些不良芯片可能有刮伤或扩散不完全等特点，所以在色泽上会与良好的芯片有少许的不同，经由人工目视的方式将不良芯片点上墨水ank)辨识，再将那些不良的芯片从整片大晶片中挑出剃除，这挑出不良芯片的工作非常浪费时间且效率很低，而且使用墨水又会造成环境污染及成本浪费，并且因为生产者本身无法精确控制一大晶片上会有多少不良芯片或是哪些是不良芯片的区域，这些缺点造成了在加工成本上不少的浪费，所以在提高产品合格率的同时，如何得知不良芯片的数目及不良芯片的所在区域是现在业界亟待解决的问题。因此，本专利技术人基于上述问题，提出一种设计合理且有效改善上述问题的本专利技术。
技术实现思路
本专利技术的目的，在于提供一种。本专利技术除了可免除人工操作及墨水浪费外，更能通过计算机计算出不良发光二极管芯片的数量及其所在区域，进而使剔除不良发光二极管芯片的过程更为方便。为了实现上述目的，根据本专利技术的其中一种方案，提供一种用来检测发光二极管晶粒外观的检测装置，其包括一检测平台、一分光镜、一第一光源、及一影像感测组件。其中，该检测平台具有一可移动的中空平台，其中一具有多个发光二极管晶粒的大晶片放置于该检测平台的中空平台上。该分光镜设置于该检测平台的上方。该第一光源可按这些发光二极管晶粒的类型来调整发光波长，其设置于该分光镜的一侧，其中该第一光源所产生的第一光束投向该分光镜，以产生一投向这些发光二极管晶粒的上表面的第二光束，并且该第二光束通过这些发光二极管晶粒的上表面而被反射成一向上投射的第三光束。该影像感测组件设置于该分光镜的上方，以接收经过该分光镜的第三光束，进而得到每一个发光二极管晶粒的上表面的影像。本专利技术所述的用来检测发光二极管晶粒外观的检测装置，其中，每一个发光二极管晶粒的上表面的影像显示出每一个发光二极管晶粒的正极焊垫及负极焊垫。本专利技术所述的用来检测发光二极管晶粒外观的检测装置，其中，可进一步包括一按这些发光二极管晶粒的类型来调整发光波长的第二光源，其设置于该检测平台的下方， 其中该第二光源所产生的第一光束穿过该中空平台而投向这些发光二极管晶粒的下表面， 并且通过该影像感测组件以观察每一个发光二极管晶粒的外型影像。本专利技术所述的用来检测发光二极管晶粒外观的检测装置，其中，该第一光源的发4光波长与该第二光源的发光波长可为相同或不相同。本专利技术所述的用来检测发光二极管晶粒外观的检测装置，其中，可进一步包括一按这些发光二极管晶粒的类型来调整发光波长的环形光源，其设置于该分光镜与该检测平台之间，其中该环形光源所产生的第一光束以倾斜的方式投向这些发光二极管晶粒的侧边，并且通过该影像感测组件以观察每一个发光二极管晶粒的侧边影像。本专利技术所述的用来检测发光二极管晶粒外观的检测装置，其中，该第一光源的发光波长与该环形光源的发光波长可为相同或不相同。本专利技术所述的用来检测发光二极管晶粒外观的检测装置，其中，该环形光源可包括一组光源，其由多个呈向下倾斜且排列成环状的发光二极管所组成。本专利技术所述的用来检测发光二极管晶粒外观的检测装置，其中，该环形光源也可包括两组光源，并且每一组光源由多个呈向下倾斜且排列成环状的发光二极管所组成。本专利技术所述的用来检测发光二极管晶粒外观的检测装置，其中，可进一步包括一用于包覆该第一光源、该分光镜及该环形光源的、而只露出两个开口的外壳，并且该外壳呈 T字型。本专利技术所述的用来检测发光二极管晶粒外观的检测装置，其中，可进一步包括一超声波顶针及一吸嘴，其中该超声波顶针设置于该检测平台的下方，通过超声波的震动方式来移除不合格的发光二极管晶粒，并且该吸嘴设置于该检测平台的上方，从而将上述不合格的发光二极管晶粒吸走。为了实现上述目的，根据本专利技术的其中一种方案，提供一种用来检测发光二极管晶粒外观的检测方法，其包括下列步骤首先，提供一检测装置，其具有一检测平台、一分光镜、一可按这些发光二极管晶粒的类型来调整发光波长的第一光源及一影像感测组件，其中该检测平台具有一可移动的中空平台，该分光镜设置于该检测平台的上方，该第一光源设置于该分光镜的一侧，该影像感测组件设置于该分光镜的上方；接着，将一具有多个发光二极管晶粒的大晶片放置于该检测平台的中空平台上；然后，将该第一光源所产生的第一光束投向该分光镜，以产生一投向这些发光二极管晶粒的上表面的第二光束，并且该第二光束通过这些发光二极管晶粒的上表面而被反射成一向上投射的第三光束；最后，通过该影像感测组件接收经过该分光镜的第三光束，进而得到每一个发光二极管晶粒的上表面的影像。本专利技术所述的用来检测发光二极管晶粒外观的检测方法，其中，每一个发光二极管晶粒的上表面的影像显示出每一个发光二极管晶粒的正极焊垫及负极焊垫。本专利技术所述的用来检测发光二极管晶粒外观的检测方法，其中，该检测装置可进一步包括一可按这些发光二极管晶粒的类型来调整发光波长的第二光源，其设置于该检测平台的下方，此外该第二光源所产生的第一光束穿过该中空平台而投向这些发光二极管晶粒的下表面，并且通过该影像感测组件以观察每一个发光二极管晶粒的外型影像。本专利技术所述的用来检测发光二极管晶粒外观的检测方法，其中，该第一光源的发光波长与该第二光源的发光波长可为相同或不相同。本专利技术所述的用来检测发光二极管晶粒外观的检测方法，其中，该检测装置可进一步包括一可按这些发光二极管晶粒的类型来调整发光波长的环形光源，其设置于该分光镜与该检测平台之间，此外该环形光源所产生的第一光束以倾斜的方式投向这些发光二极管晶粒的侧边，并且通过该影像感测组件以观察每一个发光二极管晶粒的侧边影像。本专利技术所述的用来检测发光二极管晶粒外观的检测方法，其中，该第一光源的发光波长与该环形光源的发光波长可为相同或不相同。本专利技术所述的用来检测发光二极管晶粒外观的检测方法，其中，该环形光源可包括一组光源，其由多个呈向下倾斜且排列成环状的发光二极管所组成。本专利技术所述的用来检测发光二极管晶粒外观的检测方法，其中，该环形光源也可包括两组光源，并且每一组光源由多个呈向下倾斜且排列成环状的发光二极管所组成。本专利技术所述的用来检测发光二极管晶粒外观的检测方法，其中，可进一步包括一用于包覆该第一光源、该分光镜及该环形光源的、而只露出两个开口的外壳，并且该外壳呈 T字型。本专利技术所述的用来检测发光二极管晶粒外观的检测方法，其中，该检测装置可进一步包括一超声波顶针及一吸嘴，其中该超声波顶针设置于该检测平台的下方，通过超声波的震动方式来移除不合格的发光二极管晶粒，并且该吸嘴设置于该检测平台的上方，从而将上述不合格的发光二极管晶粒吸走。因此，本专利技术的有益效果在于本专利技术除了可免除人工操作及墨水浪费以降低制造成本及提高效率外，更能通过计算机计算出不良发光二极管芯片的数量及其所在区域， 进而使移除不良发光二极管芯片的过程更为方便。因此，通过得知不良发光二极管芯片的数量及其所在区域，更使得能在制造发光二极管芯片过程中掌握生成不良发光二极管芯片的原因，进而使得发本文档来自技高网...
【技术保护点】
于该分光镜的上方，以接收经过该分光镜的第三光束，进而得到每一个发光二极管晶粒的上表面的影像。发光波长的第一光源，其设置于该分光镜的一侧，其中该第一光源所产生的第一光束投向该分光镜，以产生一投向这些发光二极管晶粒的上表面的第二光束，并且该第二光束通过这些发光二极管晶粒的上表面而被反射成一向上投射的第三光束；以及一影像感测组件，其设置１．一种用来检测发光二极管晶粒外观的检测装置，其特征在于，包括：一检测平台，其具有一能移动的中空平台，其中一具有多个发光二极管晶粒的大晶片放置于该检测平台的中空平台上；一分光镜，其设置于该检测平台的上方；一能按该些发光二极管晶粒的类型来调整
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：汪秉龙，陈桂标，
申请(专利权)人：久元电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71
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