外延设备制造技术

一种外延设备，包括一壳体、贯穿壳体中央位置的中央轴、流体管模块、公转轴套、复数承盘、外齿环、复数行星齿轮及马达。中央轴内部挖设有一轴内空间，流体管模块包括有一外管、穿设外管的三内管及一喷嘴结构，喷嘴结构包括有独立的三喷气孔组、相连通的复数入水孔与出水孔。该三喷气孔组都各环设有复数个喷气孔，且该三喷气孔组对应连通于三内管，入水孔连通外管，出水孔连通中央轴的轴内空间。公转轴套自由转动地套设在中央轴，马达耦接于公转轴套，承盘自由转动地穿设在公转轴套，气体导流通道连通至承盘的承载面并夹一锐角。行星齿轮对应套设在承盘，并啮合于外齿环。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术是关于一种外延设备，尤其指一种适用于半导体工艺的外延设备。
技术介绍
半导体组件如发光二极管(LED)的前端制造流程包括有长晶、切锭、切片、抛光、 外延、切割、晶粒封装等步骤，其中外延是指在单晶基板上沉积一层单晶薄膜。而公知主要是在半导体基板如硅、蓝宝石、砷化镓、碳化硅等园片表面上进行外延层的气相化学沉积 将晶座配置于反应容器内，并且将基板配置于此晶座上的状态下，利用加热装置将基板加热至所希望的外延温度，同时利用气体供应装置对于基板表面供应工艺气体来进行。工艺气体需维持低温状态，直至到达高温的园片。请参考图IA与图1B，为一种公知外延设备示意图，主要是将一或多片园片1承载于一转动盘2上，并同时通入适当工艺气体例如三甲基镓、三甲基铟、氨气等。可注意其中工艺气体流道方向与园片面近乎平行。此外，在过程中还需使用加热器3以提供适当的工艺反应温度。请参考图2，为另一种公知外延设备示意图，园片4同样承载于转动盘5上，工艺气体通入末端有许多分岔的管路。可注意其中工艺气体出口 6的方向位于园片面正上方，呈平行配置，也即诸工艺气体喷出方向与园片表面垂直。上述公知外延设备的缺点在于气体无法均勻本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种外延设备，其特征在于，包括：一壳体，包括有一上壳体、一中壳体及一下壳体，由上而下依序结合；一中央轴，贯穿该壳体的中央位置，以其外侧表面螺合于该下壳体，并于内部挖设有一轴内空间，该中央轴与该上壳体、该中壳体及该下壳体分别界定出一气体导流通道、一中部空间及一下部空间；一流体管模块，包括有一外管、穿设该外管的三内管及一喷嘴结构，该喷嘴结构包括有独立的三喷气孔组、相连通的复数入水孔与出水孔，其中该三喷气孔组都各别环设复数个喷气孔，且该三喷气孔组对应连通于该三内管，该入水孔连通该外管，该出水孔连通该中央轴的该轴内空间；一公转轴套，自由转动地套设在该中央轴；一马达，耦接于该公转轴套；复数承盘，自由...

【技术特征摘要】
1.一种外延设备，其特征在于，包括一壳体，包括有一上壳体、一中壳体及一下壳体，由上而下依序结合；一中央轴，贯穿该壳体的中央位置，以其外侧表面螺合于该下壳体，并于内部挖设有一轴内空间，该中央轴与该上壳体、该中壳体及该下壳体分别界定出一气体导流通道、一中部空间及一下部空间；一流体管模块，包括有一外管、穿设该外管的三内管及一喷嘴结构，该喷嘴结构包括有独立的三喷气孔组、相连通的复数入水孔与出水孔，其中该三喷气孔组都各别环设复数个喷气孔，且该三喷气孔组对应连通于该三内管，该入水孔连通该外管，该出水孔连通该中央轴的该轴内空间；一公转轴套，自由转动地套设在该中央轴；一马达，耦接于该公转轴套；复数承盘，自由转动地穿设在该公转轴套，其中该气体导流通道连通至该承盘的承载面并夹一锐角；一外齿环，固设在该壳体内；以及复数行星齿轮，对应套设在该复数承盘，并啮合于该外齿环。2.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕秀正，李尚文，梁文进，
申请(专利权)人：拓志光机电股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71