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本发明公开一种双层氮化硅减反射膜制备方法，其特征在于：制备步骤包括：（1）在晶体硅太阳电池正面沉积第一层氮化硅膜，厚度为10nm-20nm；（2）在步骤（1）制备的第一层氮化硅膜上沉积第二层氮化硅膜，厚度为60nm-70nm。本发明制备的双...
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