单晶制绒片架压条装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种单晶制绒片架压条装置，包括：第一压条；第二压条，与第一压条相互平行；第三压条，一端连接在第一压条的中点区域，另一端连接在第二压条的中点区域；所述第三压条中设置有通孔。本实用新型专利技术实施例提供的单晶制绒片架压条装置中，在压条中设置了通孔，通孔能够疏导压条处制绒液的流动，使压条处制绒液的流动与周边区域相同，进而使硅片压条处的腐蚀速率与其它区域相同，避免了硅片上压条印的形成，进而解决了硅片在PECVD制程中产生色斑的缺陷。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及单晶硅太阳能电池制造
，尤其涉及一种单晶制绒片架压 条装置。技术背景单晶硅太阳能电池制造工艺流程第一道工序通常为单晶硅表面织构化，为了得到 良好的“金字塔”状的绒面陷光结构，现有已经成熟的方法是利用低浓度的氢氧化钠(氢氧 化钾)、IPA(异丙醇)、硅酸钠(硅酸钾)按一定比例形成制绒液，将硅片放入该制绒液中 腐蚀以达到制绒的目的。通过硅片制绒，可以有效地增强硅片对入射太阳光的吸收，从而提 高光生电流密度。常规的硅片制绒工艺实施过程中，需要将硅片放置于专用的制绒片架中，为防止 硅片在制绒液中浮起，需要使用压条装置将硅片固定在片架中，这样势必影响压条处制绒 液的流动，使压条处硅片的腐蚀速率与周边大不相同，导致硅片制绒后压条处存在明显压 条印，进而对后续的PECVD(等离子体增强化学气象淀积)工序造成影响，使硅片对应的压 条处形成明显的色斑。为此，现有技术中的常用解决方案为增加IPA使用量，借助IPA的高 挥发性增加溶液的流动性，或者为设备增加鼓泡系统和循环系统来增加制绒液的流动性， 以减弱压条印。然而，现有技术的解决方案中，并没有从根本上解决制绒腐蚀中出现的压条印问 题，同时无论是增加IPA用量还是增加鼓泡和循环系统，都增加了单晶硅太阳能电池的成 本，不利于大规模的推广和应用。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本技术申请的目的在于提供单晶制绒片架压条装置， 以解决硅片在制绒腐蚀中出现的压条印问题，并无需增加IPA用量或增加鼓泡和循环系 统，以降低单晶硅太阳能电池的成本。为实现上述目的，本技术提供了如下技术方案—种单晶制绒片架压条装置，包括第一压条；第二压条，与第一压条相互平行；第三压条，一端连接在第一压条的中点区域，另一端连接在第二压条的中点区 域；所述第三压条中设置有通孔。优选的，第三压条中的通孔设置在第三压条与硅片接触位置相对应的位置。优选的，所述第三压条垂直与第一压条和第二压条。优选的，所述通孔为圆形，其直径为1毫米至2毫米。优选的，所述通孔为正方形，其边长为1毫米至2毫米。优选的，所述通孔为椭圆形、正多边形或不规则多边形。优选的，所述第三压条中设置有多个不同形状的通孔；所述通孔为圆形、椭圆形、正多边形或不规则多边形。优选的，所述第三压条中设置有多个通孔；相邻的两个通孔之间的距离相同或不同。优选的，所述通孔之间的间距，与硅片接触第三压条的各个位置之间的间距相匹配。本技术实施例提供的单晶制绒片架压条装置中，在压条中设置了通孔，通孔 能够疏导压条处制绒液的流动，使压条处制绒液的流动与周边区域相同，进而使硅片压条 处的腐蚀速率与其它区域相同，避免了硅片上压条印的形成，进而解决了硅片在PECVD制 程中产生色斑的缺陷。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例 或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅 是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提 下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术中的单晶制绒片架压条装置结构示意图；图2为本技术实施例一提供的单晶制绒片架压条装置结构示意图；图3为本技术实施例二提供的单晶制绒片架压条装置结构示意图。具体实施方式现有技术中的单晶硅太阳能电池生产过程中，在制绒步骤中容易出现硅片压条处 存在明显压条印，使后续制程中硅片的压条处形成明显的色斑。其一种解决方法是增加IPA 用量或增加鼓泡和循环系统，但这种方案会增加单晶硅太阳能电池的成本，不利于大规模 的推广和应用。为此，本技术实施例提供了一种单晶制绒片架压条装置，包括第一压条；第 二压条，与第一压条相互平行；第三压条，一端连接在第一压条的中点区域，另一端连接在 第二压条的中点区域；所述第三压条中设置有通孔。本技术实施例提供的单晶制绒片架压条装置中，在压条中设置了通孔，通孔 能够疏导压条处制绒液的流动，使压条处制绒液的流动与周边区域相同，进而使硅片压条 处的腐蚀速率与其它区域相同，避免了硅片上压条印的形成，进而解决了硅片在PECVD制程中产生色斑的缺陷。以上是本技术的核心思想，下面将结合本技术实施例中的附图，对本实 用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新 型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员 在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例一参见图1所示，为现有技术中的一种单晶制绒片架压条装置示意图，101为第一压 条，102为第二压条，103为第三压条。其中，第三压条103为与硅片相接触的压条，在硅片 制绒步骤中，存在硅片与第三压条103相接触的区域形成压条印的缺陷。为此，本实施例提供了一种单晶制绒片架压条装置，参见图2所示，为该装置的一 种结构示意图，该装置具体包括第一压条201;第二压条202，与第一压条201相互平行；第三压条203，一端连接在第一压条201的中点区域，另一端连接在第二压条202 的中点区域；所述第三压条203中设置有通孔2031。其中，因压条装置需要将硅片固定在制绒片架中，为了进一步的提高第三压条203 与硅片接触处的制绒液的流动速率，本实施例中，所述通孔2031可以设置在第三压条203 与硅片接触位置相对应的位置。所述各个通孔之间的间距，与硅片接触压条的各个位置之 间的间距相匹配。具体的，如图2所示，所述第三压条203还可以垂直于第一压条201和第二压条 202。此外，所述通孔可以为圆形，其直径为1毫米至2毫米。所述通孔还可以为边长为 1毫米至2毫米的正方形。所述通孔还可以为椭圆形、正多边形或不规则多边形。本实施例 中，所述通孔的大小可以根据所述第三压条的宽度做相应的调整，并不局限于一个特定的 范围之内。本技术实施例提供的单晶制绒片架压条装置中，在压条中设置了通孔，通孔 能够疏导压条处制绒液的流动，使压条处制绒液的流动与周边区域相同，进而使硅片压条 处的腐蚀速率与其它区域相同，避免了硅片上压条印的形成，进而解决了硅片在PECVD制 程中产生色斑的缺陷。实施例二 参见图3所示，为本实施例提供的单晶制绒片架压条装置示意图一种结构示意 图，该装置具体包括第一压条301 ；第二压条302，与第一压条301相互平行；第三压条303，一端连接在第一压条301的中点区域，另一端连接在第二压条302 的中点区域；所述第三压条303中设置有通孔3031。其中，第三压条303垂直于第一压条301和第二压条302。如图3所示，本实施例中，所述第三压条303中可以设置有多个不同形状的通孔 3031，具体包括椭圆形的通孔和矩形通孔。5所述通孔3031可以为圆形、椭圆形、正多边形或不规则多边形。本实施例中，所述通孔可以均勻的设置于第三压条上，即相邻的两个通孔之间的 距离相同；还可以根据第三压条与硅片的接触位置，设置通孔的分布，即相邻的两个通孔之 间的距离可以不相同。本实施例中，所述各个通孔之间的间距，与硅片接触压条的各个位置 之间的间距相匹配。本技术实施例提供的单晶制绒片架压条装置中，在压条中设置了通孔，通孔 本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种单晶制绒片架压条装置，其特征在于，包括：第一压条；第二压条，与第一压条相互平行；第三压条，一端连接在第一压条的中点区域，另一端连接在第二压条的中点区域；所述第三压条中设置有通孔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李建飞，祝耀华，于海娇，王守志，李扬，
申请(专利权)人：江阴浚鑫科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32