【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种投影物镜光学系统，尤其涉及一种可以应用在步进曝光设备中的光刻投影物镜。
技术介绍
光学光刻是一种用光将掩模图案投影复制的技术。集成电路就是由投影曝光装置制成的。借助于投影曝光装置，具有不同掩模图案的图形被成像至基底上，如硅片或IXD 板，用于制造集成电路、薄膜磁头、液晶显示板，或微机电(MEMS)等一系列结构。过去数十年曝光设备技术水平不断发展，满足了更小线条尺寸，更大曝光面积，更高可靠性及产率， 更低成本的需求。为了实现这种大曝光面积下高分辨率的图案，曝光装置必须提高物镜高数值孔径，缩短光源波长，及采用更复杂的光刻工艺技术。提高分辨率方法之一就是使用更短的曝光波长。从掩模面成像到硅片面的图案包含数层，所以必须校正光学畸变。其次，必须校正场曲，减少焦深范围内的套刻误差。最后， 为了增加焦深，减小套刻误差及放大倍率误差，投影物镜必须实现物方、像方双远心。步进式光刻设备广泛应用于光刻领域。步进式投影光学的主要特征是(1)大的成像范围(2)宽光谱光源，如汞灯(3)倾向采用Ix放大倍率为了获得高产率，必须使用宽光谱的汞灯或激光光源。光学光刻领域的大视场...
【技术保护点】
１．一种光刻投影物镜，把掩模的图像聚焦成像在基底上，从掩模开始包括沿光轴依次设置的：具有正光焦度第一透镜组；具有正光焦度第二透镜组；孔径光阑ＡＳ；具有正光焦度第三透镜组，所述第三透镜组相对于孔径光阑与第二透镜组对称设置；具有正光焦度第四透镜组，所述第四透镜组相对于孔径光阑与第一透镜组对称设置；其中：第一透镜组接收从掩模出射的光线，包含六个光焦度依次为负、负、正、正、正、负的透镜，其中第一透镜和第二透镜组成具有负光焦度的第一子透镜组Ｇ１－１ｎ，第五透镜和第六透镜组成具有负光焦度的第二子透镜组Ｇ１－２ｎ；第二透镜组收集从第一透镜组出射的近似平行光，并将其近似平行地出射至第三透镜...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：武珩，黄玲，
申请(专利权)人：上海微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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