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一种集成电路、电容器及其形成方法，该电容器包括：一第一电极，包括一底导电平面以及多个第一垂直导电结构，该底导电平面位于一基板之上；一第二电极，包括一顶导电平面以及多个第二垂直导电结构；以及一绝缘结构，位于该第一电极与该第二电极之间，其中所述...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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