磁记录介质及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种磁记录介质及其制造方法。本发明专利技术提供了一种分隔记录区域磁记录介质，所述分隔记录区域磁记录介质设置有在包括铁磁层的记录区域之间的包括非磁性层的分隔区域，并且即使铁磁层的各区之间的面内距离不同，所述分隔的记录区域磁记录介质也具有极好的磁头浮动特性；以及还提供一种用于制造该磁记录介质的方法。一种磁记录介质以及用于制造其的方法，在该磁记录介质中，磁记录层直接在基板上形成或利用位于其间的至少中间层在基板上形成，其中磁记录层是具有记录区域以及用于分隔记录区域的分隔区域(102)的图案化介质，并且在分隔区域(102)中形成包含Ti的非磁性合金层(103-2)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种适于高记录密度的以离散轨道介质和位图案化介质为代表的图 案化介质及其制造方法。现有技术在诸如大型计算机、工作站以及个人计算机的记录装置中所使用的磁盘设备在过 去的这些年变得更加重要，并且发展成更大容量，实现了更小尺寸。增大密度对增大磁盘设 备的容量并且使这些设备更紧凑是必要的。可引用的增大密度的一个方法涉及降低由减少磁记录介质的磁化反向单元所引 起的介质噪声。因此传统磁记录介质采用如下的结构形成磁记录层的铁磁晶粒通过已包 含在磁记录层之中的非磁性材料而分隔。通过更为主动地控制这种分隔区域来增加磁记录密度的一个建议涉及离散轨道 介质(DTM)的研究和开发，其中执行处理以提供记录轨道之间的分隔，以及位图介质(BPM) 的研究和开发，其中执行处理以提供记录位之间的分隔，并且在这两种情况下，用于形成分 隔区域的技术是增大密度的重要因素。通过蚀刻等来对磁性膜进行物理处理的一种磁性膜处理已被提出作为用于制造 DTM的方法。磁性膜处理的DTM通常是通过以下处理来制造的。(1)在记录层上提供金属 薄膜并且涂覆抗蚀剂。( 通过光刻技术等将微图案施加到抗蚀剂。( 通过干法处理对 抗蚀剂图案的凹部中的金属薄膜进行蚀刻，并且使记录层暴露。(4)通过干法处理对暴露的 记录层进行蚀刻，并且形成记录轨道分隔部(凹槽)。(5)去除记录轨道(岸台)中的残留 抗蚀剂和金属薄膜。(6)对凹槽区回填非磁性材料并且使其平坦化。(7)涂覆保护层和润 滑层。当前执行各类研究和开发以便提高每个处理的精确性。已提出了与回填和平坦化处理相关的各种制造方法，并且通常在其中使用氧化 物、氮化物、碳化物以及硼化物。专利文献1提出了一种方法，其中分隔区域(S印arating region)包括“诸如Si02、Al203、Ti02的氧化物；诸如Si3N4、AlN、TiN的氮化物；诸如TiC的 碳化物；以及诸如BN的硼化物；或者基于C、CH以及CF中的任何一个的聚合物”；此外，专 利文献2提出了一种其中分隔区域包括“诸如Si02、Al203、Ti&的氧化物；诸如Si3N4、AlN、 TiN的氮化物；诸如TiC的碳化物；以及诸如BN的硼化物；或者基于C、CH以及CF中的任何 一个的聚合物”的方法。此外，专利文献3 提出 了有关于由 “C、Si、Ti、V、Cr、Ni、Cu、Ga、Y、Zr、Nb、Mo、Hf、 Ta、W以及Al的氮化物或者其合金”所代表的金属氮化物。另外，专利文献4公开了下述回填材料，回填材料包括例如除了 Al、Ti、Cr和Cr合 金、NiTa, TiOx, A1203、Ru以及Ta之外的氧化物、氮化物以及硼化物，但是这不作为对实施 例的效果或方式的参考。现有技术文献专利文献日本未审专利申请公布H9-97419日本未审专利申请公布2000-298822日本未审专利申请公布2009-080902日本未审专利申请公布2008-15914
技术实现思路
本专利技术要解决的问题磁记录介质的记录区域(recording region)通常包括用于存储数据的数据轨道 区域以及用于对数据轨道的位置进行控制的伺服区域。在诸如DTM的图案化介质中，数据 轨道区域和伺服区域的记录区域已通过分隔区域(s印arating region)而被划分，但是伺 服区域中的记录区域和分隔区域的尺寸和节距通常大于数据轨道区域。例如，在伺服区域 中，存在或不存在铁磁层被用作“1”或“0”信息以对头部进行定位，并且当“0”继续时，形 成没有铁磁层的区域(region)，并且铁磁层的各区(area)之间的距离增大。在伺服区域 中，铁磁层的各区之间的宽度不是恒定的并且根据“0”的数目及其布置而混合多个宽度。与数据轨道区域相比，较难对伺服区域进行回填并使其平坦化，并且研发人员的 研究表明在伺服区域中有可能保持不平坦(阶梯或凹部)，并且最终这对磁头浮动特性具 有不良影响。下述是发现的这种情况。回填和平坦化处理通常涉及通过诸如溅射或CVD的干法处理或者以SOG为代表的 湿法处理来形成膜，在此之后通过诸如离子束蚀刻或反应离子束蚀刻的干法处理或者CMP 来执行回蚀刻，并且去除多余膜厚度以产生与记录区域相同的高度。诸如SOG和CMP的湿 法处理通常由于残留微粒而不利地影响记录介质的浮动特性和电磁转换特征，因此通常选 择干法处理。然而，即使利用专利文献1-4中所公开的材料执行回填，在图案尺寸和节距超 过IOOnm的区域中也不容易进行平坦化。借助于图l(a)_l(c)和图2(a)_2(c)对这些状况进行描述。 l(a)-1(c)示出了 记录层(铁磁层)101-1的图案尺寸小并且居间分隔区域102的宽度小的数据轨道区域的 状态；图2(a)-2(c)示出了铁磁层101-2的图案尺寸大并且居间分隔区域102的宽度大的 伺服区域的状态。在轨道数据区域中，分隔区域102的宽度小，并且因此如果分隔区域填充有非磁 性材料，那么在记录层(铁磁层)101-1上形成的非磁性材料层103-1的表面与分隔区域 102上的非磁性材料层表面之间的差Gd小于记录层(铁磁层)101-1的高度Lh (图1 (a))， 并且仅仅通过形成非磁性材料层，可以使表面不平坦平滑。此后，如图1(c)所示，通过图 1(b)所示的状态，对非磁性材料层进行蚀刻，使得在记录层(铁磁层)101-1上以及分隔区 域102中，对表面进行平坦化。当然，如图2(a)所示，当伺服区域中的分隔区域102的宽度Gw大并且非磁性材 料层103-1薄时，即使非磁性材料层被形成得薄，在铁磁层101-2上形成的非磁性材料层 103-1的表面与分隔区域102上的非磁性材料层表面之间的差Gd也实际上等于铁磁层 101-2的高度Lh，并且通过形成非磁性材料膜103-1也不能使表面不平坦被平滑。此后，即 使非磁性材料层103-1受到回蚀刻，尺寸大的岸台在尺寸方面被减小，但由于蚀刻再粘附 的效应，也不容易减小中心的高度，并且也难以使整个表面平坦化(图2(c))。这是因为在诸如数据轨道区域的图案尺寸小的各区中，通过从纵向和横向方向上 生长的膜相对容易回填凹槽，因此在回蚀刻之后容易发生平坦化，然而在诸如伺服区域的 图案尺寸大的各区中生长在凹槽中心周围的膜只能在纵向方向上实现。因此无法很容易 地降低段差(difference in level)Gd0以这种方式形成的凹槽难以在回蚀刻之后被平坦 化。回填和平坦化处理是影响已完成介质的最终表面形状的重要步骤，并且可以说，该步骤 是否成功决定了磁头浮动特性。本专利技术的目的是提供一种分隔记录区域磁记录介质，所述分隔记录区域磁记录介 质提供有分隔区域，所述分隔区域包括在包括铁磁层的记录区域之间的非磁性层，并且即 使铁磁层的各区之间的面内距离不同，所述分隔的记录区域磁记录介质也具有极好的磁头 浮动特性；本专利技术的进一步目的是提供一种用于制造这种磁记录介质的方法。解决该问题的方式用于实现上述目的的一种方式的实施例由下述磁记录介质组成，在所述磁记录介 质中，磁记录层直接在基板上形成或利用位于其间的至少中间层在基板上形成，其中磁记 录层是具有记录区域以及用于分隔记录区域的分隔区域的图案化介质，并且在分隔区域中 形成包含Ti的非磁性合金层。此外，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁记录介质，在所述磁记录介质中，磁记录层直接在基板上形成或利用位于其间的至少中间层在基板上形成，其中所述磁记录层是具有记录区域以及用于分隔所述记录区域的分隔区域的图案化介质；以及在所述分隔区域中形成包含Ｔｉ的非磁性合金层。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：大野俊典，桧上龙也，药师神弘士，
申请(专利权)人：日立环球储存科技荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL