本发明专利技术公开了一种有机电致发光器件及其制备方法，其包括基板，于基板上形成的阳极层，于阳极层上形成的有机功能层，于有机功能层上形成的阴极层，所述有机功能层与阴极层之间还包括含有第Ⅰ主族元素的阴极修饰层。所述阴极修饰层是由真空蒸镀条件下直接分解为第Ⅰ主族元素的化合物制成。本发明专利技术在发光层后制备一层阴极修饰层，增加该层提高了阴极界面电子注入能力，使得器件性能得到显著提高；同时，制备过程中，该材料工艺可行性好，进一步提高了器件在工艺制备过程中的良率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及有机电致发光器件领域，尤其涉及一种含有阴极修饰层的有机电致发光器件及其制备方法。
技术介绍
早在五十年代，Bernanose. A等人就开始了有机电致发光器件(OLED)的研究。最初研究的材料是蒽单晶片.由于存在单晶片厚度太厚的问题(10-20 μ m)，所需的驱动电压很高(几百伏)。1982年Vinceet用真空蒸镀法制成了 50nm厚的蒽薄膜，在30伏电压下观察到了蓝色荧光，但其外量子效率只有0.03%。早期的有机电致发光徘徊在高电压、 低亮度、低效率的水平上。直到1987年美国festman Kodak公司的邓青云(C. W. Tang)和 Vanslyke报道了结构为ITO/Diamine/Alq3/Mg:Ag的有机小分子电致发光器件。器件在10 伏的工作电压下亮度达lOOOcd/m2，外量子效率达到1. 0%，引起了科学家们的广泛关注。紧接着1990年英国剑桥大学的J. H. Burroughes小组在Nature上首次报道了共轭聚合物PPV 也能实现电致发光的消息，他们采用旋涂甩膜的方法成功的制备了结构为ITO/PPV/Ca聚合物有机发光器件，获得了 0.05%的外量子效率。从上报道中人们看到了有机电致发光器件应用于显示的可能性。从此揭开了有机小分子及聚合物电致发光研究及产业化的序幕。OLED器件的高效率、长寿命、高亮度等性能指标是其实现产业化的基础。鉴于一般有机材料中空穴的迁移率要大于电子迁移率，所以电子注入效率的提高对器件性能的改进至关重要。采用低功函数金属(Ca、Mg等)可以有效的降低电子到有机层的注入势垒，增加电子的注入。但此类活泼函数金属的制备及存储比较困难，且影响器件的制备工艺。提高电子注入能力的另一种方法是在阴极和有机层之间加一层无机化合物组成的电子注入层， 实践证明LiF/Al是一种电子注入能力优良的阴极结构，被广泛应用于OLED产品中，但卤素原子的存在会对发光产生猝灭，材料表现出较大的毒性，且该材料成膜温度高，形成的电子注入层的薄膜厚度要求苛刻；LiAlO2,Li2CO3作为注入层材料时，寿命短、效率低。人们一直在不断的探索和研究用来制备电子注入层的良好材料和相关方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能够有效提高器件电子注入能力，使得器件发光效率得到显著提高的有机电致发光器件及其制备方法。本专利技术的目的是通过以下技术方案予以实现的本专利技术之有机电致发光器件，包括基板，于基板上形成的阳极层，于阳极层上形成的有机功能层，于有机功能层上形成的阴极层，其特征在于，所述有机功能层与阴极层之间还包括含有第I主族元素的阴极修饰层。所述阴极修饰层是由真空蒸镀条件下直接分解为第I主族元素的化合物制成。所述化合物为LiH、KH、LiBH4, LiALH4, NaBH4, KBH4, KAlH4, RuBH4、CsBH4。所述阴极修饰层由所述化合物在蒸镀速率为0.01-lnm/s，蒸镀温度为330-500°C，真空度小于1X10—3的条件下分解得到，膜厚为0. 1-lOnm。所述蒸镀速率为0.02-0. 5nm/s。所述蒸镀温度为350_450°C。所述膜厚为0. 5_5nm。所述阴极修饰层还含有另一种金属元素。所述另一种金属元素与第I主族元素的参杂摩尔比在10 1-1 10之间。所述另一种金属元素为Ag或Al。所述阴极修饰层还含有具有缺电子稠环芳香烃传输中心、吡啶或吡啶衍生物为取代基的电子材料，所述电子材料具有如下通式权利要求1.一种有机电致发光器件，包括基板，于基板上形成的阳极层，于阳极层上形成的有机功能层，于有机功能层上形成的阴极层，其特征在于，所述有机功能层与阴极层之间还包括含有第I主族元素的阴极修饰层。2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极修饰层是由真空蒸镀条件下直接分解为第I主族元素的化合物制成。3.根据权利要求2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述化合物为LiH、KH、 LiBH4, LiALH4, NaBH4, KBH4, KAlH4, RuBH4, CsBH4。4.根据权利要求3所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极修饰层由所述化合物在蒸镀速率为0. 01-lnm/s，蒸镀温度为330-500°C，真空度小于1X10_3的条件下分解得到，膜厚为0. I-IOnm05.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述蒸镀速率为 0.02-0. 5nm/s。6.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述蒸镀温度为 350-450 O。7.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述膜厚为0.5-5nm。8.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极修饰层还含有另一种金属元素。9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述另一种金属元素与第 I主族元素的参杂摩尔比在10 1-1 10之间。10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述另一种金属元素为Ag 或Al。11.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极修饰层还含有具有缺电子稠环芳香烃传输中心、吡啶或吡啶衍生物为取代基的电子材料，所述电子材料具有如下通式12.根据权利要求11所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子材料与第I主族元素的参杂摩尔比在10 1-1 10之间。13.根据权利要求12所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极修饰层的膜厚度为 0. l-200nm。14.根据权利要求13所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子材料结构式选自如下材料中的一种15.一种有机电致发光器件的制备方法，所述有机电致发光器件依次包括基片、阳极、 有机功能层、阴极修饰层以及阴极，其特征在于，所述阴极修饰层由真空蒸镀条件下直接分解为第I主族元素的化合物制成。16.根据权利要求14所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述化合物为 LiH、KH、LiBH4, LiALH4, NaBH4, KBH4, KAlH4, RuBH4, CsBH4。17.根据权利要求15所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述阴极修饰层由所述化合物在蒸镀速率为0. 01-lnm/s,蒸镀温度为330-500°C，真空度小于1 X 10_3 的条件下分解得到，膜厚为0. 1-lOnm。18.根据权利要求16所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述蒸镀速率为 0. 02-0. 5nm/s。19.根据权利要求16所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述蒸镀温度为 350-450°C。20.根据权利要求16所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述膜厚为 0. 5-5nm。21.根据权利要求14所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述阴极修饰层由真空蒸镀条件下直接分解为第I主族元素的化合物与另一种金属元素双源共蒸制备而成。22.根据权利要求20所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述化合物中第I主族元素与另一种金属元素的摩尔比在10 1-1 10之间。23.根据权利要求21所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述另一种金属元素本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种有机电致发光器件，包括基板，于基板上形成的阳极层，于阳极层上形成的有机功能层，于有机功能层上形成的阴极层，其特征在于，所述有机功能层与阴极层之间还包括含有第Ⅰ主族元素的阴极修饰层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：邱勇，张国辉，段炼，董艳波，
申请(专利权)人：昆山维信诺显示技术有限公司，清华大学，北京维信诺科技有限公司，
类型：发明
国别省市：32
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