双层氮化硅减反射膜制备方法技术

本发明专利技术公开一种双层氮化硅减反射膜制备方法，其特征在于：制备步骤包括：（1）在晶体硅太阳电池正面沉积第一层氮化硅膜，厚度为10nm-20nm；（2）在步骤（1）制备的第一层氮化硅膜上沉积第二层氮化硅膜，厚度为60nm-70nm。本发明专利技术制备的双层氮化硅减反射膜与单层氮化硅减反射膜相比，该减反射膜可使得电池对太阳光的反射减少了1%-2%，电池转换效率提高了1.5%左右，因此，使得太阳电池具有更低的反射率，更高的转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体硅太阳电池制备领域，具体涉及一种晶体硅太阳电池的。
技术介绍
减反射膜的制作是太阳电池制作流程中的一道重要工序。该薄膜的主要作用是减少太阳光的反射，增加电池对太阳光的吸收，提高电池的转换效率。工业化生产中多采用氮化硅作为晶体硅太阳电池的减反射膜。该方法主要采用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)法在电池正面沉积氮化硅，原理是以硅烷和氨气作为反应气体，利用气体放电时产生的高温使反应气体分解，然后通过化学反应生成氮化硅，发生的反应为SiH4 + NH3 — SiNx + H2这种单层氮化硅膜的制作方法虽然较为简单、容易操作，但由于太阳光的光谱范围很宽，单层氮化硅减反射膜效果还不是很理想，反射率仍高达4%-5%，造成太阳光的吸收率低、 转换效率不理想；因此，如何制作反射率更低的减反射膜来提高电池效率是本行业亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术的上述不足，提供了一种使得太阳电池具有更低的反射率， 更高的转换效率的。为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为一种，制备步骤包括(1)在晶体硅太阳电池正面沉积第一层氮化硅膜，厚度为10nm-20nm;本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种双层氮化硅减反射膜制备方法，其特征在于：制备步骤包括：（１）在晶体硅太阳电池正面沉积第一层氮化硅膜，厚度为１０ｎｍ－２０ｎｍ；（２）在步骤（１）制备的第一层氮化硅膜上沉积第二层氮化硅膜，厚度为６０ｎｍ－７０ｎｍ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：余涛，刘伟，陈筑，刘晓巍，吴艳芬，蔡二辉，徐晓群，
申请(专利权)人：宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：97