无线信号触发的开关机电路制造技术

本实用新型专利技术公开了无线信号触发的开关机电路，主要由MOS管触发电路、以及同时连接于MOS管触发电路的开关机主处理芯片、VRTC电路、开关机信号输入电路构成。本实用新型专利技术的优点在于：这种开关机电路，最大的创新是将以前必须使用物理按键来实现的开关机功能，转而由无线电路方式来实现。本实用新型专利技术电路与三极管电路相比，由于MOS管是电压驱动器件，即只要输入信号电压达到设定阀值，即可驱动系统开关机，而三极管是电流驱动器件，必须要输入信号电流达到门限值，才能驱动系统开关机。另外MOS管需要的驱动信号电压较三极管比较高。这两种设计可以应用于不同的场合，选用同封装的三极管与MOS管，在同一块PCB上也可以实现两种电路的调试试验，而不用采用两种PCB设计。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及开关机电路，具体是指无线信号触发的开关机电路。
技术介绍
普通的按键开关机电路，是按开机按键设备后即可立即开机，在次按键后，设备立即关机。而在一些电子产品设备中，特别是手持式设备，如手机等，都是采用的长按键开关机控制电路例如手机的开关机，一般手机的开关机过程为开机时，需要按开关机键足够长的开关机键的动作，只要按压键的时间小于预先手机的时间，设备不会产生任何的开关机操作(即长按键开关机就是按开关机时间足够长后设备才产生开机动作)。这样做的好处是 防止多诸如手机等电子设备开关机键的无意按压，导致放在包里或者口袋里的电子设备执行错误的开机或者关机动作。对于诸如手机之类的手持电子产品，有这样的开关机功能和特性的电路时必须的。实现防止误触发长按键延伸开关机功能，一种简易的办法是利用分立的原件如RC延时加上辅助电路实现，具有原理简单，价格低廉，设计方便，但是其延时精确度低，只能部分防止误触电路，采用专用的开关机芯片实现，可靠性高，设计简单，但因其专业性，故价格较贵，普通市场不易采购，业余制作或其他应用实现不易。上述内容为的是针对手触发式的开关机电路，在许多无线通信，无线控制领域中，开关机电路常常采用的多数是自动计时开关机设计。此自动计时开关机电路，无需人工控制，可解决人力成本问题。但是在许多实时操控中，自动开关机的方案不能作为采用的对象。基于实时控制的需求，因此，我们需要一种能针对RFID天线信号经整流后的信号，通过此开关机电路，可以触发系统的开关机信号，从而达到使用RFID的无线信号触发系统开关机的目的的开关机电路。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种结构简单，成本低，能进行无线信号触发，无线信号触发的开关机电路。本技术的实现方案如下无线信号触发的开关机电路，主要由MOS管触发电路、以及同时连接于MOS管触发电路的开关机主处理芯片、VRTC电路、开关机信号输入电路构成；所述MOS管触发电路主要由一个NMOS管T9和一个PMOS管T8构成，所述NMOS管T9的D极引脚和PMOS管T8的G极引脚连接；所述NMOS管T9的G极引脚与开关机信号输入电路连接；所述PMOS管T8的S极引脚与VRTC电路连接；所述PMOS管T8的D极引脚与开关机主处理芯片连接；所述NMOS管T9的S极引脚接地；所述开关机主处理芯片包括0N/0FF弓I脚，所述PMOS管T8的D极引脚与开关机主处理芯片的0N/0FF弓I脚连接；所述PMOS管T8还并联有上拉电阻R80，所述上拉电阻R80的两端分别与PMOS管T8的S极引脚和G极引脚连接，所述上拉电阻R80采用0402的封装标准，其上拉电阻R80的阻值为IM欧姆+/-IM欧姆5% ο所述PMOS管T8与NMOS管T9之间还串联有限流电阻R34，所述限流电阻R34的两端分别与PMOS管T8的G极引脚和NMOS管T9的D极引脚连接，所述PMOS管T8还串联有一个下拉电阻R35，所述下拉电阻R35的一端同时与PMOS管T8的D极引脚和0N/0FF引脚连接，下拉电阻R35的另一端接地；下拉电阻R35采用0402的封装标准，下拉电阻R35的阻值为IM欧姆+/-IM欧姆5%。所述NMOS管T9还串联有一个下拉电阻R79，所述下拉电阻R79的一端同时与开关机信号输入电路和NMOS管T9的G极引脚连接，下拉电阻R79的另一端接地；下拉电阻R79采用0402的封装标准，下拉电阻R79的阻值为75K欧姆+/-75K欧姆5% ;所述下拉电阻R79与开关机信号输入电路之间还串联有一个限流电阻R32。所述限流电阻R34和限流电阻R32均为OR电阻。所述PMOS管T8的S极引脚与VRTC电路的连接线上还引出有一电源信号测试点TP_VRTC ;所述PMOS管T8的D极引脚与开关机主处理芯片的连接线上还引出有一开关信号测试点 TP_0N/0FF。·为了优化电路设计，使得电路板体积变小，本技术中的上拉电阻R80、下拉电阻R35、下拉电阻R79均采用0402的封装标准。基于上述内容，本技术的开关触发原理为当开关机信号输入电路输入开关机信号为高电平后，NMOS管T9的G极信号变化为高电平；此时NMOS管T9的S极与D极导通，由于NMOS管T9的S极接地，因此三极管T9的D极被导通后接地，此时由于NMOS管T9的D极接PMOS管T8的G极，因此，PMOS管T8的G极接地，固PMOS管T8被导通，使得接PMOS管T8的D极与PMOS管T8的S极导通，因此PMOS管T8的开关机信号与PMOS管T8的开关机电源信号被导通，PMOS管T8的S极连接的VRTC电路输出开关机电源信号，PMOS管T8的D极接收开关机信号。从而使系统的开关机信号被触发，从而使系统开始开关机流程。电路中使用的上拉电阻R80、下拉电阻R79和下拉电阻R35可分别保证了 PMOS管T8和NMOS管T9在无信号输入时的关断状态稳定，而串入的限流电阻R34和限流电阻R32则保证信号电流不会太大而对三极管造成损害。同时限流电阻R34和限流电阻R32配合上拉电阻R80、下拉电阻R79和下拉电阻R35，可以调整输入信号触发开关机的门限电压，保证开关机与读写卡的操作同步。本技术的优点在于这种开关机电路，最大的创新是将以前必须使用物理按键来实现的开关机功能，转而由无线电路方式来实现。本技术电路与三极管电路相比，由于MOS管是电压驱动器件，即只要输入信号电压达到设定阀值，即可驱动系统开关机，而三极管是电流驱动器件，必须要输入信号电流达到门限值，才能驱动系统开关机。另外MOS管需要的驱动信号电压较三极管比较高。这两种设计可以应用于不同的场合，选用同封装的三极管与MOS管，在同一块PCB上也可以实现两种电路的调试试验，而不用采用两种PCB设计。附图说明图I为本技术整体结构示意图。具体实施方式实施例一如图I所示。无线信号触发的开关机电路，主要由MOS管触发电路、以及同时连接于MOS管触发电路的开关机主处理芯片、VRTC电路、开关机信号输入电路构成。MOS管触发电路主要由一个NMOS管T9和一个PMOS管T8构成，所述NMOS管T9的D极引脚和PMOS管T8的G极引脚连接；所述NMOS管T9的G极引脚与开关机信号输入电路连接；所述PMOS管T8的S极引脚与VRTC电路连接；所述PMOS管T8的D极引脚与开关机主处理芯片连接；所述NMOS管T9的S极引脚接地。开关机主处理芯片包括0N/0FF引脚，所述PMOS管T8的D极引脚与开关机主处理芯片的0N/0FF引脚连接。PMOS管T8还并联有上拉电阻R80，所述上拉电阻R80的两端分别与PMOS管T8的 S极引脚和G极引脚连接。PMOS管T8与NMOS管T9之间还串联有限流电阻R34，所述限流电阻R34的两端分别与PMOS管T8的G极引脚和NMOS管T9的D极引脚连接，所述限流电阻R34为OR电阻。PMOS管T8还串联有一个下拉电阻R35，所述下拉电阻R35的一端同时与PMOS管T8的D极引脚和0N/0FF引脚连接，下拉电阻R35的另一端接地。NMOS管T9还串联有一个下拉电阻R79，所述下拉电阻R79的一端同时与开关机信号输入电路和NMOS管T9的G极引脚连接，下拉电阻R79的另一端接地。本文档来自技高网...

【技术保护点】
无线信号触发的开关机电路，其特征在于：主要由MOS管触发电路、以及同时连接于MOS管触发电路的开关机主处理芯片、VRTC电路、开关机信号输入电路构成；所述MOS管触发电路主要由一个NMOS管T9和一个PMOS管T8构成，所述NMOS管T9的D极引脚和PMOS管T8的G极引脚连接；所述NMOS管T9的G极引脚与开关机信号输入电路连接；所述PMOS管T8的S极引脚与VRTC电路连接；所述PMOS管T8的D极引脚与开关机主处理芯片连接；所述NMOS管T9的S极引脚接地；所述开关机主处理芯片包括ON/OFF引脚，所述PMOS管T8的D极引脚与开关机主处理芯片的ON/OFF引脚连接；所述PMOS管T8还并联有上拉电阻R80，所述上拉电阻R80的两端分别与PMOS管T8的S极引脚和G极引脚连接，所述上拉电阻R80采用0402的封装标准，其上拉电阻R80的阻值为1M欧姆+/？1M欧姆5%。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：任佳，
申请(专利权)人：成都锐奕信息技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：