化学气相沉积外延设备用的喷淋头结构制造技术

本发明专利技术涉及一种化学气相沉积外延设备用的喷淋头结构，它包括层叠设置的上层进气层、至少一中间进气层和下层冷却层；上层进气层中设有上层进气槽，该上层进气槽与至少一上层进口管和至少一上层出口管连通，上层出口管上端与上层进气槽连通，下端由中间进气层和冷却层中垂直穿出；中间进气层中设有中间进气槽，该中间进气槽与至少一中间进口管和至少一中间出口管连通，第一出口管上端与中间进气槽连通，下端由冷却层中垂直穿出；中间出口管同轴套设于对应上层出口管上，且该上层出口管和中间出口管之间留有环形间隙。本发明专利技术加工工艺简单，拆装维护方便，清洗彻底，并能在均匀进气的同时抑制预反应，可为各类化学气相沉积工艺提供可靠的硬件支持。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种化学气相沉积外延设备，具体涉及一种化学气相沉积外延设备用的喷淋头结构。
技术介绍
化学气相沉积(Chemical Vapour D印osition，简称CVD)是上世纪中期发展起来的一种薄膜沉积的方法，是通过气体混合后在一定的条件下发生化学反应，并在基片表面沉积一层薄膜的工艺。在现在广泛用于微电子、光电子以及硬质镀膜等领域中。用化学气相沉积方法沉积薄膜材料，通常需要各种原材料和载入气体，原材料包括参与化学反应并形成薄膜产物的原料成分；载气包括各种携带原材料的气体，如氢气、氮气等，这些载气只载入原材料进入反应室，本身并不参与化学反应。CVD薄膜沉积过程都包含以下步骤(1)载气携带着反应物从反应器进口流向反应器出口，此主气流流动受到温差、流道扩张、基片旋转等引起的强烈影响；( 主气流在基片上方形成平行于基片的三种边界层；在边界层内反应物被加热，发生分解、置换等气相化学反应，生成反应中间产物；(3)反应物或反应中间物通过对流和浓度扩散，穿透边界层到达基片表面；(4)反应物在基片表面吸附，再通过表面扩散、结合入晶格等表面反应步骤完成薄膜沉积；(5)反应物和反应副产物在表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种化学气相沉积外延设备用的喷淋头结构，其特征在于：它包括层叠设置的上层进气层、至少一中间进气层和下层冷却水层；其中，所述上层进气层中设有上层进气槽，该上层进气槽与至少一上层进口管和至少一上层出口管连通，所述上层出口管上端与上层进气槽连通，下端由中间进气层和下层冷却层中垂直穿出；所述中间进气层中设有中间进气槽，该中间进气槽与至少一中间进口管和至少一中间出口管连通，所述第一出口管上端与中间进气槽连通，下端由下层冷却层中垂直穿出；所述中间出口管同轴套设于对应的上层出口管上，且该上层出口管和该中间出口管之间留有环形间隙。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱建军，王国斌，张永红，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：32