有机发光二极管显示器及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种有机发光二极管显示器及其制造方法。所述有机发光二极管(OLED)显示器包括：基底，包括限定在基底上的多个像素；薄膜晶体管(TFT)，位于每个像素处；阴极，电连接到TFT；有机发射层，位于阴极上；阳极，位于有机发射层上，阳极包括位于有机发射层上的辅助层、位于辅助层上的导电层和位于导电层上的绝缘层。

【技术实现步骤摘要】

示例实施例总体涉及一种有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法，更具体地说，涉及一种具有改进的OLED结构的OLED显示器及其制造方法。
技术介绍
有源矩阵式OLED显示器包括具有阳极、有机发射层和阴极的有机发光元件以及用于驱动有机发光元件的薄膜晶体管(TFT)。在有源矩阵式OLED显示器中，从阳极注入的空穴和从阴极注入的电子在有机发射层中结合以产生激子，通过在激子从激发态降至基态时产生的能量来发射光。OLED显示器通过这种发光来显示图像。有机发光元件可被形成为使得有机发射层和阴极可顺序地堆叠在与TFT连接的阳极上。在这种结构中，由于阳极与TFT连接，所以TFT是ρ型TFT，因此，TFT的半导体层由例如通过结晶工艺形成的多晶硅制成。然而，在这种情况下，不容易执行或获得均勻的结晶，因而这样形成的半导体层的特性会不均勻。因此，具有这种不均勻的半导体层的OLED显示器会具有不均勻的发光特性，和/或该OLED显示器会变得有缺陷。如果OLED显示器的尺寸增大，则该问题将变得更加严重。在本
技术介绍
部分中公开的上述信息仅用于增强对描述的技术的背景的理解，因此可能包含在本国中的本领域技术人员已经知道的不构成现有技术的信息。
技术实现思路
因此，实施例涉及一种OLED显示器及其制造方法，该OLED显示器及其制造方法基本克服了由于现有技术的局限性和缺点导致的一个或多个问题。因此，实施例的特征在于提供一种具有改进的阳极结构的OLED显示器。因此，实施例的另一特征在于提供一种具有改进的阳极结构而不损坏有机发射层的OLED显示器的制造方法。上述和其它特征和优点中的至少一个可通过提供一种OLED显示器来实现，所述 OLED显示器包括基底，在基底上限定有多个像素；TFT，位于每个像素处；阴极，电连接到 TFT ；有机发射层，位于阴极上；阳极，位于有机发射层上。阳极可包括位于有机发射层上的辅助层、位于辅助层上的导电层和位于导电层上的绝缘层。辅助层可包含氧化钨、氧化钼、富勒烯(C60)、铜酞菁(CuPc)、四氰基醌二甲烷 (TCNQ)、氯化三苯基四唑(TTC)、萘四羧酸二酐(NTCDA)、茈四羧酸二酐(PTCDA)和十六氟代酞菁铜(F16CuPc)中的至少一种。导电层可包括银、铝、铬、钐和它们的合金中的至少一种。 绝缘层可包括氧化硅、氮化硅、氧化钼、氧化钨和官能化的喹啉铝中的至少一种。这里，辅助层可包含氧化钨，导电层可包含银，并且绝缘层可包含氧化钨。这里，辅助层可通过堆叠包含能级低于构成有机发射层的层的材料的能级的低能级材料层以及包含偶极材料的偶极材料层来形成。低能级材料层可包含氧化钨。偶极材料层可包含氧化钼、富勒烯、铜酞菁、四氰基醌二甲烷(TCNQ)、氯化三苯基四唑(TTC)、萘四羧酸二酐(NTCDA)、茈四羧酸二酐(PTCDA)和十六氟代酞菁铜(F16CuPc)中的至少一种。导电层可具有范围从大约8nm至大约Mnm的厚度。绝缘层可具有范围从大约30nm 至大约SOnm的厚度。低能级材料层可具有范围从大约5nm至大约40nm的厚度，偶极材料层可具有大约IOnm或更小的厚度。辅助层、导电层和绝缘层可通过热蒸发形成。上述和其它特征和优点中的至少一个也可通过提供一种制造OLED显示器的方法来实现，所述方法包括以下步骤准备具有形成在基底上的多个像素的基底；在每个像素处形成TFT ；形成阴极，使得阴极与TFT电连接；在阴极上形成有机发射层；在有机发射层上形成阳极。在形成阳极的步骤中，辅助层、导电层和绝缘层可通过热蒸发顺序地形成在有机发射层上。辅助层可包含氧化钨、氧化钼、富勒烯(C60)、铜酞菁(CuPc)、四氰基醌二甲烷 (TCNQ)、氯化三苯基四唑(TTC)、萘四羧酸二酐(NTCDA)、茈四羧酸二酐(PTCDA)和十六氟代酞菁铜(F16CuPc)中的至少一种。导电层可包含银、铝、铬、钐和它们的合金中的至少一种。 绝缘层可包含氧化硅、氮化硅、氧化钼、氧化钨和官能化的喹啉铝中的至少一种。这里，辅助层可包含氧化钨，导电层可包含银，绝缘层可包含氧化钨。附图说明通过参照附图详细描述示例性实施例，上述和其它特征和优点对本领域技术人员来讲将变得更加清楚，在附图中图1示出了根据示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器的布局图；图2示出了沿图2中的线II-II截取的剖视图；图3示出了图2中的部分“A”的放大图；图4示出了根据另一示例性实施例的OLED显示器的阳极部分的放大图；图5示出了根据示例性实施例的制造OLED显示器的方法的工艺流程图。具体实施例方式现在将参照附图更充分地描述示例实施例；然而，示例实施例可以以不同的形式实施，并且不应被解释为局限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并将把本专利技术的范围充分地传达给本领域技术人员。在附图中，为了示出的清楚，可夸大层和区域的尺寸。还应理解的是，当层或元件被称作“在”另一层或基底“上”时，该层或元件可直接在所述另一层或基底上，或者也可存在中间层。另外，还将理解的是，当层被称作“在”两个层“之间”时，该层可以是所述两个层之间的唯一层，或者也可存在一个或多个中间层。相同的标号始终表示相同的元件。现在将参照图1至图4描述根据示例性实施例的OLED显示器。图1示出了根据示例性实施例的OLED显示器的布局图，图2示出了沿图1中的线II-II截取的剖视图。如图1和图2所示，根据本示例性实施例的OLED显示器101可包括形成在限定在基底主体111上的多个像素中的每个像素处的开关薄膜晶体管(TFT) 10、驱动TFT 20、存储电容器80和有机发光元件70(例如，0LED70)。OLED显示器101还可包括沿一个方向设置的栅极线151、与栅极线151交叉并与栅极线151绝缘的数据线171以及共电源线172。这里，可由栅极线151、数据线171和共电源线172作为边界来限定各个像素，然而示例实施例不必局限于此。缓冲层120可以额外地形成在基底主体111、开关TFT 10以及有机发光元件70等之间。缓冲层120用于使表面平滑同时防止不必要的组分(例如，杂质元素或湿气)的侵入。然而，缓冲层120不是必需的，并且可以根据基底主体111的类型和加工条件而省略。有机发光元件70可包括阴极710 ；有机发射层720，形成在阴极710上；阳极 730，形成在有机发射层720上。这里，一个或更多个阴极710形成在每个像素处，因而OLED 显示器101可具有多个单独的阴极710。当激子(即，由注入到有机发射层720中的空穴和电子结合而产生)从激发态降至基态时，发射光。有机发射层720可包括低分子量有机材料或高分子量有机材料。有机发射层720 可形成为包括发光层、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的一个或多个的单层或多层结构。例如，如果有机发射层720包括上述层中的全部层，则EIL可设置在阴极710上，并且ETL、有机发射层、HTL和HIL可顺序地堆叠在EIL 上。应该注意的是，在本示例性实施例中，使用了倒置的结构，其中阴极710连接到驱动TFT 20，并且有机发射层720和阳极730顺序地堆叠在阴极710上。随后，将参照图3详细描述该倒置的结本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：基底，包括限定在基底上的多个像素；薄膜晶体管，位于每个像素处；阴极，电连接到薄膜晶体管；有机发射层，位于阴极上；阳极，位于有机发射层上，阳极包括位于有机发射层上的辅助层、位于辅助层上的导电层和位于导电层上的绝缘层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：吴一洙，李昌浩，高熙周，赵世珍，宋炯俊，尹振渶，李钟赫，
申请(专利权)人：三星移动显示器株式会社，
类型：发明
国别省市：KR