有机发光显示设备及其制造方法技术

提供一种有机发光显示设备及其制造方法。所述有机发光显示设备包括：像素单元，在所述像素单元上形成有有机发光器件；薄膜晶体管(TFT)，电连接至所述像素单元；以及数据线和扫描线，电连接至所述TFT，并且彼此交叉地布置在基板上。所述数据线和所述扫描线形成在一层中。桥位于所述数据线与所述扫描线的交叉区域处，允许所述数据线和所述扫描线中的一者绕过所述数据线和所述扫描线中的另一者。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的一个或多个实施例涉及，更具体地说， 涉及具有改进的堆叠结构以便减少所使用掩膜的数目的有机发光显示设备及制造这种有 机发光显示设备的方法。
技术介绍
近来，便携式平板显示设备被广泛用作显示设备。在平板显示设备中，电致发光显 示设备是自发射型显示设备，其视角广、对比度高且响应速度快，因此被视为下一代显示设 备。另外，发光层由有机材料形成的有机发光显示设备与无机发光显示设备相比，具有较高 的亮度、较高的驱动电压和较快的响应速度，并且可以实现多种颜色。有机发光显示设备包括薄膜晶体管(TFT)单元和在TFT单元的驱动下发光的有机 发光器件。TFT单元可以通过在基板上堆叠导体、半导体和绝缘层，并形成包括驱动晶体管 和开关晶体管的TFT、电容器、数据线、扫描线和用于控制有机发光器件的像素单元来形成。 TFT单元可以通过使用掩膜的光刻工艺来制造。然而，由于数据线和扫描线在基板上互相交叉，因此很难将数据线和扫描线布置 在同一层中。所以，根据传统技术，将数据线和扫描线布置在由绝缘层隔开的不同层中。然 而，在堆叠层的数目增加时，需要额外执行使用掩膜来暴露图案和蚀刻的工艺。因此，随着 堆叠数目的增加，制造工艺变得复杂。近来，半色调掩膜已用于减少所使用掩膜的数目，然而暴露程度随一次使用掩膜 时暴露的部分而变化。因此，很难执行以上所述的工艺，所以产品的缺陷率提高。另外，由于为了实现大屏幕而增大了基板的尺寸，因此需要低阻值的导线，因此数 据线和扫描线被形成得较厚。然而，布置在不同层中的数据线和扫描线之间所布置的绝缘 层应当比数据线和扫描线厚，以便防止在数据线与扫描线交叉的地方发生电短路。
技术实现思路
因此，实施例致力于一种，基本上克服由于相关 技术的限制和缺点而导致的问题中的一个或多个。因此，实施例的一个特征在于，提供一种具有改进的堆叠结构以便通过减小所使 用掩膜的数目来简化制造设备的工艺的有机发光显示设备以及制造有机发光显示设备的 方法。实施例的另一特征在于，提供一种具有改进的堆叠结构以便在不使用半色调 (half-tone)掩膜的情况下通过减小掩膜的数目来简化制造设备的工艺的有机发光显示设 备以及制造有机发光显示设备的方法，。实施例的再一特征在于提供一种具有改进的堆叠结构以便实现低阻值的导线的 有机发光显示设备以及制造有机发光显示设备的方法。另外的方面将部分地记载在以下的描述中，并且部分地从以下描述中显而易见，或者可以通过所示实施例的实践而获知。以上及其它特征和优点中的至少一个可以通过提供一种有机发光显示设备来实 现，所述有机发光显示设备，包括像素单元，在所述像素单元上形成有有机发光器件；薄 膜晶体管(TFT)，电连接至所述像素单元；数据线和扫描线，电连接至所述TFT，并且彼此交 叉地布置在基板上，其中所述数据线和所述扫描线位于同一层中；以及桥，允许所述数据线 和所述扫描线中的一者在所述数据线与所述扫描线的交叉区域处绕过所述数据线和所述 扫描线中的另一者。所述桥可以包括形成在所述基板上的用于数据线的桥和用于扫描线的桥。所述交 叉区域可以进一步包括绝缘层，位于所述用于数据线的桥和所述用于扫描线的桥上；以 及接触孔，位于所述绝缘层中，用于连接至所述用于数据线的桥和所述用于扫描线的桥。在 所述数据线和所述扫描线形成在所述绝缘层上的同一层中时，所述数据线通过所述接触孔 连接至所述用于数据线的桥，所述扫描线通过所述接触孔连接至所述用于扫描线的桥，以 便允许所述数据线和所述扫描线彼此交叉但互不干扰。所述用于数据线的桥可以与所述扫描线交叉，同时所述绝缘层插置于所述用于数 据线的桥与所述扫描线之间，所述用于扫描线的桥可以与所述TFT的远离所述数据线的 源-漏极层交叉，同时所述绝缘层插置于所述用于扫描线的桥与所述源-漏极层之间。所述TFT可以包括栅极层，所述绝缘层形成在所述栅极层上，所述栅极层与所述 用于数据线的桥和所述用于扫描线的桥形成在同一层中；有源层，形成在所述绝缘层上； 蚀刻停止绝缘层，形成在所述有源层上；以及源-漏极层，形成在所述蚀刻停止绝缘层上， 与所述数据线和所述扫描线位于同一层中。所述TFT可以包括开关晶体管，电连接至所述数据线和所述扫描线；以及驱动晶 体管，电连接至所述数据线和所述像素单元。所述开关晶体管可以将所述用于扫描线的桥 用作栅极层。所述像素单元可以包括栅极层，所述绝缘层形成在所述栅极层上，所述栅极层与 在所述基板上的所述用于数据线的桥和所述用于扫描线的桥位于同一层中；以及像素电极 层，形成在所述绝缘层上，与所述数据线和所述扫描线位于同一层中，并且连接至所述栅极层。所述有机发光显示设备可以进一步包括电连接在所述TFT与所述像素单元之间 的电容器。所述电容器可以包括栅极层，所述绝缘层形成在所述栅极层上，所述栅极层与 在所述基板上的所述用于数据线的桥和所述用于扫描线的桥位于同一层中；以及源-漏极 层，形成在所述绝缘层上，且与所述数据线和所述扫描线位于同一层中。以上及其它特征和优点中的至少一个可以通过提供一种制造有机发光显示设备 的方法来实现，所述方法包括形成像素单元，在所述像素单元上形成有有机发光器件；形 成电连接至所述像素单元的薄膜晶体管(TFT)；形成电连接至所述TFT并且彼此交叉地布 置在基板上的数据线和扫描线；以及形成允许所述数据线和所述扫描线中的一者在所述数 据线与所述扫描线的交叉区域处绕过所述数据线和所述扫描线中的另一者的桥。形成桥可以包括在所述基板上形成用于数据线的桥和用于扫描线的桥。 所述方法可以进一步包括在所述用于数据线的桥和所述用于扫描线的桥上形成 绝缘层；在所述绝缘层中形成分别接触所述用于数据线的桥和所述用于扫描线的桥的接触孔；以及在所述绝缘层上堆叠所述数据线和所述扫描线，使得所述数据线通过所述接触孔 连接至所述用于数据线的桥，所述扫描线通过所述接触孔连接至所述用于扫描线的桥，使 得所述数据线和所述扫描线在彼此之上和之下交叉。所述用于数据线的桥可以与所述扫描线交叉，且所述绝缘层插置于所述用于数据 线的桥与所述扫描线之间，并且所述用于扫描线的桥可以与所述TFT的远离所述数据线的 源-漏极层交叉，且所述绝缘层插置于所述用于扫描线的桥与所述源-漏极层之间。形成TFT可以包括在所述基板上的形成有所述用于数据线的桥和所述用于扫 描线的桥的层中形成栅极层；在所述栅极层上形成所述绝缘层；在所述绝缘层上形成有源 层；在所述有源层上形成蚀刻停止绝缘层；以及在所述蚀刻停止绝缘层上的形成有所述数 据线和所述扫描线的层中形成源-漏极层以便连接至所述有源层。形成TFT可以包括形成电连接至所述数据线和所述扫描线的开关晶体管；以及 形成电连接至所述数据线和所述像素单元的驱动晶体管，其中所述开关晶体管将所述用于 扫描线的桥用作栅极层。形成像素单元可以包括在所述基板上形成与所述用于数据线的桥和所述用于扫 描线的桥成为同一层的栅极层；在所述栅极层上形成所述绝缘层；以及在所述绝缘层上的 形成有所述数据线和所述扫描线的层中形成像素电极层以便连接至所述栅极层。所述方法可以进一步包括在所述基板上形成与所述用于数据线的桥和所述用于 扫描线的桥成为同一层的栅极层；在所述栅极层上形成所述绝缘层；以及在所述绝缘层上 的形成有所述数本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种有机发光显示设备，包括：像素单元，在所述像素单元上形成有有机发光器件；薄膜晶体管，电连接至所述像素单元；数据线和扫描线，电连接至所述薄膜晶体管，并且彼此交叉地布置在基板上，其中所述数据线和所述扫描线位于同一层中；以及桥，允许所述数据线和所述扫描线中的一者在所述数据线与所述扫描线的交叉区域处绕过所述数据线和所述扫描线中的另一者。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金珉圭，许成权，
申请(专利权)人：三星移动显示器株式会社，
类型：发明
国别省市：KR