【技术实现步骤摘要】
本技术属于乙硅烷充装，具体涉及一种高纯乙硅烷充装系统。
技术介绍
1、高纯乙硅烷是太阳能电池、非晶硅膜、化学沉积等过程中重要的原料，主要应用包括半导体技术生长氮化硅膜，氧化硅膜。在化学沉积工艺中，与硅烷比较，高纯乙硅烷具有沉积速度快、沉积温度低特点。高纯乙硅烷可以防止无定形硅中产生球状凸起，提高沉积的均一性，主要使用在20纳米以下高端芯片制造。在离子注入中，乙硅烷束流强，效果优于其他离子源。在半导体工艺中用于外延和扩散工艺，使用乙硅烷，可以使用价格低的玻璃取代昂贵的石英玻璃做lcd的基板。
2、高纯乙硅烷易液化，且受外部环境影响较大，常温下气瓶内易形成小液珠和气体的混合物，在常规抽真空下是不足以处理合格。
技术实现思路
1、为了解决上述问题，本技术提供了一种高纯乙硅烷充装系统。
2、本技术的一种高纯乙硅烷充装系统的技术方案是：
3、一种高纯乙硅烷充装系统，包括充装柜、冷却装置、液相高纯乙硅烷充装管线、气相高纯乙硅烷充装管线、吹扫管线、抽真空管线以及放空管线，所述充装柜上设有多接头充装面板，所述液相高纯乙硅烷充装管线、气相高纯乙硅烷充装管线、吹扫管线、抽真空管线以及放空管线分别与所述多接头充装面板连接，所述充装柜内设有若干个分别与所述多接头充装面板连接的气瓶接口，所述充装柜内设有加热装置以及若干个用于对气瓶一一称重的称重装置，所述冷却装置用于对所述充装柜内部降温。
4、进一步的，所述充装柜具有两个，所述冷却装置包括冷水机组以及两个冷却盘
5、进一步的，所述吹扫管线包括第一氦气干路管、第二氦气干路管、第一氦气支路管和第二氦气支路管，所述第一氦气干路管的一端与其中一个所述多接头充装面板连接，所述第一氦气支路管和第二氦气支路管并联布置在所述第一氦气干路管的另一端，所述第二氦气干路管的两端分别与第一氦气干路管以及另一个多接头充装面板连接，所述第一氦气支路管和第二氦气支路管分别设有第一氦气瓶箱和第二氦气瓶箱，所述第一氦气支路管和第二氦气支路管分别设有控制阀。
6、进一步的，所述第一氦气干路管、第二氦气干路管上分别设有第一单向阀。
7、进一步的，所述放空管线包括第一放空管以及第二放空管，所述第一放空管的一端与其中一个所述多接头充装面板连接，所述第二放空管的两端分别与第一放空管以及另一个所述多接头充装面板连接，所述第一放空管以及第二放空管上分别设有放空阀。
8、进一步的，所述抽真空管线包括回收罐、第一真空管、第二真空管以及第三真空管，所述第一真空管的两端分别与所述回收罐的进料口以及其中一个所述多接头充装面板连接，所述第二真空管的两端分别与所述第一真空管以及另一个所述多接头充装面板连接，所述第三真空管的一端与所述回收罐的出气口连接，所述第三真空管上设有第一真空泵以及第一截止阀，所述第三真空管与所述第二放空管端部连接。
9、进一步的，所述第一真空管以及第二真空管上分别设有第二单向阀。
10、进一步的，所述抽真空管线包括第四真空管，所述第四真空管的两端分别连接在所述第一截止阀出气端一侧和所述第一真空泵进气端一侧的第三连接管上，所述第四真空管上设有第二真空泵和第二截止阀。
11、本技术提供了一种高纯乙硅烷充装系统，其有益效果是：
12、本技术的高纯乙硅烷充装系统通过充装柜和若干个钢瓶的结构设置，提高了充装操作的功能性以及充装效率。本技术的高纯乙硅烷充装系统充装之前将钢瓶放入烘箱进行升温，再对钢瓶抽真空处理，将钢瓶内的残液处理出来，残液处理后连接充装管线进行充装。能够将钢瓶内的残液完全抽出，提高了钢瓶洁净度。充装过程中，换钢瓶时采用氦气保压确保了安全，避免了因泄露造成的环境污染。
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1.一种高纯乙硅烷充装系统，其特征在于，包括充装柜、冷却装置、液相高纯乙硅烷充装管线、气相高纯乙硅烷充装管线、吹扫管线、抽真空管线以及放空管线，所述充装柜上设有多接头充装面板，所述液相高纯乙硅烷充装管线、气相高纯乙硅烷充装管线、吹扫管线、抽真空管线以及放空管线分别与所述多接头充装面板连接，所述充装柜内设有若干个分别与所述多接头充装面板连接的气瓶接口，所述充装柜内设有加热装置以及若干个用于对气瓶一一称重的称重装置，所述冷却装置用于对所述充装柜内部降温。
2.根据权利要求1所述的高纯乙硅烷充装系统，其特征在于，所述充装柜具有两个，所述冷却装置包括冷水机组以及两个冷却盘管，两个所述冷却盘管分别布置在两个所述充装柜内，所述冷水机组的进水口通过三通接头与两个所述冷却盘管的进水口连接，所述冷水机组的出水口通过三通接头与两个所述冷却盘管的出水口连接。
3.根据权利要求2所述的高纯乙硅烷充装系统，其特征在于，所述吹扫管线包括第一氦气干路管、第二氦气干路管、第一氦气支路管和第二氦气支路管，所述第一氦气干路管的一端与其中一个所述多接头充装面板连接，所述第一氦气支路管和第二氦气
4.根据权利要求3所述的高纯乙硅烷充装系统，其特征在于，所述第一氦气干路管、第二氦气干路管上分别设有第一单向阀。
5.根据权利要求2所述的高纯乙硅烷充装系统，其特征在于，所述放空管线包括第一放空管以及第二放空管，所述第一放空管的一端与其中一个所述多接头充装面板连接，所述第二放空管的两端分别与第一放空管以及另一个所述多接头充装面板连接，所述第一放空管以及第二放空管上分别设有放空阀。
6.根据权利要求5所述的高纯乙硅烷充装系统，其特征在于，所述抽真空管线包括回收罐、第一真空管、第二真空管以及第三真空管，所述第一真空管的两端分别与所述回收罐的进料口以及其中一个所述多接头充装面板连接，所述第二真空管的两端分别与所述第一真空管以及另一个所述多接头充装面板连接，所述第三真空管的一端与所述回收罐的出气口连接，所述第三真空管上设有第一真空泵以及第一截止阀，所述第三真空管与所述第二放空管端部连接。
7.根据权利要求6所述的高纯乙硅烷充装系统，其特征在于，所述第一真空管以及第二真空管上分别设有第二单向阀。
8.根据权利要求6所述的高纯乙硅烷充装系统，其特征在于，所述抽真空管线包括第四真空管，所述第四真空管的两端分别连接在所述第一截止阀出气端一侧和所述第一真空泵进气端一侧的第三连接管上，所述第四真空管上设有第二真空泵和第二截止阀。
...【技术特征摘要】
1.一种高纯乙硅烷充装系统，其特征在于，包括充装柜、冷却装置、液相高纯乙硅烷充装管线、气相高纯乙硅烷充装管线、吹扫管线、抽真空管线以及放空管线，所述充装柜上设有多接头充装面板，所述液相高纯乙硅烷充装管线、气相高纯乙硅烷充装管线、吹扫管线、抽真空管线以及放空管线分别与所述多接头充装面板连接，所述充装柜内设有若干个分别与所述多接头充装面板连接的气瓶接口，所述充装柜内设有加热装置以及若干个用于对气瓶一一称重的称重装置，所述冷却装置用于对所述充装柜内部降温。
2.根据权利要求1所述的高纯乙硅烷充装系统，其特征在于，所述充装柜具有两个，所述冷却装置包括冷水机组以及两个冷却盘管，两个所述冷却盘管分别布置在两个所述充装柜内，所述冷水机组的进水口通过三通接头与两个所述冷却盘管的进水口连接，所述冷水机组的出水口通过三通接头与两个所述冷却盘管的出水口连接。
3.根据权利要求2所述的高纯乙硅烷充装系统，其特征在于，所述吹扫管线包括第一氦气干路管、第二氦气干路管、第一氦气支路管和第二氦气支路管，所述第一氦气干路管的一端与其中一个所述多接头充装面板连接，所述第一氦气支路管和第二氦气支路管并联布置在所述第一氦气干路管的另一端，所述第二氦气干路管的两端分别与第一氦气干路管以及另一个多接头充装面板连接，所述第一氦气支路管和第二氦气支路管分别设有第一氦气瓶箱和第二氦气瓶箱，所述第一氦气支路管和第二氦气...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵斌，陈超，尹偲，马启廷，
申请(专利权)人：浙江中宁硅业有限公司，
类型：新型
国别省市：
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