一种有源矩阵有机发光二极管显示基板制造技术

一种有源矩阵有机发光二极管显示基板，由像素单元集合而成，像素单元包括扫描线、数据线、公共电源供给线、阴极线、选址TFT、控制TFT、存储电容和像素OLED，公共电源供给线由网状公共电源供给线和环状公共电源供给线构成，两个相邻像素单元之间的公共电源供给线由公共电极交叉岛连接并形成网状结构，与环状公共电源供给线相接的像素单元的公共电源供给线通过接触孔与其连接。本发明专利技术的优点：在相同显示面积和亮度时，网状电极的电极总功率耗散为梳状电极的16.1％；在相同显示面积和亮度时，网状电极其电极最大直流电压降为梳状电极的27.3％，这对解决大面积AMOLED基板电极总功率耗散和电极直流电压降提供了有效的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机发光二极管显示器技术，特别是一种有源矩阵有机发光二极管显示基板。
技术介绍
有源矩阵选址有机发光二极管(AMOLED)显示器技术是近十年几年涌现出的先进显示器技术。其通常采用高性能薄膜晶体管(TFT)构成显示信息的寻址、驱动电流的提供和控制的基板，配以可发出红、绿、蓝三基色光的有机薄膜发光二极管构成全彩色超薄平板显示器。AMOLED具有自发光、高分辨率、高对比度、全视角、饱和色快速响应和体积轻巧、低功耗、无辐射等特性，全球几乎所有的大型平板显示器公司都投入巨资对该技术进行了研究和产品的开发工作，如文章l)Challenges to Am-oled Technology for Mobile Display KIM H. D. Samsung Sdi Co.，Ltd.，Kyungki-do, Kor ；2)用于数字地驱动有源矩阵有机发光二极管的方法和装置三星电子株式会社申请人地址韩国京畿道专利技术设计人朴容允；金钟善；白钟学。中国相关的高校、研究所和显示器公司同期开展了关于AMOLED的研究工作，并提出了一系列相关的具有自主知识产权的专利技术，如“一种显示屏周边集成与控制电路共同完成的OLED列驱动模式”，孟志国、杭力、吴春亚；“低温多晶硅TFT-OLED耦合对稳定性的研究”，孟志国南开大学，郭海城香港科技大学。AMOLED的显示器技术已经进行了被业界确立IXD之后第三带显示器技术。小尺寸AMOLED显示器已经在高端手机显示屏、 高端显示终端上应用，大面积超薄显示器如大尺寸电视机和显示终端等将成为产业产品目标。随着OLED面板显示尺寸的增大，由于导线电阻的存在，首先就会产生功率耗散， 增加能源消耗。而且，此耗散功率将转化为热能，使基板温度增高，从而降低OLED特别是其有机材料层的寿命。其次长线电极的末端电压与初始点电压相比，会产生一个电压降，这将会影响显示基板发光均勻性。以上各项问题在小面积AMOLED基板上，影响并不严重，因此， 公共电源供给线梳状结构在小面积AMOLED基板上被广泛采用。但是随着AMOLED显示基板尺寸的增大，基板所需驱动电流与显示尺寸平方成正比，长线电阻与显示尺寸成正比，功率 N = I2R,所以此功耗会随显示尺寸的增加按5次方关系迅速增加。所以，大面积AMOLED由于结构和自发光的特点，降低公共电极功率耗损，减少公共电极上的电压变化量是在基板设计中将面对和必需解决的技术关键！因此，采用新型基板设计和相应的基板制备工艺形成的低功耗有源矩阵有机发光二极管显示基板及制备方法，对大面积AMOLED显示基板制造产业具有重要的应用价值。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对上述技术分析，提供一种有源矩阵有机发光二极管显示基板，以满足大面积AMOLED显示器低功率耗散、控制基板发热、延长OLED寿命、增强显示器发光均勻性等要求。本专利技术的技术方案一种有源矩阵有机发光二极管显示基板，由像素单元集合而成，像素单元包括扫描线、数据线、公共电源供给线vdd、阴极线、选址TFT、控制TFT、存储电容和像素0LED，其特征在于公共电源供给线vdd由网状公共电源供给线和环状公共电源供给线构成，同时公共电源供给线与数据线互不干扰，两个相邻像素单元之间的公共电源供给线由公共电极交叉岛相互连接并形成网状结构，与环状公共电源供给线相接的像素单元的公共电源供给线通过接触孔与环状公共电极供给线相连接。所述网状公共电源供给线和环状公共电源供给线为铜或铝。所述像素单元的大小为IOOumX IOOum到400umX400um，相对应的有源矩阵有机发光二极管显示基板的显示尺寸为5英寸至100英寸。本专利技术的优点是在相同显示面积，相同显示亮度情况下，采用本专利技术的网拍状电极其电极总功率耗散为常用的梳状电极总功率耗散的16. 1%，在相同显示面积，相同显示亮度情况下，采用本专利技术的网拍状电极其电极最大直流电压降为常用的梳状电极最大直流电压降的27. 3%。由此可见，该专利技术对解决大面积AMOLED基板电极总功率耗散和电极直流电压降问题提供了有效的方法。附图说明图1为OLED显示基板的像素单元的结构原理图。图2为该显示基板中相邻像素单元之间的公共电源供给线连接局部平面结构示意图。图3为该显示基板的网状公共电源供给线平面结构示意图。图4为该显示基板中与环线相接的像素单元的公共电源供给线连接剖视结构示意图。图5为梳状电极结构显示基板的节点计算用等效图。图6为网拍状电极结构显示基板的节点计算用等效图。图中1.扫描线2.数据线3.公共电源供给线vdd 4.阴极线5.选址TFT 6.控制TFT 7.存储电容 8.像素OLED 9.网状公共电源供给线10.环状公共电源供给线11.公共电极交叉岛12.接触孔13.存储电容电极 14.第二层薄膜金属岛A 15.第二层薄膜金属岛B16. OLED的阳极电极 17.有机绝缘层18、19、20、OLED有机发光材料21.显示器玻璃基板 22.第二个四周低电阻厚膜金属电极23-I、23-II、23-III.截面线 24.低阻公共电极 25.长线电极 26.驱动电流 27.四周低阻公共电源供给电极 28.网拍状公共电源供给电极 29.网拍状驱动电流30.低温氧化硅薄膜 31.低温氧化硅薄膜 32.低温氧化硅薄膜具体实施例方式实施例以下是有关本专利技术的具体说明，凡未脱离本专利技术精神的所有等效实施或变更，均属于本专利技术的内容范围。一种有源矩阵有机发光二极管显示基板，如图1、图2所示，由像素单元集合而成，像素单元包括扫描线1、数据线2、公共电源供给线vdd3、阴极线4、选址TFT5、控制TFT6、存储电容7和像素0LED8，其特征在于公共电源供给线vdd3由网状公共电源供给线9和环状公共电源供给线10构成，同时公共电源供给线vdd3与数据线4互不干扰，两个相邻像素单元之间的公共电源供给线vdd3由公共电极交叉岛11相互连接并形成网状结构，与环状公共电源供给线10相接的像素单元的公共电源供给线vdd3通过接触孔12与环状公共电极供给线10相连接。该实施例中，网状公共电源供给线和环状公共电源供给线为铜，像素单元的大小为400umX400um，相对应的有源矩阵有机发光二极管显示基板的显示尺寸为100 英寸。图3为该显示基板的网状公共电源供给线平面结构示意图，其中23-1、23_11、 23-111.表示三条不同的截面线，23-1和23-11两条截面线缩短剖视图与传统结构一样，故略去附图，与截面线23-111相对应的截面剖视图4为该显示基板中与环线相接的像素单元的公共电源供给线连接剖视结构示意图。结合图3、图4说明结构如下在玻璃衬底上制备的AMOLED显示基板。扫描线1为第一层薄膜金属长方形电极， 位置在像素上方，其左下端与选址TFT5的栅电极同层相连接，扫描线1横向贯穿整个显示矩阵区间，并与外围扫描驱动电路相连接。数据线2为第二层薄膜金属长方形电极，位置在像素左边，并与选址TFT5的源(漏)极相连接，信号线2纵向贯穿整个显示矩阵区间，并与外围数据驱动电路相连接。公共电流供给线vdd 3为第二层薄膜金属反L型电极，位置在像素的右侧和下侧，该电极左侧通过公共电极交叉岛11与左面像素的公共电流供给线vdd 3 相连，上下端与本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种有源矩阵有机发光二极管显示基板，由像素单元集合而成，像素单元包括扫描线、数据线、公共电源供给线ｖｄｄ、阴极线、选址ＴＦＴ、控制ＴＦＴ、存储电容和像素ＯＬＥＤ，其特征在于：公共电源供给线ｖｄｄ由网状公共电源供给线和环状公共电源供给线构成，同时公共电源供给线与数据线互不干扰，两个相邻像素单元之间的公共电源供给线由公共电极交叉岛相互连接并形成网状结构，与环状公共电源供给线相接的像素单元的公共电源供给线通过接触孔与环状公共电极供给线相连接。

【技术特征摘要】
1.一种有源矩阵有机发光二极管显示基板，由像素单元集合而成，像素单元包括扫描线、数据线、公共电源供给线Vdd、阴极线、选址TFT、控制TFT、存储电容和像素0LED，其特征在于公共电源供给线vdd由网状公共电源供给线和环状公共电源供给线构成，同时公共电源供给线与数据线互不干扰，两个相邻像素单元之间的公共电源供给线由公共电极交叉岛相互连接并形成网状结构，与环状公共电源供给线相接的像...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟志国，丁思唯，李娟，熊绍珍，
申请(专利权)人：南开大学，
类型：发明
国别省市：12