狭缝式多气体输运喷头结构制造技术

本发明专利技术公开了一种狭缝式多气体输运喷头结构，包括喷头，喷头上设有若干进气管道、若干辅助气路管道、第一匀气孔板、第二匀气孔板及导流板，进气管道管壁与辅助气路管道空间连通，第一匀气孔板外侧设有若干相互平行的进气管道，第一匀气孔板内侧相邻进气管道之间设有与进气管道平行的导流板，所述导流板连接第一匀气孔板及第二匀气孔板后向下延伸。本发明专利技术能有效减少预反应的发生，提高反应效率，且当喷头的长度增加时，增加对应的辅助气路管道的数量，实现气流的浓度和速度均匀分布，从而满足大规模生产设备的需要。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种狭缝式多气体输运喷头结构，尤其是涉及一种具有多气体喷头的狭缝式多气体输运喷头结构。
技术介绍
Ⅲ-Ⅴ族半导体材料，如氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）等，具有宽的直接带隙、高的热导率、化学稳定性好等性质，广泛地应用于微电子器件和光电子器件，如用于照明或背光源的半导体发光二极管（LED），用于信息存储和激光打印的蓝紫光激光器（LD）以及紫外(UV)探测器和高频高功率的晶体管等，目前对Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的研究与应用是全球半导体研究的前沿与热点。在竞争日益激烈的Ⅲ-Ⅴ族半导体器件领域，商业化运行要求半导体设备能够一次性在大尺寸以及多数量的衬底上进行Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的生长,将产能最大化。目前典型的商业化半导体生产设备，比如金属有机物化学气相淀积系统（MOCVD）和氢化物气相外延系统（HVPE），其设计理念一直向着提高产能、降低成本的方向发展。目前市场上主流的商用半导体设备,比如金属有机物化学气相淀积系统（MOCVD）,大部分都采用了垂直式反应腔设计，通过反应腔上方的喷头将沉积所需要的Ⅲ族和Ⅴ族源气体输运进反应腔，垂直的气流到达石墨基座后，在基座表面形成一层很薄的滞留层，本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种狭缝式多气体输运喷头结构，包括喷头（１），其特征在于：所述喷头（１）上设有若干进气管道（１０）、若干辅助气路管道（２０）、第一匀气孔板（３０）、第二匀气孔板（４０）及导流板（５０），所述进气管道（１０）管壁与辅助气路管道（２０）空间连通，所述第一匀气孔板（３０）外侧设有若干相互平行的进气管道（１０），所述第一匀气孔板（３０）横切相交进气管道（１０），所述第一匀气孔板（３０）内侧下面设有平行的第二匀气孔板（４０），第一匀气孔板（３０）上与进气管道（１０）横切相交处开设有第一气孔（３１），所述第二匀气孔板（４０）上开设有若干第二气孔（４１），第一匀气孔板（３０）内侧相邻进气管道（１０）之间...

【技术特征摘要】
1.一种狭缝式多气体输运喷头结构，包括喷头（1），其特征在于：所述喷头（1）上设有若干进气管道（10）、若干辅助气路管道（20）、第一匀气孔板（30）、第二匀气孔板（40）及导流板（50），所述进气管道（10）管壁与辅助气路管道（20）空间连通，所述第一匀气孔板（30）外侧设有若干相互平行的进气管道（10），所述第一匀气孔板（30）横切相交进气管道（10），所述第一匀气孔板（30）内侧下面设有平行的第二匀气孔板（40），第一匀气孔板（30）上与进气管道（10）横切相交处开设有第一气孔（31），所述第二匀气孔板（40）上开设有若干第二气孔（41），第一匀气孔板（30）内侧相邻进气管道（10）之间设有与进气管道（10）平行的导流板（50），所述导流板（50）连接第一匀气孔板（30）及第二匀气孔板（40）后向下延伸。2.根据权利要求1所述的狭缝式多气体输运喷头结构，其特征在于：所述第二气孔（41）分布比第一气孔（31）密集。3.根据权利要求1所述的狭缝式多气体输运喷头结...

【专利技术属性】
技术研发人员：李燮，刘鹏，陆羽，张国义，孙永健，赵红军，袁志鹏，
申请(专利权)人：东莞市中镓半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：44