通过镀镍键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种通过镀镍键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件，其特征在于：包括支架，在所述的支架上通过导电胶粘接有至少一个半导体发光二极管封装件和至少一个驱动或控制电路器件，在所述的半导体发光二极管封装件与驱动或控制电路器件之间连接有镀镍键合铜丝，在所述的半导体发光二极管封装件与所述的支架连接有镀镍键合铜丝，所述的驱动或控制电路器件与支架之间设有镀镍键合铜丝，在所述的支架，半导体发光二极管封装件，驱动或控制电路器件，镀镍键合铜丝外封装有的密封体。本实用新型专利技术的目的是提供了一种通过镀镍键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

通过镀镍键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件本技术涉及一种通过镀镍键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件。 现有的半导体发光二极管封装件，它的基本结构是将经过封装的半导体发光二极管与其驱动或控制电路器件在完成连接后，用密封材料密封，并输出可见光。经过封装的半导体发光二极管与其驱动或控制电路器件分别粘结在支架上，通过键合铜丝相互连接。虽然铜引线键合作为一种可行的、经济的解决方案，已应用在半导体封装中。但是由于铜引线键合是集成到现有的镍引线键合工艺(主要是焊层材料)及封装设备上，所以，目前铜引线键合所占的引线键合比例依然很少，主要是因为铜引线键合面临着一些难点(1)键合铜丝容易被氧化；(2)键合接口结合力不够强壮，可靠性不稳定。电子结构和原子尺寸决定着化学性能，键合铜丝容易被氧化。在镍引线键合工艺中，芯片焊盘由镍或铝、引线框架(支架或基板)焊层由镍层构成，镍原子容易扩散、再结晶，接口结合力强壮。而铜与镍焊接，接口结合力较弱，可靠性不稳定，是业界一直致力解决的难题。随着工业逐步向绿色封装转移，NiPdAu预镀引线框架正逐渐获得应用，除了不用担心锡须生长问题的好处之外，NiPdAu引线框架取消了后镀工艺，有助于缩短生产周期。把铜线和NiPdAu引线框架结合起来，将会在电阻、成本节约和周期时间方面有显著改善。然而，在NiPdAu框架上的铜线键合和在镀镍的框架上的铜线键合之间存在显著不同，需要不同的结合条件，提高接口结合力。本技术的目的是提供了一种通过镀镍键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件。本技术采用下述技术方案一种通过镀镍键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件，其特征在于包括支架，在所述的支架上通过导电胶粘接有至少一个半导体发光二极管封装件和至少一个驱动或控制电路器件，在所述的半导体发光二极管封装件与驱动或控制电路器件之间连接有镀镍键合铜丝，在所述的半导体发光二极管封装件与所述的支架连接有镀镍键合铜丝，所述的驱动或控制电路器件与支架之间设有镀镍键合铜丝，在所述的支架，半导体发光二极管封装件，驱动或控制电路器件，镀镍键合铜丝外封装有的密封体。如上所述的通过镀镍键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件，其特征在于所述的半导体发光二极管封装件包括半导体发光二极管和封装所述半导体发光二极管的封装体。如上所述的通过镀镍键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件，其特征在于所述镀镍键合铜丝包括铜芯线或铜合镍芯线，在铜芯线或铜合镍芯线的表面包覆有镍层， 所述的镍层是通过电化学镀或化学镀工艺沉积在铜芯线或铜合镍芯线表面上形成的。如上所述的通过镀镍键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件，其特征在于所述的镀镍键合铜丝直径范围为0. 075mm-0. 010mm，镍层厚度为0. 1-0. 4um。本技术的有益效果是本技术中半导体发光二极管封装件与驱动或控制电路器件之间，半导体发光二极管封装件与所述的支架，所述的驱动或控制电路器件与支架之间，分别通过一种表面包覆纯镍层或镍合镍层的键合铜丝连接，这样解决键合铜丝被氧化问题，可在保护气芬下进行键合，提高接口结合强度和稳定的可靠性。镀镍键合铜丝能通过不多的成本增加来获得额外的连接能力提升，提高封装性能和实现高密度封装。附图说明图1为本技术结构示意图；图2为图1中A处的放大图；图3为镀镍键合铜丝的剖面示意图之一；图4为镀镍键合铜丝的剖面示意图之二。如图1和2所示，本技术公开了一种通过镀镍键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件，包括支架1，在所述的支架1上通过导电胶5粘接有至少一个半导体发光二极管封装件3和至少一个驱动或控制电路器件4，在所述的半导体发光二极管封装件3与驱动或控制电路器件4之间连接有镀镍键合铜丝6，在所述的半导体发光二极管封装件3与所述的支架1连接有镀镍键合铜丝6，所述的驱动或控制电路器件4与支架1之间连接有镀镍键合铜丝6，在所述的支架1，半导体发光二极管封装件3，驱动或控制电路器件4，镀镍键合铜丝6外封装有的密封体7。本技术中所述的半导体发光二极管封装件3包括半导体发光二极管和封装所述半导体发光二极管的封装体。本技术中，所述的镀镍键合铜丝6直径范围为0. 075mm-0. 010mm，镍层63厚度为 0. 1-0. 4um。镀镍键合铜丝6有多种实施方式。第一种，如图3所示，镀镍键合铜丝6由铜芯线61和包覆于铜芯线61表面的镍层 63镍层63化学质量成份99. 99%组成。第二种，如图4示，镀镍键合铜丝6由铜合镍芯线62和包覆于铜合镍芯线62表面的镍层63镍层63化学质量成份99. 99%组成。本技术中表面包覆镍层或镍合镍层是通过电化学镀或化学镀工艺将镍沉积在铜丝表面。权利要求1.一种通过镀镍键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件，其特征在于包括支架(1)，在所述的支架(1)上通过导电胶( 粘接有至少一个半导体发光二极管封装件(3) 和至少一个驱动或控制电路器件G)，在所述的半导体发光二极管封装件C3)与驱动或控制电路器件(4)之间连接有镀镍键合铜丝(6)，在所述的半导体发光二极管封装件( 与所述的支架(1)连接有镀镍键合铜丝(6)，所述的驱动或控制电路器件(4)与支架(1)之间设有镀镍键合铜丝(6)，在所述的支架(1)，半导体发光二极管封装件(3)，驱动或控制电路器件G)，镀镍键合铜丝(6)外封装有的密封体(7)。2.根据权利要求1所述的通过镀镍键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件，其特征在于所述的半导体发光二极管封装件C3)包括半导体发光二极管和封装所述半导体发光二极管的封装体。3.根据权利要求1或2所述的通过镀镍键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件，其特征在于所述镀镍键合铜丝(6)包括铜芯线(61)或铜合镍芯线(62)，在铜芯线(61) 或铜合镍芯线(6 的表面包覆有镍层(63)，所述的镍层(6 是通过电化学镀或化学镀工艺沉积在铜芯线(61)或铜合镍芯线(62)表面上形成的。4.根据权利要求1所述的通过镀镍键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件， 其特征在于所述的镀镍键合铜丝(6)直径范围为0.075mm-0.010mm，镍层(63)厚度为 0. 1-0. 4um。专利摘要本技术公开了一种通过镀镍键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件，其特征在于包括支架，在所述的支架上通过导电胶粘接有至少一个半导体发光二极管封装件和至少一个驱动或控制电路器件，在所述的半导体发光二极管封装件与驱动或控制电路器件之间连接有镀镍键合铜丝，在所述的半导体发光二极管封装件与所述的支架连接有镀镍键合铜丝，所述的驱动或控制电路器件与支架之间设有镀镍键合铜丝，在所述的支架，半导体发光二极管封装件，驱动或控制电路器件，镀镍键合铜丝外封装有的密封体。本技术的目的是提供了一种通过镀镍键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件。文档编号H01L33/48GK202018998SQ20112009994公开日2011年10月26日 申请日期2011年4月8日 优先权日2011年4月8日专利技术者袁毅 申请人:袁毅本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种通过镀镍键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件，其特征在于：包括支架（１），在所述的支架（１）上通过导电胶（５）粘接有至少一个半导体发光二极管封装件（３）和至少一个驱动或控制电路器件（４），在所述的半导体发光二极管封装件（３）与驱动或控制电路器件（４）之间连接有镀镍键合铜丝（６），在所述的半导体发光二极管封装件（３）与所述的支架（１）连接有镀镍键合铜丝（６），所述的驱动或控制电路器件（４）与支架（１）之间设有镀镍键合铜丝（６），在所述的支架（１），半导体发光二极管封装件（３），驱动或控制电路器件（４），镀镍键合铜丝（６）外封装有的密封体（７）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：袁毅，
申请(专利权)人：袁毅，
类型：实用新型
国别省市：44