有效提高硅烷法多晶硅硅棒生长速度的系统技术方案

技术编号:6673652 阅读:352 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术公开一种能有效降低硅烷法多晶硅硅棒生长速度的系统。它包括混合气体预热器、还原炉、出口尾气冷却器、出口尾气过滤器、压缩机冷却器、压缩机进口过滤器、压缩机、分离系统、三通阀、返回气体管线,混合气体预热器一端、还原炉、出口尾气冷却器、出口尾气过滤器、压缩机冷却器、压缩机进口过滤器、压缩机、三通阀、分离系统一端顺次相连,三通阀与返回气体管线一端相连,离系统另一端与混合气体预热器另一端和返回气体管线另一端相连。本实用新型专利技术节省了在分离系统中的能源损耗,提高还原炉的反应效率,加快了硅棒的生长速度。减少生产成本,提高生产效率。(*该技术在2020年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种有效提高硅烷法多晶硅硅棒生长速度的系统
技术介绍
电子级多晶硅材料是众多高科技电子信息行业不可或缺的原料。硅烷又是生产 电子级多晶硅的唯一原料。但是,高成本、高能耗一直是电子级多晶硅材料生产的一个瓶 颈。在原有的技术中,还原炉出口的尾气需要通过一系列的冷却、升温、再冷却及在升温的 过程,达到氢气和硅烷的彻底分离,再重新混合进入还原炉进行反应,这不仅增大了物料在 分离过程中的损耗,也势必增加的循环利用的时间,并消耗大量的能耗,提高生产成本。本 技术在还原炉出口尾气的氢气硅烷进行分离之前,增加了一路返回到还原炉进口的管 线,将一部分或者全部的氢气硅烷混合气体在分离之前重新送回到还原炉进行重新反应, 节约运行时间,加快硅棒的生长速度,同时减少能耗,降低生产成本。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术的不足,提供一种有效提高硅烷法多晶硅硅棒 生长速度的系统。有效提高硅烷法多晶硅硅棒生长速度的系统包括混合气体预热器、还原炉、出口 尾气冷却器、出口尾气过滤器、压缩 机冷却器、压缩机进口过滤器、压缩机、分离系统、三通 阀、返回气体管线,混合气体预热器一端、还原炉、出口尾气冷却器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有效提高硅烷法多晶硅硅棒生长速度的系统,其特征在于包括混合气体预热器(1)、还原炉(2)、出口尾气冷却器(3)、出口尾气过滤器(4)、压缩机冷却器(5)、压缩机进口过滤器(6)、压缩机(7)、分离系统(8)、三通阀(9)、返回气体管线(10),混合气体预热器(1)一端、还原炉(2)、出口尾气冷却器(3)、出口尾气过滤器(4)、压缩机冷却器(5)、压缩机进口过滤器(6)、压缩机(7)、三通阀(9)、分离系统(8)一端顺次相连,三通阀(9)与返回气体管线(10)一端相连,离系统(8)另一端与混合气体预热器(1)另一端和返回气体管线(10)另一端相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:杨建松郑安雄陈德伟
申请(专利权)人:浙江中宁硅业有限公司
类型:实用新型
国别省市:33

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