本实用新型专利技术公开了一种接收信号强度检测电路，包括非平衡源级交叉耦合对、局部正反馈负载和输出端钳位电路三部分，在检测范围内，输入信号强度和输出直流电平之间呈线性关系；通过非平衡源级耦合对电路实现传统的对数放大器功能。并且采用局部正反馈负载和输出端钳位电路与非平衡源级耦合对电路级联，优化接收信号强度检测电路的性能。本实用新型专利技术提供的接收信号强度检测电路，相对于传统的基于对数放大器的接收信号强度检测电路，具有更宽的检测范围、更优良的线性度、更好的稳定性。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种接收信号强度检测电路，其特征在于：所述接收信号强度检测电路包括非平衡源级交叉耦合对电路、局部正反馈负载电路和输出端钳位电路： 所述非平衡源级交叉耦合对电路包括第一ＰＭＯＳ晶体管（Ｍ１）、第二ＰＭＯＳ晶体管（Ｍ２）、第三ＰＭＯＳ晶体管（Ｍ３）、第四ＰＭＯＳ晶体管（Ｍ４）、第五ＰＭＯＳ晶体管（Ｍ５）、第六ＰＭＯＳ晶体管（Ｍ６）、第七ＰＭＯＳ晶体管（Ｍ７）； 所述局部正反馈负载电路包括第八ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ８）、第九ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ９）、第十ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１０）、第十一ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１１）、第十二ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１２）、第十三ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１３）、第十四ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１４）、第十五ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１５）、第十六ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１６）、第十七ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１７）、第十八ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１８）、第十九ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１９）、第二十ＰＭＯＳ晶体管（Ｍ２０）、第二十一ＰＭＯＳ晶体管（Ｍ２１）、第二十二ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ２２）、第二十三ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ２３）； 所述输出端钳位电路包括负载电阻（Ｒ１）、第二十四ＰＭＯＳ晶体管（Ｍ２４）、运算放大器（ＯＰ）和实现对非平衡源级交叉耦合对电路以及局部正反馈负载电路的复制的输出偏置电位提供电路Ｒｅｐｌｉｃａ； 在非平衡源级交叉耦合对电路中，第一ＰＭＯＳ晶体管（Ｍ１）和第二ＰＭＯＳ晶体管（Ｍ２）的栅极接射频输入信号的正级，第三ＰＭＯＳ晶体管（Ｍ３）和第四ＰＭＯＳ晶体管（Ｍ４）的栅极接射频输入信号的负级；第一ＰＭＯＳ晶体管（Ｍ１）和第二ＰＭＯＳ晶体管（Ｍ２）的源级接第五ＰＭＯＳ晶体管（Ｍ５）的漏极，第三ＰＭＯＳ晶体管（Ｍ３）和第四ＰＭＯＳ晶体管（Ｍ４）的源级接第六ＰＭＯＳ晶体管（Ｍ６）的漏极；第五ＰＭＯＳ晶体管（Ｍ５）、第六ＰＭＯＳ晶体管（Ｍ６）、第七ＰＭＯＳ晶体管（Ｍ７）组成电流镜结构，构成提供偏置电流的偏置电路； 在局部正反馈负载电路中，第八ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ８）和第九ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ９）的栅极接第九ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ９）的漏极，第八ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ８）的漏极接第二十一ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ２１）的漏极，第九ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ９）和第十ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１０）的漏极接第一ＰＭＯＳ晶体管（Ｍ１）的漏极，第十ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１０）的栅极接第十二ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１２）的漏极，第十一ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１１）的栅极接第十ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１０）的漏极，第十二ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１２）和第十三ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１３）的栅极都接第十二ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１２）漏极，第十三ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１３）的漏极接第二十一ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ２１）的漏极，第十二ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１２）的漏极接第三ＰＭＯＳ晶体管（Ｍ３）的漏极； 第十四ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１４）和第十五ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１５）的栅极接第十五ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１５）漏极，第十四ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１４）的漏极接第二十ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ２０）的漏极，第十五ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１５）和第十六ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１６）的漏极接第二ＰＭＯＳ晶体管（Ｍ２）的漏极，第十六ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１６）的栅极接第十八ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１８）的漏极，第十七ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１７）的栅极接第十五ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１５）的漏极，第十八ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１８）和第十九ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１９）的栅极都接第十八ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１８）漏极，第十九ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１９）的漏极接第二十ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ２０）的漏极，第十八ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１２）的漏极接第四ＰＭＯＳ晶体管（Ｍ４）的漏极； 第八ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ８）、第九ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ９）、第十ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１０）、第十一ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１１）、第十二ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１２）、第十三ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１３）、第十四ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１４）、第十五ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１５）、第十六ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１６）第十七ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１７）和第十八ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１８）的源极接地； 第二十ＰＭＯＳ晶体管（Ｍ２０）和第二十一ＰＭＯＳ晶体管（Ｍ２１）的栅极都接到第二十ＰＭＯＳ晶体管（Ｍ２０）的漏极，第二十ＰＭＯＳ晶体管（Ｍ２０）和第二十一ＰＭＯＳ晶体管（Ｍ２１）的源极接电源，第二十ＰＭＯＳ晶体管（Ｍ２０）的漏极接第十四ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１４）和第十九ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１９）的漏极，第二十一ＰＭＯＳ晶体管（Ｍ２１）的漏极接到第八ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ８）、第十三ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１３）和第二十二ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ２２）的漏极、第二十二ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ２２）和第二十三ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ２３）的栅极都接到第二十二ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ２２）的漏极，第二十二ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ２２）和第二十三ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ２３）的源极都...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴建辉，徐震，陈超，竺磊，徐毅，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：实用新型
国别省市：84
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。