III族氮化物半导体的气相生长装置制造方法及图纸

本发明专利技术的课题在于提供一种III族氮化物半导体的气相生长装置，其包括保持基板的衬托器、该衬托器的相对面、用于对该基板进行加热的加热器、由该衬托器和该衬托器的相对面的间隙形成的反应炉、将原料气体从该反应炉的中心部供向周边部的原料气体导入部以及反应气体排出部，即使在晶体生长于大尺寸、多个基板的表面上的情况下，仍可相对所有角度，以均匀的流量喷射原料气体，可在衬托器的相对面上抑制原料气体的分解、结晶化。衬托器的相对面具有在内部使制冷剂流通的机构，原料气体导入部具有由通过圆板状的分隔部而沿上下方向分隔的结构形成的多个气体喷射口，该气体喷射口中的至少1个具有通过多个柱状的分隔部而沿圆周方向分隔的结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及III族氮化物半导体的气相生长装置(M0CVD装置)，更具体地说，涉及 包括保持基板的衬托器、用于对基板进行加热的加热器、原料气体导入部、反应炉以及反应 气体排出部等的III族氮化物半导体的气相生长装置。
技术介绍
有机金属化合物气相生长法(M0CVD法)和分子束外延法(MBE法)常用于氮化物 半导体的晶体生长。特别是，MOCVD法的晶体生长速度快于MBE法，另外，也不必要求像MBE 法那样的高真空装置等，由此，广泛地用于产业界的化合物半导体量产装置。近年，为了提 高伴随蓝色或紫外线LED和蓝色或紫外线激光二极管的普及，氮化镓、氮化铟镓、氮化铝镓 的量产性，人们对构成MOCVD法的对象的基板的大尺寸化、数量增加进行了许多研究。作为这样的气相生长装置，例如，像专利文献1 4所示的那样，可列举包括保持 基板的衬托器、衬托器的相对面、用于对该基板进行加热的加热器、由该衬托器和该衬托器 的相对面的间隙形成的反应炉、将原料气体从该反应炉的中心部供向周边部的原料气体导 入部以及反应气体排出部的气相生长装置。在这些气相生长装置中，形成下述的结构，其 中，多个基板保持器设置于衬托器上本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＩＩＩ族氮化物半导体的气相生长装置，其包括保持基板的衬托器、该衬托器的相对面、用于对该基板进行加热的加热器、由该衬托器和该衬托器的相对面的间隙形成的反应炉、将原料气体从该反应炉的中心部供向周边部的原料气体导入部以及反应气体排出部，其特征在于衬托器的相对面具有使制冷剂在其内部流通的机构，原料气体导入部具有由通过圆板状的分隔部而沿上下方向分隔的结构形成的多个气体喷射口，该气体喷射口中的至少１个具有通过多个柱状的分隔部而沿圆周方向分隔的结构。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：矶宪司，石滨义康，高木亮平，高桥让，
申请(专利权)人：日本派欧尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP