集成电路、电容器及其形成方法技术

一种集成电路、电容器及其形成方法，该电容器包括：一第一电极，包括一底导电平面以及多个第一垂直导电结构，该底导电平面位于一基板之上；一第二电极，包括一顶导电平面以及多个第二垂直导电结构；以及一绝缘结构，位于该第一电极与该第二电极之间，其中所述多个第一垂直导电结构与所述多个第二垂直导电结构相互交错。本发明专利技术提供了较高的电容密度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，尤其涉及垂直型金属-绝缘物-金属 (metal-insulator-metal, MIM)电容器。
技术介绍
于集成电路中已广泛地应用了电容器(capacitor)。电容器的电容量正比于电容 器区域与绝缘层的介电常数(dielectric constant, k)与反比于绝缘层的厚度。因此，为 了增加电容量，需较佳地增加电容器区域与介电常数，以及降低绝缘层的厚度。关于增加区域的问题之一在于需要较大的晶片区域。位于集成电路内的公知金 属-绝缘物-金属(MIM)电容器具有多样的水平梳状结构。这些水平结构的电阻值与金属 层间膜层(inter-metal layer)的厚度有关。然而，金属层间膜层的厚度非常不容易控制。 如此于生产过程中导致了 MIM电容器电阻量相对于目标值的高度差异。因此，便需要关于 适用于MIM电容器的新颖的制造方法与结构。
技术实现思路
为了解决现有技术的问题，依据一实施例，本专利技术提供了一种电容器，包括一第一电极，包括一底导电平面以及多个第一垂直导电结构，该底导电平面位于 一基板之上；一第二电极，包括一顶导电平面以及多个第二垂直导电结构；以及一绝缘结 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容器，包括：一第一电极，包括一底导电平面以及多个第一垂直导电结构，该底导电平面位于一基板之上；一第二电极，包括一顶导电平面以及多个第二垂直导电结构；以及一绝缘结构，位于该第一电极与该第二电极之间，其中所述多个第一垂直导电结构与所述多个第二垂直导电结构相互交错。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：周淳朴，陈和祥，郭芳名，卢泽华，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71