本发明专利技术公开有机发光显示装置及其制造方法。该有机发光显示装置包括：形成在基板上的薄膜晶体管的有源层；形成在所述有源层的边缘处的第一导电层；形成在所述基板和所述第一导电层上的第一绝缘层；与所述有源层的中央区域对应且形成在所述第一绝缘层上的第二导电层；与所述第二导电层隔开预定距离的扇出的下电极；像素电极；形成在所述第二导电层上的第三导电层；形成在所述扇出的下电极上的扇出的上电极；形成在所述第三导电层、所述扇出的上电极和所述像素电极上的第二绝缘层；以及与所述像素电极接触并且形成在所述第二绝缘层上的源电极和漏电极。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，更具体地涉及具有简化的制造工艺 的。
技术介绍
诸如有机发光显示装置和液晶显示装置的平板显示装置被制造在其上形成有包 括薄膜晶体管(TFT)、电容器以及连接薄膜晶体管和电容器的导线的图案的基板上。一般而 言，为了形成包括TFT的精细结构的图案，通过使用其上形成有精细图案的掩膜将图案转 移到制造平板显示装置的基板。通常使用光刻工艺作为使用掩膜转移图案的工艺。根据光刻工艺，光刻胶被均勻 地涂覆到要形成图案的基板上。掩膜上的图案通过使用诸如步进器(stepper)之类的曝光 设备而被曝光至光刻胶。接着，(当光刻胶是正性光刻胶时)，曝光的光刻胶被显影。并且， 在光刻胶被显影之后，通过保留用作掩膜的光刻胶来刻蚀图案，从而去除不必要的光刻胶。在使用掩膜转移图案的工艺中，由于制备其上形成有必需的图案的掩膜，因此随 着使用掩膜的工艺数的增加，用于制备掩膜的制造成本增加。并且，由于需要以上所述的复 杂的工艺，因此制造工艺复杂，并且制造时间被延长，从而可能增加制造成本。
技术实现思路
为了解决以上和/或其它问题，本专利技术提供一种减少使用掩膜的图案化工艺的有 机发光显示装置及其制造方法。根据本专利技术的方面，一种有机发光显示装置，包括形成在基板上的薄膜晶体管的 有源层；分开形成在所述有源层的边缘处的第一导电层；形成在所述基板和所述第一导电 层上的第一绝缘层；与所述有源层的中央区域对应形成的第二导电层，所述第一绝缘层介 于所述有源层与所述第二导电层的中央区域之间；与所述第二导电层隔开预定距离且由与 所述第二导电层相同的材料形成在与所述第二导电层相同的层中的扇出的下电极；与所述 第二导电层隔开预定距离且由与所述第二导电层相同的材料形成在与所述第二导电层相 同的层中的像素电极；形成在所述第二导电层上的第三导电层；形成在所述扇出的下电极 上且由与所述第三导电层相同的材料形成在与所述第三导电层相同的层中的扇出的上电 极；形成在所述第三导电层、所述扇出的上电极和所述像素电极上的第二绝缘层；以及与 所述像素电极接触并且形成在所述第二绝缘层上的源电极和漏电极。所述有机发光显示装置可以进一步包括电容器的与所述有源层隔开预定距离且 由与所述有源层相同的材料形成在与所述有源层相同的层中的第一下电极；形成在所述电 容器的所述第一下电极上且由与所述第一导电层相同的材料形成在与所述第一导电层相 同的层中的第一上电极；形成在所述电容器的第一上电极上且由与所述第二导电层相同的 材料形成在与所述第二导电层相同的层中的第二下电极，所述第一绝缘层介于所述第一上 电极与所述第二下电极之间；以及形成在所述电容器的所述第二下电极上且由与所述第三 导电层相同的材料形成在与所述第三导电层相同的层中的第二上电极。所述第二导电层可以包括从ITO (氧化铟锡)、IZO (氧化铟锌)、ai0(氧化锌)和 M2O3 (氧化铟)所组成的组中选择的至少一种材料。所述第三导电层可以包括从Ag(银)、Mg(镁)、A1 (铝)、Pt (钼)、钯(卩(1)411(金)、 Ni (镍)、Nd (钕)、Ir (铱)、Cr (铬)、Li (锂)、Ca (镓)、Mo (钼)、Ti (钛)、W (钨)、 MoW(钼-钨)和Al/Cu(铝/铜)所组成的组中选择的至少一种材料。所述有机发光显示装置可以进一步包括形成在所述像素电极的边缘处使所述像 素电极暴露的像素限定层。所述有源层可以是通过使非晶硅结晶得到的多晶硅。所述第一导电层可以包括掺有杂质的硅。所述有源层的末端部分和所述第一导电层的末端部分可以被排列在相同的平面 上，并且所述电容器的所述第一下电极的末端部分和所述电容器的所述第一上电极的末端 部分可以被排列在相同的平面上。所述第二导电层的末端部分和所述第三导电层的末端部分可以被排列在相同的 平面上，所述扇出的下电极的末端部分和所述扇出的所述上电极的末端部分被排列在相同 的平面上，并且所述电容器的所述第二下电极的末端部分和所述电容器的所述第二上电极 的末端部分可以被排列在相同的平面上。所述有机发光显示装置可以在所述像素电极上进一步包括包括发光层的中间层 以及形成在所述中间层上的对面电极。所述第二绝缘层的厚度可以大于所述第一绝缘层的厚度。根据本专利技术的另一方面，一种制造有机发光显示装置的方法包括在第一掩膜工 艺中，在基板以上顺序形成半导体层和第一导电层，并将所述半导体层和所述第一导电层 图案化为薄膜晶体管的有源层和源/漏区；在第二掩膜工艺中，在从所述第一掩膜工艺得 到的结构上形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层以上顺序形成第二导电层和第三导电层， 并同时将所述第一绝缘层、所述第二导电层和所述第三导电层图案化为所述薄膜晶体管的 栅下电极和栅上电极、扇出的下电极和上电极以及像素电极；在第三掩膜工艺中，在从所述 第二掩膜工艺得到的结构上形成第二绝缘层，并去除所述第二绝缘层以使所述源/漏区的 部分和所述像素电极的部分暴露；在所述第四掩膜工艺中，在从所述第三掩膜工艺得到的 结构上形成第四导电层，并将所述第四导电层图案化为所述薄膜晶体管的源/漏电极；以 及在第五掩膜工艺中，在从所述第四掩膜工艺得到的结构上形成第三绝缘层，并去除所述 第二绝缘层和所述第三绝缘层以使所述像素电极暴露。在所述第一掩膜工艺中，电容器的第一下电极和第一上电极可以与所述薄膜晶体 管的有源层和源/漏区同时被图案化。在所述第一掩膜工艺中，可以使用包括在与有源层的中央部分对应的位置处形成 的半透光部分的第一半色调掩膜。在所述第二掩膜工艺中，电容器的第二下电极和第二上电极可以与所述薄膜晶体 管的栅下电极和栅上电极同时被图案化。在所述第二掩膜工艺中，可以使用包括在与像素电极对应的位置处形成的半透光 部分的第二半色调掩膜。所述方法可以进一步包括在所述第五掩膜工艺得到的结构上顺序形成包括发光 层的中间层以及对面电极。所述第二导电层可以包括从ITO (氧化铟锡)、IZO (氧化铟锌)、SiO (氧化锌)和 M2O3 (氧化铟)所组成的组中选择的至少一种材料。所述第三导电层可以包括从Ag (银)、Mg (镁)、Al (铝)、Pt (钼)、钯(Pd)、Au (金)、 Ni (镍)、Nd (钕)、Ir (铱)、Cr (铬)、Li (锂)、Ca (镓)、Mo (钼)、Ti (钛)、W (钨)、 MoW(钼-钨)和Al/Cu(铝/铜)所组成的组中选择的至少一种材料。所述方法可以进一步包括在所述基板上形成缓冲层。附图说明由于通过参考以下结合附图考虑时的详细描述，本专利技术变得更好理解，因此本发 明的更完整理解以及伴随本专利技术的诸多优点会变得更容易明显，在附图中相同的附图标记 指代相同或相似的部件，附图中图1-图5是示意性示出根据本专利技术示例性实施例的有机发光显示装置的第一掩 膜工艺的制造工艺的截面图；图6-图9是示意性示出根据本专利技术示例性实施例的有机发光显示装置的第二掩 膜工艺的制造工艺的截面图；图10和图11是示意性示出根据本专利技术示例性实施例的有机发光显示装置的第三 掩膜工艺的制造工艺的截面图；图12和图13是示意性示出根据本专利技术示例性实施例的有机发光显示装置的第四 掩膜工艺的制造工艺的截面图；图14和图15是示意性示出根据本专利技术示例性实施例的有机发光显示装置的第五 本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种有机发光显示装置，包括：形成在基板上的薄膜晶体管的有源层；分开形成在所述有源层的相对的边缘部分处的第一导电层；形成在所述基板和所述第一导电层上的第一绝缘层；与所述有源层的中央区域对应形成的第二导电层，所述第一绝缘层介于所述有源层与所述第二导电层的中央区域之间；与所述第二导电层隔开预定距离且由与所述第二导电层相同的材料形成在与所述第二导电层相同的层中的扇出的下电极；与所述第二导电层隔开预定距离且由与所述第二导电层相同的材料形成在与所述第二导电层相同的层中的像素电极；形成在所述第二导电层上的第三导电层；形成在所述扇出的下电极上且由与所述第三导电层相同的材料形成在与所述第三导电层相同的层中的扇出的上电极；形成在所述第三导电层、所述扇出的上电极和所述像素电极上的第二绝缘层；以及与所述像素电极接触并且形成在所述第二绝缘层上的源电极和漏电极。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李律圭，柳春其，朴鲜，朴钟贤，姜镇熙，
申请(专利权)人：三星移动显示器株式会社，
类型：发明
国别省市：KR
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