电子发射元件和用于制造该电子发射元件的方法技术

本发明专利技术提供一种电子发射元件和用于制造该电子发射元件的方法。该电子发射元件，包括：第一电极；绝缘精细颗粒层，其形成在所述第一电极上并由第一绝缘精细颗粒以及大于第一绝缘精细颗粒的第二绝缘精细颗粒组成，所述绝缘精细颗粒层的表面具有由第二绝缘精细颗粒形成的凸部；以及第二电极，其形成在所述绝缘精细颗粒层上，其中，当在第一电极与第二电极之间施加电压时，从第一电极提供的电子在绝缘精细颗粒层中被加速，以经由所述凸部从第二电极发射出。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于通过施加电压来发射电子的电子发射元件以及用于制造该电子发射元件的方法。
技术介绍
包括Spindt型电极和碳纳米管(CNT)电极的电子发射元件被称为常规电子发射元件。已经研究了将这样的传统电子发射元件应用例如所述FED(场发射显示器)的场。通过由经由向尖角部分施加电压形成的约lGV/m的强电场引起的隧道效应来使此类电子发射元件来发射电子。然而，这两类电子发射元件具有在电子发射部分表面附近的强电场。因此，所发射的电子由于电场很可能使气体分子电离而获得大量的能量。由于气体分子的电离产生的阳离子由于强电场而被朝着元件的表面加速并与元件的表面碰撞。这导致由于溅射而引起的元件击穿的问题。此外，在产生离子之前产生臭氧，因为大气中的氧具有比电离能更低的离解能。臭氧对人体有害且由于其强氧化能力而使各种物质氧化。这引起该元件周围的构件被损坏的问题。为了防止此问题，元件周围的构件局限于对臭氧具有高抵抗力的材料。在这种背景下，已经开发了 MIM(金属绝缘体金属)型和MIS (金属绝缘体半导体) 型电子发射元件作为其他类型的电子发射元件。这些电子发射元件是表面发射型电子发射元件，其中本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种电子发射元件，包括：第一电极；绝缘精细颗粒层，所述绝缘精细颗粒层形成在所述第一电极上并包括第一绝缘精细颗粒以及大于所述第一绝缘精细颗粒的第二绝缘精细颗粒，所述绝缘精细颗粒层的表面具有由所述第二绝缘精细颗粒形成的凸部；以及第二电极，所述第二电极被形成在所述绝缘精细颗粒层上，其中，当在所述第一电极与所述第二电极之间施加电压时，从所述第一电极提供的电子在所述绝缘精细颗粒层中被加速，以经由所述凸部从所述第二电极发射出。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：井村康朗，平川弘幸，长冈彩绘，平田佳奈子，岩松正，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP