本发明专利技术提供一种有机发光二极管显示装置，包含一基板，其具有一主动像素阵列，其中每一像素都是由相邻的数据线与扫描线所围成，每一像素至少包含两个薄膜晶体管、由两层金属层所形成的一储存电容、一有机发光二极管，还具有一导体线框，设置于基板上，与每一像素的两个薄膜晶体管的其中之一的源极或漏极电性连接，且环绕主动像素阵列所在区域，一有机导电层，覆盖主动像素阵列，且与导体线框连接，或同时与导体线框以及一电极连接；以及一保护结构，覆盖有机导电层，包含交互堆叠的多个有机层与无机层。本发明专利技术提供的有机发光二极管显示装置可减小导体线框的宽度，降低电阻压降的影响。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种有机发光二极管显示装置，且特别是有关于一种具有有机导 电层的有机发光二极管显示装置。
技术介绍
随着科学技术的不断发展，人们对显示器的要求越来越高。0LED(0rganiC Light-Emitting Display，有机发光显示器)是指有机半导体材料和发光材料在电场驱动 下，通过载流子注入和复合导致发光的现象。OLED发光原理是用ITO透明电极和金属电极 分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电 子和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相 遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。辐射光可从ITO—侧观 察到，金属电极膜同时也起了反射层的作用。使用OLED的显示面板无论在画质、效能及成 本上，先天表现都较薄膜晶体管液晶显示器优秀很多。然而OLED显示器在发展上一直遇到一个问题，那就是所谓的电阻压降( DROP)。电阻压降是指出现在集成电路中电源和地网络上电压下降或升高的一种现象。随 着半导体工艺的演进金属互连线的宽度越来越窄，导致它的电阻值上升，所以在整个芯片 范围内将存在一定的电阻压降。电阻压降会导致OLED的阳极(或阴极)信号在主动区(Active Area)不同位置 所看到的电压不同，这会在显示画面上看到亮度不均的现象。传统上会在主动区四周设计 一个由金属层所组成的导体线框(OVDD line ring)，藉由此线框让主动区四周进入到主动 区的电压信号得以接近，降低电阻压降的影响。然而实际上，导体线框的大小会影响面板的边框尺寸，边框的问题在中小尺寸显 示装置的应用上尤其重要，因此不可以无限制增加导体线框的大小，而且在主动区内部也 存在有更甚于外侧的电阻压降问题，因此如何消除主动区整体的电阻压降是OLED显示器 发展所面对的重要问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的一个方面在于提供一种有机发光二极管显示装置，包含一基 板，其具有一主动像素阵列，其中每一像素都是由相邻的数据线与扫描线所围成，每一所述 像素至少包含两个薄膜晶体管、由两层金属层所形成的一储存电容、一有机发光二极管，其 特征在于，所述显示装置还包含一导体线框，设置于所述基板上，与每一像素的两个薄膜 晶体管的其中之一的源极或漏极电性连接，且环绕所述主动像素阵列所在区域；一有机导 电层，覆盖所述主动像素阵列，且与所述导体线框连接；以及一保护结构，覆盖所述有机导 电层，包含交互堆叠的多个有机层与无机层。依据本专利技术一实施例，有机发光二极管颜色为红、绿、蓝、青绿、洋红、黄、白其中之 “"者 ο依据本专利技术一实施例，所述导体线框是一电压线框(OVDD line ring)。依据本专利技术一实施例，所述有机发光二极管上覆盖有一接地电极层(OVSS)。依据本专利技术一实施例，所述导体线框是金属或透明导电材料。本专利技术的另一个方面在于提供一种有机发光二极管显示装置，包含一基板，其具 有一主动像素阵列，其中每一像素都是由相邻的数据线与扫描线所围成，每一所述像素至 少包含两个薄膜晶体管、由两层金属层所形成的一储存电容、一有机发光二极管，其特征在 于，所述显示装置还包含一导体线框，设置于所述基板上，环绕所述主动像素阵列所在区 域；一有机导电层，覆盖所述主动像素阵列，通过多个孔洞与所述导体线框连接，在主动像 素阵列所在区域通过所述孔洞与一电极连接；以及一保护结构，覆盖所述有机导电层，包含 交互堆叠的多个有机层与无机层。依据本专利技术一实施例，所述电极层是金属或透明导电材料。依据本专利技术一实施例，所述有机发光二极管颜色为红、绿、蓝、青绿、洋红、黄、白其 中之一者。应用本专利技术的优点在于，利用有机导电层与现有的导体线框电性连接的方式相较 于传统的单纯使用导体线框的方式可以降低整体的等效电阻值，消除整个主动区内的电阻 压降，使OLED显示装置的亮度更为均勻。附图说明为让本专利技术的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的详 细说明如下图1是依据本专利技术一实施例的有机发光二极管显示装置的俯视示意图；图2是依据本专利技术一实施例的有机发光二极管显示装置的局部剖视图；图3是依据本专利技术又一实施例的有机发光二极管显示装置的俯视示意图；以及图4是依据本专利技术又一实施例的有机发光二极管显示装置的局部剖视图。具体实施例方式以下将以附图及详细说明来清楚阐释本专利技术的精神，任何本领域的普通技术人员 在了解本专利技术的较佳实施例后，当可由本专利技术所揭露的技术，加以改变及修饰，且并不脱离 本专利技术的精神与范围。请结合参照图1与图2，图1是依据本专利技术一实施例的有机发光二极管显示装置的 俯视示意图，图2是依据图1中所示的有机发光二极管显示装置的局部剖视图。本实施例 的有机发光二极管显示装置具有一基板100，可为透明基板，例如透明玻璃基板或透明软质 基板，其主要是作为承载有机发光二极管显示装置的组成元件之用。基板100上具有主动 像素阵列，主动像素阵列构成的用于显示的区域为主动区102 (Active Area)，其中每一像 素都是由相邻的数据线与扫描线所围成，每一所述像素至少包含两个薄膜晶体管、由两层 金属层所形成的一储存电容以及一有机发光二极管层106，其中的有机发光二极管颜色为 红、绿、蓝、青绿、洋红、黄、白其中之一者。在基板100上还制作有第一绝缘层108与第二绝 缘层110。导体线框112即电压线框(OVDD line ring)设置于第一绝缘层108同一表面， 与每一像素的两个薄膜晶体管的其中之一的源极或漏极电性连接，且环绕主动区102。值得注意的是，图中并未示出导体线框112与薄膜晶体管的连接电路。导体线框112是由金属 或透明导电材料制成。有机发光二极管层106上覆盖有一接地电极层(OVSS) 114，其上还覆 盖有一无机保护层116。由于导体线框112环绕主动区102，使得进入到主动区102的电压 信号得以接近。然而为了减小有机发光二极管显示装置的边框尺寸，导体线框112的宽度 不能过宽，使得其均勻化电压信号的功能减弱。因此，本实施例中在无机保护层116的上方 还制作一有机导电层118，覆盖导体线框112及整个主动区102。在第一绝缘层108与第二 绝缘层110上相应于导体线框112的位置处制作孔洞，使有机导电层118贯穿第一绝缘层 108与第二绝缘层110与导体线框112电性连接。本实施例中使用长条形沟槽120代替孔 洞，使有机导电层118与导体线框112连接更为充分。这样就使导体线框112的等效阻抗 降低，如此相较于传统的单纯使用导体线框112的方式可以降低整体的等效电阻值，消除 整个主动区102内的电阻压降，使OLED显示装置的亮度更为均勻。此外，在有机发光二极 管显示面板制作完后，封装阶段可在面板上制作一保护结构122以防止外部水氧入侵。保 护结构122包含交互堆叠的多个有机层与无机层。 接着请结合参照图3与图4，图3是依据本专利技术又一实施例的有机发光二极管显示 装置的俯视示意图，图4是依据图3中所示的有机发光二极管显示装置的局部剖视图。本 实施例的有机发光二极管显示装置具有一基板100，可为透明基板，例如透明玻璃基板或透 明软质基板，其主要是作为承载有机发光二极管显示装本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种有机发光二极管显示装置，包含一基板，其具有一主动像素阵列，其中每一像素都是由相邻的数据线与扫描线所围成，每一所述像素至少包含两个薄膜晶体管、由两层金属层所形成的一储存电容、一有机发光二极管，其特征在于，所述显示装置还包含：一导体线框，设置于所述基板上，与每一像素的所述两个薄膜晶体管的其中之一的源极或漏极电性连接，且环绕所述主动像素阵列所在区域；一有机导电层，覆盖所述主动像素阵列，且与所述导体线框连接；以及一保护结构，覆盖所述有机导电层，包含交互堆叠的多个有机层与无机层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张祖强，常鼎国，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71
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